公开(公告)号：CN103778958B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201310487893.2

申请日：2013-10-17

Applicant: 三星电子株式会社 ,  浦项工科大学校产学协力团

Inventor： 申东旻 ,  梁景喆 ,  任胜灿 ,  李起准 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/06

CPC classification number: G06F12/00 ,  H03M13/1111 ,  H03M13/1191 ,  H03M13/13 ,  H03M13/6362 ,  H04L1/0009

Abstract: 一种控制器的操作方法包括：选择码字的要打孔的位；根据要打孔的位的位置和生成矩阵计算单元的结构，检测输入字的无用位的位置；重新冻结输入字以便使冻结位和输入字的无用位重叠；通过根据重新冻结结果用冻结位取代信息字位来生成输入字位；通过对输入字位进行生成矩阵计算来生成码字；通过根据要打孔的位的位置对码字打孔来生成输出位；以及将输出位发送给非易失性存储器件。

公开(公告)号：CN103544993B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310291074.0

申请日：2013-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  金钟河 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C16/16 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0253 ,  G06F2212/7205 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/3445

Abstract: 一种非易失性存储器件的擦除方法包括设置擦除模式，以及根据设置的擦除模式执行正常擦除操作和快速擦除操作之一。正常擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第一擦除验证电平的擦除状态。快速擦除操作被执行以便将存储单元的阈值电压设置为低于第二擦除验证电平的伪擦除状态。第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平。

公开(公告)号：CN107797935A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710790427.X

申请日：2017-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东焕 ,  孔骏镇 ,  权成南 ,  卢承京 ,  薛昶圭 ,  孙弘乐 ,  尹弼相 ,  李东起 ,  李熙元

IPC: G06F12/02 ,  G06F12/0866 ,  G11C7/10 ,  G11C7/24

CPC classification number: G06F3/0659 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0619 ,  G06F3/0656 ,  G06F3/0679 ,  G06N20/00 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G06F12/0246 ,  G06F12/0866 ,  G11C7/1057 ,  G11C7/1084 ,  G11C7/24

Abstract: 本发明提供了一种存储装置，其可包括非易失性存储器装置、缓冲器存储器和控制器。控制器可利用缓冲器存储器对非易失性存储器装置执行第一访问；在缓冲器存储器中收集第一访问的访问结果信息和访问环境信息；以及基于在缓冲器存储器中收集的访问结果信息和访问环境信息，通过执行机器学习来产生访问分类器，访问分类器预测对非易失性存储器装置的第二访问的结果。

公开(公告)号：CN107025945A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710022359.2

申请日：2017-01-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈东燮 ,  尹弼相 ,  孙弘乐 ,  孔骏镇 ,  沈荣燮 ,  韩真晚

IPC: G11C16/34

CPC classification number: G11C16/26 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0653 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0679 ,  G11C7/02 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/0466 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/28 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C29/50004 ,  G11C2029/0409 ,  H05K999/99 ,  G11C16/3404

Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。

公开(公告)号：CN102694554B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201110453646.1

申请日：2011-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庆来 ,  尹燦湖 ,  孔骏镇 ,  尹弼相

IPC: H03M7/30

CPC classification number: H03M7/30 ,  H03M7/6088

Abstract: 一种操作数据压缩设备的方法包括：在数据由输入缓冲器缓冲时使用分析器分析数据并产生分析的结果，并且根据分析的结果选择性地压缩被缓冲的数据。一种数据压缩设备包括：数据模式分析器，被配置成分析传送到输入缓冲器的数据，并基于数据的分析产生分析码；和，数据压缩管理器，被配置成基于分析码选择性地压缩输入缓冲器中的数据。

公开(公告)号：CN106469570A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610694501.3

申请日：2016-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  孔骏镇 ,  孙弘乐 ,  尹弼相

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34 ,  G06F3/06

Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器件，包括多个存储器单元，该存储器单元被划分为多个页面；以及控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储器件被配置为：收集要被写入到两个或更多个页面的两个或更多个写入数据分组，基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面同时地执行公共写入操作，以及基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面中的每个顺序地执行单独的写入操作。

公开(公告)号：CN101727981B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN200910204682.7

申请日：2009-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容俊 ,  金宰弘 ,  赵庆来 ,  宋承桓 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/02

CPC classification number: G11C16/16

Abstract: 非易失性存储器设备包括在擦除非易失性(例如，快闪)存储器单元块的操作期间支持存储器单元的恢复。非易失性存储器系统包括快闪存储器设备以及电耦接到快闪存储器设备的存储器控制器。存储器控制器被配置为，通过将第一指令发布到快闪存储器设备、接着将第二指令发布到快闪存储器设备来控制快闪存储器设备内的存储器单元的恢复操作，将第一指令发布到快闪存储器设备导致存储器块中的擦除的存储器单元变为至少部分地编程的存储器单元，将第二指令发布到快闪存储器设备导致至少部分地编程的存储器单元变为全部地被擦除。

公开(公告)号：CN103226975A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310031305.4

申请日：2013-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴银珠 ,  金宰弘 ,  金钟河 ,  孔骏镇

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

CPC classification number: G11C11/5635 ,  G11C16/14 ,  G11C29/82

Abstract: 公开了一种存储设备、存储系统、块管理方法、编程和擦除方法。在一个实施例中，一种方法包括覆写存储m位数据的存储单元以存储n位数据，其中n小于或等于m。当存储m位数据时存储单元具有第一多个编程状态中的一个，而当存储n位数据时存储单元具有第二多个编程状态中的一个。第二多个编程状态包括不在第一多个编程状态中的至少一个编程状态。

公开(公告)号：CN1173481C

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN00127003.6

申请日：2000-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元熙 ,  孔骏镇 ,  权宅元 ,  金大原 ,  崔峻林

IPC: H03M13/41 ,  H03M13/23

CPC classification number: H03M13/4107 ,  H03M13/2707 ,  H03M13/2957 ,  H03M13/4146 ,  H03M13/4153 ,  H03M13/4169 ,  H03M13/6505

Abstract: 一种两步软输出维特比算法解码器，包括：支路量度单元，计算接收数据的支路量度；状态量度存储器，存储所有状态的状态量度；相加-比较-选择单元，当前时间单元的各支路量度与前一时间的相加，满足条件的和被存储，输出和之间的差作为增量值，及输出选择器位；幸存状态输出单元，输出幸存状态；软输出维特比算法状态量度单元，获得第一幸存路径末端的幸存状态，及第一幸存路径的软判决值，找第二幸存路径和并发路径，更新第二幸存路径软判决值，输出第二幸存路径的硬和软判决值。

公开(公告)号：CN1167201C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN98103634.1

申请日：1998-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孔骏镇 ,  崔圣汉

IPC: H03M13/12

CPC classification number: H03M13/6569 ,  H03M13/35 ,  H03M13/4107 ,  H03M13/413

Abstract: 一种使用零状态度量值的维特比解码数据质量计算装置，包括：维特比解码器、零状态度量值寄存器和质量估算单元。基于维特比解码器输出的输入解调数据的零状态度量值，在四种传输速率中确定具有最小零状态度量值的速率为实际传输速率。因此，与使用误码率作为质量估算参数的质量计算装置相比较，将零状态度量值用作质量估算参数，能正确实现质量估算，从而避免了确定传输速率方面的差错。