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公开(公告)号：CN112236720A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980034895.1
申请日：2019-05-21
申请人： 日产化学株式会社
摘要： 提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，对所谓的高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。此外，提供适合于该抗蚀剂下层膜形成用组合物的聚合物的制造方法、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。制作一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含碳原子数6～60的芳香族化合物(A)与碳原子数3～60的含氧化合物(B)所具有的碳氧间双键的反应生成物、以及溶剂，上述含氧化合物(B)在一分子中具有1个部分结构：‑CON＜或‑COO‑，上述反应生成物中，上述含氧化合物(B)的1个碳原子连接2个上述芳香族化合物(A)。
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公开(公告)号：CN112088336A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980028515.3
申请日：2019-04-26
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
摘要： 一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有下述式(1)所示的化合物。[LxTe(OR1)y] (1)(上述式(1)中，L为除OR1以外的配体，R1为氢原子、取代或未取代的碳数1～20的直链状或碳数3～20的支链状或环状的烷基、取代或未取代的碳数6～20的芳基、和取代或未取代的碳数2～20的烯基中的任意者，x为0～6的整数，y为0～6的整数，x与y的总计为1～6，x为2以上的情况下，多个L任选相同或不同，y为2以上的情况下，多个R1任选相同或不同。)。
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公开(公告)号：CN107479338B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201610666664.0
申请日：2016-08-15
申请人： 力晶积成电子制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 本发明公开一种结构上的光致抗蚀剂图案制作工艺，包括：提供基底，此基底包括第一区以及多个第二区，其中第二区位于第一区的相对两侧，且多个突起图案形成于基底上；在第一区上形成光致抗蚀剂图案，其中当突起图案至少位于第一区上且与待形成的光致抗蚀剂图案的位置重叠时，在形成光致抗蚀剂图案之前，移除突起图案。
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公开(公告)号：CN111788176A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201880090466.1
申请日：2018-11-21
申请人： 三菱瓦斯化学株式会社
IPC分类号： C07C235/76 , C08G16/02 , G03F7/11 , G03F7/26 , C07D207/448
摘要： 下述式(0)所示的化合物。(上述式(0)中，RX表示碳数1～70的2nA价的基团或单键，R1A各自独立地表示任选具有取代基的碳数1～30的烷基、任选具有取代基的碳数6～30的芳基、任选具有取代基的碳数2～30的交联基团、任选具有取代基的碳数1～30的烷氧基、任选具有取代基的碳数4～30的马来酰胺酸基、任选具有取代基的碳数4～30的马来酰亚胺基、卤素原子、硝基、任选具有取代基的碳数0～30的氨基、羧基、巯基、及羟基中的任意者，R1A为前述烷基、前述芳基、前述交联基团及前述烷氧基中的任意基团时，任选包含选自由醚键、酮键、及酯键组成的组中的至少1种键，R1A中的至少1者为任选具有取代基的碳数4～30的马来酰胺酸基、及任选具有取代基的碳数4～30的马来酰亚胺基中的任意者，X表示氧原子或硫原子、或者不存在，R各自独立地表示苯环、萘环、及蒽环中的任意者，m各自独立地为0～9的整数，此处，m中的至少1个为1～9的整数，nA为1～4的整数。)
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公开(公告)号：CN111683736A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN201980011497.8
申请日：2019-02-26
申请人： 富士胶片株式会社
IPC分类号： B01D61/14 , B01D61/18 , B01D61/58 , B01D65/02 , B01D69/12 , B01D71/32 , B01D71/82 , G03F7/26 , G03F7/32 , H01L21/304
