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公开(公告)号：CN110098292B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201910169560.2
申请日：2019-03-06
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于纳米图形的蓝绿量子点发光二极管及制备方法，主要解决现有蓝绿量子点发光二极管电荷传输效率低，表面缺陷多的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、n型GaN层(2)、InxGa1‑xN单量子点层(3)和p型GaN层(4)，该n型GaN层上设有直径为20‑200nm，高度为3‑30nm，且分布均匀的纳米图形，该InxGa1‑xN单量子点层位于纳米图形上。本发明与传统量子点发光二极管相比，使用氧化硅纳米球阵列为掩模，通过ICP蚀刻技术得到均匀分布的纳米图形，在纳米图形上直接生长量子点，提高了电荷传输效率，降低了表面位错，能得到高效的蓝绿量子点发光二极管，可用于蓝绿光发光设备中。
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公开(公告)号：CN112133800B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010879621.7
申请日：2020-08-27
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于高温扩散形成p型ScAlN层的高效发光二极管及制备方法，该高效发光二极管包括：衬底层(1)；成核层(2)，设置于所述衬底层(1)上；n型GaN层(3)，设置于所述成核层(2)上；多量子阱层(4)，设置于所述n型GaN层(3)上，所述多量子阱层(4)包括若干AlxGa1‑xN阱层和若干AlyGa1‑yN垒层，且所述若干AlxGa1‑xN阱层和所述若干AlyGa1‑yN垒层依次交替层叠设置于所述n型GaN层(3)上；电子阻挡层(5)，设置于所述多量子阱层(4)上；P型ScmAl1‑mN层(6)，设置于所述电子阻挡层(5)上；若干电极(7)，所述若干电极(7)分别设置于所述P型ScmAl1‑mN层(6)上和所述n型GaN层(3)上。本发明的发光二极管由于P型层采用ScAlN材料，提高了p型层的空穴浓度，从而提高了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN113764555A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110859939.3
申请日：2021-07-28
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
摘要： 本发明公开了一种基于纳米图形插入层的AlN紫外发光二极管及其制备方法，所述AlN紫外发光二极管自下而上包括：图形蓝宝石衬底、AlN纳米图形插入层、AlN再生长层、n型AlN层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层、p型AlN层、p型GaN接触层、p型电极和n型电极；所述AlN纳米图形插入层的表现覆盖有Ag第一反光层和Ag第二反光层。本发明能够克服异质外延AlGaN/AlN基发光二极管中位错密度高、光提取效率低和光输出功率低的问题，制备出高性能的AlN紫外发光二极管。
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公开(公告)号：CN113594229A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110845441.1
申请日：2021-07-26
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/40 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了一种具有高K场板的氮化镓肖特基势垒二极管，主要解决现有技术击穿电压低、可靠性差的问题。其自下而上包括欧姆阴极金属层(1)、N+氮化镓衬底层(2)、N‑氮化镓外延层(3)及肖特基阳极金属层(4)；该肖特基阳极金属层的右上方设有金属场板层(5)，以使器件在反向工作时，将峰值电场转移，降低肖特基阳极金属层的电场，该金属场板层与N‑氮化镓外延层之间设有高K介质层(6)，以增强其介电能力；该肖特基阳极金属层、金属场板层及高K介质层的上方均设有钝化介质层(7)，以在保护电极金属的同时减小漏电电流。本发明增高了氮化镓肖特基势垒二极管的反向击穿电压，降低其反向漏电，可用于高频高功率电子设备。
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公开(公告)号：CN112736168A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202110060273.5
申请日：2021-01-18
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种非极性GaN基微型发光二极管及其制备方法，主要解决现有极性GaN基微型发光二极管中由于极化效应的影响，导致发光效率不高的问题。其自下而上包括：衬底，高温AlN成核层，n型GaN层，InxGa1‑xN/GaN多量子阱，p型GaN层，该n型GaN层和p型GaN层上分别设有n型电极和p型电极。其中：衬底采用r面蓝宝石，用以外延生长非极性a面GaN，InxGa1‑xN/GaN多量子阱为非极性，其周期数为5，且InxGa1‑xN阱层的In含量x的调整范围为0.1‑0.4。本发明消除了由极化效应造成的不良影响，进而提升了器件的发光效率，可用来制作高亮度、高分辨率和高对比度的显示器。
