公开(公告)号：CN105612271A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480055662.7

申请日：2014-10-07

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 工藤修二 ,  斋藤雄二 ,  水村通伸

IPC: C23C14/04 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10

CPC classification number: H05B33/10 ,  C23C14/042 ,  H01L51/0011

Abstract: 本发明涉及成膜掩膜及其制造方法。上述成膜掩膜通过具备掩膜板(1)和磁性金属构件的金属掩膜(2)而构成，其中，掩膜板(1)具备：树脂制的薄片(5)，其与被成膜在基板上的薄膜图案对应地形成多个开口图案(4)；以及磁性金属薄膜(7)，其在上述薄片(5)的一面(5a)被设置在形成了上述多个开口图案(4)的有效区域内，并在其上设置了内含上述多个开口图案(4)中的至少一个开口图案(4)的大小的贯通孔(6)，磁性金属构件的金属掩膜2在上述掩膜板(1)的上述磁性金属薄膜(7)侧与上述掩膜板1分离而独立地被设置，在其上形成了内含上述磁性金属薄膜(7)的大小的开口部(9)。

公开(公告)号：CN103052917B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201180040182.X

申请日：2011-07-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/2002 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70258 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70358

Abstract: 本发明提供一种使用了微透镜阵列的扫描曝光装置，即使起因于曝光装置特性和温度条件等制造条件的变动而使得被曝光基板的大小产生变动，也能够使掩模图案的像对准规定位置。在扫描曝光装置中，多个微透镜阵列2在要曝光的基板1的上方排列在与扫描方向垂直的方向上并被支承基板支承。而且，各微透镜阵列以能够相对于其排列方向从平行于曝光基板的方向倾斜的方式被支承基板支承。这些微透镜阵列的倾斜角度构成为关于上述排列方向逐渐变大或变小。

公开(公告)号：CN105492650A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480046504.5

申请日：2014-08-18

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/40

CPC classification number: H01J37/34 ,  C23C14/042 ,  C23C14/564 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3447 ,  H01J37/3467

Abstract: 本发明为一种溅射成膜装置，其对阴极电极施加高电压的阴极电压而在靶(10)与基板(12)之间生成等离子体，经由掩膜(11)在基板(12)成膜，该溅射成膜装置具备脉冲偏压电源(6)，其在向上述基板(12)的成膜过程中，能够对上述掩膜(11)施加脉冲状的负电压。由此，能够边成膜边进行掩膜的清洗。

公开(公告)号：CN105209976A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201480027536.0

申请日：2014-06-16

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  畑中诚

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/7015 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70275

Abstract: 本发明涉及通过利用微透镜阵列将掩模上的图案成像在基板上而曝光基板的曝光装置等，并使射出曝光光的照明单元小型化。微透镜阵列(30)具有包含朝向与移动方向(A)相交的方向的排列且以二维方式配置的多个微透镜(31)，照明单元具有：排列有多个激光二极管的LD阵列条；以及照明光学系统，其将从构成该LD阵列条的多个激光二极管射出的多个发出光转换成缝形状的曝光光束，并利用该曝光光束的曝光光(170)对排成一列的多个微透镜上进行照明，关于与移动方向相交的方向，该曝光光束以跨越在该方向上排列的多个微透镜的方式扩展，并且关于移动方向，该曝光光束被限制为不会波及排列于在该移动方向上相邻的列上的微透镜的宽度。

公开(公告)号：CN103262213B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201180059322.8

申请日：2011-11-22

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  斋藤雄二

IPC: B23K26/064 ,  B23K26/067 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67115 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0676 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/477

Abstract: 本发明涉及一种激光退火装置，向形成在TFT基板(10)上的非晶硅膜照射多个激光束(Lb)而进行退火处理，其具备：掩模(3)，其形成有与TFT基板(10)上的被退火区域的形状相似的形状的多个开口；微型透镜基板(4)，其经由形成在一面上的多个微型透镜使分别通过了掩模(3)的多个开口的多个激光束(Lb)会聚到TFT基板(10)上，从而向非晶硅膜施加一定的光能；一对引导件(25)，它们呈半圆柱状的形状，隔着微型透镜基板(4)以轴心大致平行的方式对置配置在微型透镜基板(4)的两缘部的位置，且顶部比微型透镜的顶部的位置向TFT基板(10)侧突出；薄膜(22)，其以能够移动的方式张设在一对引导件(25)间并使激光束(Lb)透过。由此，容易进行激光束的照射能量的维持管理，且能抑制照射图案的形状紊乱。

公开(公告)号：CN103907061B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280038389.8