摘要： 本发明的课题在于提供一种能够制造具有优异的缺陷抑制性能的药液的过滤装置。并且，课题还在于提供一种纯化装置及药液的制造方法。一种过滤装置，其用于将被纯化液进行纯化而得到药液，所述过滤装置具有：流入部；流出部；过滤器A；与过滤器A不同的至少1个过滤器B；及串联配置有过滤器A及过滤器B的从流入部至流出部的流路，其中，过滤器A具有多氟烃制的多孔基材；及包覆层，以覆盖多孔基材的方式配置且含有具有吸附性基团的树脂。
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公开(公告)号：CN111681982A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010557544.3
申请日：2020-06-18
申请人： 芯米(厦门)半导体设备有限公司
发明人： 许志雄
IPC分类号： H01L21/677 , G03F7/26
摘要： 本发明公开了一种晶圆传递装置，其利用第一机械臂传递处于高温状态的晶圆，利用第二机械臂传递处于冷却状态的晶圆，这样避免了同一个机械臂既传递处于高温状态的晶圆又传递处于冷却状态的晶圆，进而提高晶圆在各工艺步骤过程中的温度稳定性和均一性；同时减少了一个任务周期内单个机械臂运转的次数，从而延长了单个机械臂的使用期限，也即延长了整个晶圆传递装置的使用期限，提升了半导体生产的稳定性、效率及产品良率；将该晶圆传递装置运用到光阻涂布显影设备中，与光阻涂布显影设备的多层机架配合，多层机架上沿竖直方向设有冷却盘单元、热盘单元，对应第一机械臂和第二机械臂，配合作业，实现了设备整体的高契合度。
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公开(公告)号：CN111670177A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201980010872.7
申请日：2019-10-11
申请人： 株式会社LG化学
IPC分类号： C07C309/23 , C07C321/10 , G03F7/004 , G03F7/032 , G03F7/26
摘要： 本说明书提供了化合物、包含其的光致抗蚀剂组合物、包含其的光致抗蚀剂图案和用于制备光致抗蚀剂图案的方法。
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公开(公告)号：CN104914672B
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201510319140.X
申请日：2015-06-11
申请人： 中国科学院化学研究所
摘要： 本发明涉及一种底部抗反射涂料组合物，包括：含两个或两个以上羟基结构的分子玻璃化合物、含两个或两个以上乙烯基醚封端的乙烯基醚类化合物、以及任选的产酸剂。该组合物可用于G线、365nm、248nm、193nm等光刻工艺中。可有效减小光反射作用，从而提高光刻图形的分辨率，降低线边缘粗糙度，并且不需要增加额外的刻蚀工艺将其除去。另外，本发明还涉及一种使用上述抗反射涂料组合物来形成正像的方法。
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公开(公告)号：CN111433886A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201880077107.2
申请日：2018-11-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 姜浩英
IPC分类号： H01L21/02 , G03F7/26 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要： 处理室系统包括被配置成将衬底固定在第一处理室内的衬底安装模块。该系统还包括被配置成将感光膜施加至衬底的正侧表面的第一沉积模块以及被配置成将膜层施加至衬底的背侧表面的第二沉积模块。正侧表面与衬底的背侧表面相反。衬底具有裸露的背侧表面，该裸露的背侧表面具有第一摩擦系数。在衬底的背侧表面上形成膜层。形成在衬底的背侧表面上的膜层具有第二摩擦系数。第二摩擦系数低于第一摩擦系数。
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公开(公告)号：CN108073034B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201610999881.1
申请日：2016-11-14
申请人： 大连理工大学 , 珠海赛纳打印科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜及制备方法和应用。本发明的具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜的制备方法，包括如下顺序进行的步骤：在具有PDMS层的基底上涂覆SU‑8光刻胶，前烘；采用掩膜进行间隙曝光，后烘，使SU‑8光刻胶层呈弱交联状态；显影，从PDMS层上剥离SU‑8光刻胶层，得到具有微型锥孔的SU‑8光刻胶薄膜。本发明的SU‑8光刻胶薄膜具备键合能力，从而无需借助粘结剂即可直接与腔室壁键合连接，利用该SU‑8光刻胶薄膜制造打印头时工艺简单，喷孔不易脱落及堵塞。
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