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公开(公告)号：CN107268075A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710496802.X
申请日：2017-06-26
申请人： 张兆民
发明人： 张兆民
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/206
摘要： 本发明涉及单晶炉生产控制技术领域，特别是一种单晶炉用自动化控制系统，包括微处理器，还包括温度传感器，所述温度传感器通过差动放大单元与微处理器输入端相连接；所述微处理器输出端通过继电器与执行机构相连接，所述执行机构与电磁阀相连接；所述微处理器通过接口模块与上位机相连接。采用上述结构后，本发明的单晶炉用自动化控制系统通过将压强传感器和温度传感器的历史数据存储在数据库中，便于更好的对拉晶进行控制；另外，本发明通过差动放大单元提高了温度传感器数据的准确性。
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公开(公告)号：CN105026624B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201380074767.2
申请日：2013-10-09
申请人： 胜高股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/04 , C30B15/206 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L29/16 , H01L29/32 , H01L29/36
摘要： 本发明提供从采用提拉法生长的硅单晶切出的直径为300mm以上的外延硅片。该外延硅片是生长时使硅单晶的各部分从800℃降温至600℃的所需时间在450分钟以下的外延硅片，间隙氧浓度为1.5×1018~2.2×1018atoms/cm3(old ASTM)，上述切出的硅片的整面由COP区域构成，外延晶片的体部在1000℃×16小时的热处理后的BMD密度为1×104/cm2以下。即使半导体器件的制造工艺中的热工艺为低温热工艺，该外延硅片也能得到充分的吸杂能力，而且不会产生外延缺陷。
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公开(公告)号：CN106435715A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610956783.X
申请日：2016-11-03
申请人： 保山新澳泰能源有限公司
发明人： 卜庆宝
CPC分类号： C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明公开了一种单晶热场梯度附加调节系统，该系统设置在单晶炉的上盖板处，且环绕内导流筒设置，该系统由多个环状部件组成，包括第一部件、第二部件、第三部件、第四部件和第五部件，第一部件、第二部件和第三部件自上而下依次设置成调温部分，调温部分相对于内导流筒呈160-180°夹角，调温部分的外侧设有保温部分，保温部分由第四部件和第五部件自内往外在水平方向上叠加而成，单晶热场的上部热场梯度的适应性调节以保证热场梯度的平滑过渡,并使晶棒本身在要求的温度区域的有合适的温度梯度以控制晶棒在某一温度区域的冷却速度，同时可以对兼顾对气体的整流。
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公开(公告)号：CN105189834A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480013120.3
申请日：2014-08-06
申请人： LG矽得荣株式会社
CPC分类号： C30B15/206 , C30B15/14 , C30B29/06 , Y10T117/1032
摘要： 本发明涉及一种利用晶种由容纳在坩埚中的硅熔体生长铸锭的装置。该装置包括：腔室，该腔室包括容放该坩埚的下部和生长的铸锭穿过的上部；以及冷却速率控制单元，该冷却速率控制单元设置在该腔室的上部以延伸到该腔室的下部，并且具有生长的铸锭穿过的孔，其中，该冷却速率控制单元包括用于保持铸锭温暖的绝热部件、设置在该绝热部件上方以冷却铸锭的冷却部件，以及设置在该绝热部件和该冷却部件之间以防止该冷却部件和该绝热部件之间热交换的阻挡部件。
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公开(公告)号：CN103429798A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012318.0
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC分类号： C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225
摘要： 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN101886289B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201010154972.8
申请日：2010-03-30
申请人： 硅电子股份公司
发明人： P·菲拉尔
IPC分类号： C30B15/00
CPC分类号： C30B15/14 , C30B13/28 , C30B15/00 , C30B15/10 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B15/305 , C30B21/06 , C30B27/02 , C30B28/10 , C30B29/06 , C30B30/04 , Y10T117/1008 , Y10T117/1068