申请日：2012-07-27

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸 ,  渡边由雄

IPC: G03F7/20 ,  G02B3/00 ,  G02B5/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G02B3/0056 ,  G03F7/70275 ,  G03F7/70308 ,  G03F9/70

Abstract: 在微透镜阵列中，其反转成像位置的六边视野光圈的配置，即，微透镜的配置，在垂直于扫描方向的方向上配置有多个而构成微透镜列。而且关于其3列的微透镜列，微透镜列以使六边视野光圈的三角形部分在扫描方向上重叠的方式分别在垂直于扫描方向的方向上偏移长度S的量进行配置。进而，关于由该3列的微透镜列构成的微透镜列组，微透镜列组例如在垂直于扫描方向的方向上偏移微小移位量F而配置，例如，偏移2μm。由此，在使用微透镜阵列的曝光装置中，即使对于垂直于扫描方向的方向也能防止产生曝光不均。

公开(公告)号：CN103026458B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201180038786.0

申请日：2011-07-15

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 水村通伸

IPC: H01L21/027 ,  G02B3/00 ,  G02B7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70275 ,  G02B3/0006 ,  G03F9/703 ,  G03F9/7088

Abstract: 本发明提供一种隔开规定间隔固定有微透镜阵列和掩模的微透镜曝光装置，该微透镜曝光装置能够容易且高精度将微透镜阵列与曝光用基板之间的间隙调整到微透镜的对准焦点位置。曝光用的激光通过微透镜阵列3的微透镜3a而被照射在抗蚀剂膜2上。来自显微镜10的光通过掩模4的Cr膜5的孔5b中，在微透镜3b中透射而照射在抗蚀剂膜2上。通过使用显微镜10观察在该微透镜3b中透射的光是否在抗蚀剂膜2上对准焦点，从而能够判别由微透镜3a聚束于抗蚀剂膜2的曝光光的对准焦点。

公开(公告)号：CN104919731A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201380070056.8

申请日：2013-12-10

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸 ,  石川晋 ,  金尾正康 ,  小川吉司

IPC: H04B10/80 ,  H01L31/02 ,  H04B10/114

CPC classification number: H04B10/803 ,  H01L31/173

Abstract: 本发明提供一种光互联装置，其能够提高基板上的发光元件或受光元件的对准精确度，即使在转接一个基板进行光信号的接收和发送的情况下，也能够以比较简单的制造工序来形成，即使以高密度配置发光元件或受光元件的情况下也抑制基板之间信号传输的串扰。本发明的光互联装置(1)在层叠配置的多个半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送，其中，配置于一个半导体基板(10)的发光元件(2)或受光元件(3)具备将半导体基板(10)作为共同的半导体层的pn接合部(10pn)，且形成于半导体基板(10)的一面侧，在不同的半导体基板(10)之间进行光信号的接收和发送的一对发光元件(2)和受光元件(3)中，由该发光元件(2)发出的光透过半导体基板(10)而被该受光元件(3)接收。

公开(公告)号：CN102714149B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201080050013.X

申请日：2010-10-14

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  滨野邦幸 ,  水村通伸

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: C30B1/023 ,  C30B13/22 ,  C30B29/06 ,  G03F1/14 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0268 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明公开了一种形成设备和形成方法，其能生产不经历晶粒尺寸波动并且具有均匀的晶粒尺寸的低温多晶硅膜。形成掩模，使得激光束阻断区域和激光束透射区域以网状图案排列，以便彼此不相邻。通过掩模，利用微透镜，使用激光束照射预定的通道区形成区域。使用透过透射区域的激光束照射a-Si:H膜，以引起经照射的部分退火，从而引起多晶化。随后，将掩模移除，并且使用激光束照射预定的通道区形成区域的整个表面。在其中已发生多晶化的区域，熔点升高，并且不发生熔融。在仍为非晶态的区域中，熔融并固化，从而引起多晶化。在这样生产的多晶硅膜中，晶粒的尺寸根据阻光区和透光区控制并落入具体范围内。

公开(公告)号：CN104169798A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201280071476.3

申请日：2012-03-19

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 梶山康一 ,  水村通伸

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/70341 ,  G03F7/70891

Abstract: 本发明的曝光头包含以下部分：透明基板；多个曝光光源，其形成于上述透明基板，辐射曝光光；聚光透镜，其使来自上述曝光光源的曝光光会聚到上述曝光对象物上；摄像机构，其配置于隔着上述透明基板与上述聚光透镜相反的一侧，对上述曝光对象物进行摄像；以及控制机构，其基于由上述摄像机构摄像得到的图像信息，控制上述曝光光源的点亮。另外，本发明的曝光装置包含本发明的曝光头。根据这样的构成，能够提高曝光对象物的对位精度，使曝光对象物的曝光精度提高。