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公开(公告)号:CN108511525A
公开(公告)日:2018-09-07
申请号:CN201710748871.5
申请日:2017-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。
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公开(公告)号:CN108242425A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711191152.4
申请日:2017-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L29/0649
Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面,第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面,第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。
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公开(公告)号:CN107452799A
公开(公告)日:2017-12-08
申请号:CN201710362546.5
申请日:2017-05-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/775 , H01L29/10 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0653 , H01L29/0673 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/775 , H01L29/78 , H01L29/1033 , H01L29/42356 , H01L29/66477
Abstract: 本公开涉及晶体管及半导体器件。一种晶体管包括漏极、源极、栅电极以及源极和漏极之间的纳米线。该纳米线具有有第一厚度的第一部分和有大于第一厚度的第二厚度的第二部分。第二部分在第一部分与源极和漏极中的至少一个之间。当电压被施加到栅电极时,第一纳米线包括沟道。
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公开(公告)号:CN106057891A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610197247.6
申请日:2016-03-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/7849 , H01L27/0886 , H01L29/0649 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/785 , H01L29/0603 , H01L29/0684 , H01L29/1025 , H01L29/1037
Abstract: 公开了一种半导体器件,该半导体器件包括:缓冲层,在基底上,缓冲层具有与基底的晶格常数不同的晶格常数;鳍状结构,从缓冲层向上突出;栅电极,横跨鳍状结构之上;包覆层,在鳍状结构的侧面并覆盖鳍状结构的顶表面和侧壁;以及界面层,在包覆层和鳍状结构之间,界面层包括与缓冲层相同的元素。
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公开(公告)号:CN105826387A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201610037286.X
申请日:2016-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L29/161 , H01L29/78 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/06 , H01L29/1033
Abstract: 提供了半导体衬底和半导体器件。所述半导体衬底包括底部衬底、底部衬底上的第一硅锗层以及第一硅锗层上的第二硅锗层。第二硅锗层的锗分率在离开底部衬底的方向上减小,并且第二硅锗层的最下面部分的锗分率大于第一硅锗层的最上面部分的锗分率。
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公开(公告)号:CN101409107B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200810148926.X
申请日:2008-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5621 , G11C2211/5648
Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法,所述方法包括:通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程,所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值,则第二电压电平与第一电压电平相同,如果第二位是第二值,则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。
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公开(公告)号:CN101630068A
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200910141280.7
申请日:2009-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G02B27/2214
Abstract: 一种立体图像显示设备,其包括显示面板和图像转换片。所述显示面板包括多个像素单元。每个像素单元具有在第一方向上延伸的Z形状。所述图像转换片包括多个透镜单元。每个透镜单元在第一方向上延伸,并被设置在不同于第一方向的第二方向上。多个透镜单元被彼此平行地设置。
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公开(公告)号:CN101566771A
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200910006221.9
申请日:2009-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L21/84 , H01L27/12
CPC classification number: G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/13624 , G02F2001/134345
Abstract: 一种显示装置包括多个像素区域。每个像素区域包括第一子像素区域、第二子像素区域和升压电容器。第一子像素区域和第二子像素区域电连接至升压电容器。升压电容器使第一和第二子像素区域的电压处于不同的电压,以增加显示装置的视角。升压电容器的一个电极(耦合电极)形成在由不透明金属制成的存储电容线上方,使得在不减小像素区域的孔径比的情况下就可以形成附加的升压电容器(Cboost)。本发明还提供了其它特征。
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公开(公告)号:CN101446723A
公开(公告)日:2009-06-03
申请号:CN200810178803.0
申请日:2008-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/13624 , G02F1/1393 , G02F2001/134345 , G09G3/3659 , G09G2300/0443 , G09G2300/0447 , G09G2300/0814 , G09G2300/0842 , G09G2320/068
Abstract: 本发明公开了一种液晶显示器,其包括彼此并行排列并顺序传送栅电压的第一和第二栅线;与第一和第二栅线交叉并传送数据电压的数据线;由第一和第二子像素电极构成、并彼此电断开的像素电极;连接到第一栅线、数据线和第一子像素电极的第一开关元件;连接到第一栅线、数据线和第二子像素电极的第二开关元件;穿过电荷共享电容器连接到第一子像素电极的第三开关元件;以及连接到第二栅线和第二子像素电极、并穿过电荷共享电容器连接到第一子像素电极的第四开关元件。
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