摘要： 本发明涉及一种从熔体中生长硅单晶的方法和装置。所述方法包括：在坩埚中提供所述熔体；在熔体上施加水平磁场，所述磁场在场中心C具有磁感应B；将气体在所述硅单晶与热遮蔽体之间导向熔体自由表面；并且控制所述气体流过以基本上垂直于所述磁感应B的方向延伸的熔体自由表面区域。所述的装置包括：用于承载熔体的坩埚；用于在熔体上施加水平磁场磁系统，所述磁场在磁场中心C处具有磁感应B；围绕硅单晶的热遮蔽体，该热遮蔽体具有与面对熔体自由表面的底盖连接的低端，该低端相对于坩埚轴M具有非轴对称形状，从而在硅单晶和热遮蔽体之间导向熔体自由表面的气体被底盖驱使流过熔体自由表面，所述熔体自由表面按基本上垂直于磁感应B的方向进行延伸。
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公开(公告)号：CN103173857A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210558695.6
申请日：2012-12-20
申请人： 硅电子股份公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/04 , C30B15/206 , C30B33/02
摘要： 本发明是硅晶体基底及其制造方法。提供硅单晶基底，所述硅单晶基底在基底中有均匀的阻抗，在基底表面层有较少的BMD，并且在基底厚度的中心有适中的BMD。硅单晶基底通过切割用佐克拉斯基方法生长的硅单晶所形成，所述基底具有以下特征。硅单晶基底第一主表面中心的电阻率不低于50Ω·cm，并且第一主表面的电阻率变化率不大于3%。位于第一主表面与50μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度低于1×108/cm3。位于离第一主表面300μm深的平面与400μm深的平面之间的区域中的氧沉淀物块体微缺陷的平均密度不低于1×108/cm3且不大于1×109/cm3。
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公开(公告)号：CN101490314B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200780027056.4
申请日：2007-05-18
申请人： MEMC电子材料有限公司
发明人： M·S·库尔卡尼
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及制备单晶硅锭的方法，还涉及由其制成的锭块或晶片。在一个实施方案中，该方法包括控制生长速度v和如本文定义的有效或校正的轴向温度梯度，从而在该锭块的给定片段内，在该片段的相当大部分半径范围内，比率v/G有效或v/G校正基本接近其临界值，并在(i)固化和大约1250℃之间、和(ii)大约1250℃和大约1000℃之间控制该片段的冷却速率，以控制其中的本征点缺陷的径向并入效应，并由此在从大约锭片段的侧面向内径向延伸的环中限制附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。在这种或替代的实施方案中，可以控制轴向温度梯度和/或熔体/固体界面，以限制该环中的附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。
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公开(公告)号：CN1936112B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200610139268.9
申请日：1998-04-09
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , H01L21/3225 , Y10T117/1004 , Y10T428/21
摘要： 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括在自-填隙原子很活跃的温度范围内控制生长条件，如生长速度V、瞬时轴向温度梯度G0以及冷却速度，以避免这类聚集缺陷的形成。在晶棒形式下，从晶棒的圆周边径向朝中心轴测得的轴对称区宽度至少约为晶棒半径长度的30％，沿中心轴测得的轴对称区长度至少约为晶棒恒定直径段长度的20％。
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公开(公告)号：CN101490314A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780027056.4
申请日：2007-05-18
申请人： MEMC电子材料有限公司
发明人： M·S·库尔卡尼
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06
摘要： 本发明涉及制备单晶硅锭的方法，还涉及由其制成的锭块或晶片。在一个实施方案中，该方法包括控制生长速度v和如本文定义的有效或校正的轴向温度梯度，从而在该锭块的给定片段内，在该片段的相当大部分半径范围内，比率v/G有效或v/G校正基本接近其临界值，并在(i)固化和大约1250℃之间、和(ii)大约1250℃和大约1000℃之间控制该片段的冷却速率，以控制其中的本征点缺陷的径向并入效应，并由此在从大约锭片段的侧面向内径向延伸的环中限制附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。在这种或替代的实施方案中，可以控制轴向温度梯度和/或熔体/固体界面，以限制该环中的附聚本征点缺陷和/或氧沉淀簇的形成。
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