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公开(公告)号：CN103429798A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201280012318.0
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC分类号： C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225
摘要： 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3（ASTM’79）以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN102007234A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200980113403.4
申请日：2009-03-24
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。
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公开(公告)号：CN101080515A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200580043234.3
申请日：2005-10-21
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要： 一种单晶的制造方法，是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4，提拉二根以上单晶3之多重牵引(multi－pulling)法，针对在从原料熔液4提拉单晶3之后，没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中，将其熔解之后，提拉下一根单晶3，重复这些步骤来进行二根以上单晶3的提拉之单晶的制造方法，其特征为：在将使单晶3的晶身部成长时的提拉速度V和固液界面附近的提拉轴方向的结晶温度梯度G的比，设为V/G的情况，为了要将各个提拉的单晶3的V/G控制成规定值，按照从开始操作算起的经过时间，在开始提拉单晶之前，事前修正上述提拉速度V等的提拉条件，来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。
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公开(公告)号：CN106192000A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610807979.2
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02
CPC分类号： C01B33/02 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B29/06 , G01N21/47 , G01N21/9501 , G01N2021/4735 , H01L21/3225 , C30B15/20 , C30B33/10 , G01N21/956 , H01L21/02005
摘要： 本发明是一种单晶硅晶片，其由利用直拉法培育而成的单晶硅晶棒切割而成，其特征在于，该单晶硅晶片是由氧浓度为8×1017原子/cm3(ASTM’79)以下的单晶硅晶棒切割而成，并且，包含利用选择蚀刻未检测出FPD和LEP且利用红外散射法检测出LSTD的缺陷区域。由此，提供一种低成本、低氧浓度的晶片，所述晶片在制作器件时不会引起耐压不良或漏电不良。
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公开(公告)号：CN105008278A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010278.5
申请日：2014-01-30
申请人： 信越半导体股份有限公司 , 信越化学工业株式会社
CPC分类号： C01B32/956 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/36
摘要： 本发明提供一种碳化硅的制造方法，所述方法是在硅晶制造装置内设置碳材加热器，并在非氧化性环境下，通过所述碳材加热器加热并被容纳在容器内的硅熔体来制造硅晶，此时，在所述碳材加热器的表面附带地形成碳化硅，并通过回收该副产物碳化硅来制造碳化硅。由此，能够以低成本、低能耗来制造碳化硅。
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公开(公告)号：CN103459336A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280017986.2
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C03B20/00 , C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要： 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
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公开(公告)号：CN101910474B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880124024.0
申请日：2008-12-18
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B35/00 , Y10T117/1068
摘要： 一种单晶的制造装置根据切克劳斯基法来培育单晶，至少包括：主腔室，其容纳用以容置原料熔液的坩埚与用以加热上述原料熔液的加热器；提拉腔室，其连接设置在该主腔室的上部，成长的单晶被提拉而容置于其中；以及冷却筒，其被冷却介质强制冷却，并以包围上述提拉中的单晶的方式，从上述主腔室的至少顶部向原料熔液表面延伸；其特征在于，至少具有被嵌合在上述冷却筒的内侧上的冷却辅助筒，该冷却辅助筒具有贯通轴方向的缝隙，且向上述原料熔液表面延伸。由此，提供一种单晶制造装置，通过有效率地冷却培育中的单晶，能实现单晶的成长速度的高速化。
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公开(公告)号：CN102007234B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200980113403.4
申请日：2009-03-24
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要： 本发明关于一种单晶硅的成长方法及提拉装置，该单晶硅的成长方法根据切克劳斯基法，将单晶从已在石英坩埚内熔融的硅原料的熔融液提拉而使其成长，其特征在于：以上述石英坩埚的外壁侧为正极，并以电极侧为负极的方式，施加直流电压，一边使电流从上述电极流过一边根据上述提拉轴来使单晶硅成长；并且，该电极是与用以提拉上述单晶的提拉轴分开设置，且被浸渍于上述硅原料的熔融液中。由此，在单晶硅的成长过程中，通过使适当的结晶化层即失透发生在石英坩埚的内壁表面，同时防止锂等的碱金属混入单晶硅中，能提高单晶产率与生产性，并且在切片成芯片后的热氧化处理中，能抑制氧化膜的异常成长。
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公开(公告)号：CN103459336B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280017986.2
申请日：2012-02-15
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C03B20/00 , C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要： 本发明是一种石英玻璃坩埚的制造方法，其特征在于，其包含：步骤a，该步骤准备由石英玻璃所构成，且具有坩埚形状的坩埚基材；步骤b，该步骤利用直接法或火焰水解法(SOOT)制作合成石英玻璃材料；步骤c，该步骤将前述合成石英玻璃材料不作粉碎而加工成坩埚形状；及，步骤d，该步骤进行热处理，通过硅石粉末来粘结前述坩埚基材的内壁与前述加工成坩埚形状的合成石英玻璃材料的外壁。由此，提供一种石英玻璃坩埚及其制造方法、以及使用这种石英玻璃坩埚的单晶硅的制造方法，所述石英玻璃坩埚可以防止制造单晶硅时单晶硅产生位错，并且，具有高耐热性，可以抑制生产性、成品率的降低。
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公开(公告)号：CN101910474A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124024.0
申请日：2008-12-18
申请人： 信越半导体股份有限公司
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/20 , C30B35/00 , Y10T117/1068
摘要： 一种单晶的制造装置根据切克劳斯基法来培育单晶，至少包括：主腔室，其容纳用以容置原料熔液的坩埚与用以加热上述原料熔液的加热器；提拉腔室，其连接设置在该主腔室的上部，成长的单晶被提拉而容置于其中；以及冷却筒，其被冷却介质强制冷却，并以包围上述提拉中的单晶的方式，从上述主腔室的至少顶部向原料熔液表面延伸；其特征在于，至少具有被嵌合在上述冷却筒的内侧上的冷却辅助筒，该冷却辅助筒具有贯通轴方向的缝隙，且向上述原料熔液表面延伸。由此，提供一种单晶制造装置，通过有效率地冷却培育中的单晶，能实现单晶的成长速度的高速化。
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