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公开(公告)号：CN112038411A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010922623.X
申请日：2020-09-04
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/329 , H01L29/20 , H01L29/06 , H01L21/02
摘要： 本发明公开了一种基于碳化硅衬底的垂直氮化铝PN结二极管，主要解决现有PN结二极管击穿电压低和额定功率低的问题。其自下而上包括阴极(1)、衬底(2)、n型外延层(3)、p型外延层(4)、阳极(5)，阳极的两侧与p型外延层上部的相交处设有钝化层(6)。其中，衬底采用n型高掺碳化硅，其掺杂浓度为1017-1020cm-3；n型外延层和p型外延层采用氮化铝材料，且n型外延层的掺杂浓度为1013-1019cm-3，p型外延层的掺杂浓度为1013-1019cm-3；该p型外延层两侧设有阻碍载流子迁移的高阻区。本发明抑制了反向漏电，提高了器件的击穿电压。可用作大功率的电力电子器件。
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公开(公告)号：CN111987198A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010899268.9
申请日：2020-08-31
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于Fe掺杂的GaN基横向结构发光二极管及其制备方法，主要解决现有GaN基横向结构发光二极管工作时电流集边的问题。其自下而上包括：衬底(1)，低温GaN成核层(2)，n型GaN层(3)，InxGa1-xN/AlyGa1-yN多量子阱层(4)，p型GaN层(5)和电极(6)，其中n型GaN层(3)设为三层结构，第一层是n型GaN层，第二层是Fe掺杂的n型GaN层，第三层是n型GaN层，以降低第二层的载流子浓度。本发明通过Fe掺杂减小了n型GaN层的浓度，避免了电流集边效应，实现了电流拓展，提高了器件的发光效率及可靠性，可用于高亮度照明设备及LED显示设备中。
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公开(公告)号：CN111785794A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010697623.4
申请日：2020-07-20
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/0735 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种基于ScAlN与InAlN极化插入层增强电场的N极性InGaN基太阳能电池及制备方法，主要解决现有太阳能电池光电转换效率低的问题。其包括电极及自下而上的衬底层、AlN成核层、i-GaN层、InxAl1-xN层、n型InyGa1-yN层、InzGa1-zN/GaN多量子阱层、p型GaN层和ScuAl1-uN层。除衬底外各层均采用N极性材料，以在N极性下，分别在InxAl1-xN层与n型InyGa1-yN层和ScuAl1-uN层与p型GaN层间产生强极化电场，这两种电场与太阳能电池内建电场的方向相同，能增强载流子的漂移能力，增大光生电流，提高太阳能电池的效率，可用于航空航天设备。
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公开(公告)号：CN110993684A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911169340.6
申请日：2019-11-26
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L29/417 , H01L29/872 , H01L21/329
摘要： 本发明公开了基于阴阳极环形嵌套的大功率GaN准垂直肖特基二极管及其制备方法，主要解决目前GaN准垂直肖特基二极管输出功率无法满足更高功率需求的问题。其自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)和n+型GaN层(4)，n+型GaN层(4)的上部设有n-型GaN层(5)和阴极(6)，n-型GaN层(5)的上部设有阳极(7)，该阴极和阳极采用环形嵌套结构，即阳极是以实心圆为中心，外部分布多个开口圆环的同心结构；阴极是分布在阳极环之间的多个开口圆环，形成阳极环与阴极环的同心环形交替嵌套结构。本发明降低了电场的边缘效应，提高了GaN准垂直二极管输出功率密度，可用于限幅器、微波整流和功率开关电路。
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公开(公告)号：CN110491973A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910635705.3
申请日：2019-07-15
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于SiC图形衬底的极性c面GaN薄膜及制备方法，主要解决现有GaN薄膜位错密度高、晶体质量低的问题。其包括：SiC衬底层(1)、GaN成核层(3)和c面GaN层(4)，其中SiC图形衬底表面设有按规则排列且间隔均匀的圆锥状图案，该圆锥状图案上覆盖有SiNx层(2)，衬底其余区域露出；GaN成核层(3)分布于锥状图案之间；c面GaN层(4)位于GaN成核层(3)和SiNx层(2)之上。本发明降低了GaN薄膜的位错密度，提高了器件的性能，可用于制作极性c面GaN基的光电及电子器件。
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