半导体器件
    51.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108511525A

    公开(公告)日:2018-09-07

    申请号:CN201710748871.5

    申请日:2017-08-28

    Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括鳍型有源区、纳米片、栅极、源极/漏极区和绝缘间隔物。鳍型有源区从衬底突出并在第一方向上延伸。纳米片与鳍型有源区的上表面间隔开并包括沟道区。栅极在鳍型有源区之上。源极/漏极区连接到纳米片。绝缘间隔物在鳍型有源区上以及在纳米片之间。气隙基于绝缘间隔物的位置在绝缘间隔物与源极/漏极区之间。

    集成电路器件及制造其的方法

    公开(公告)号:CN108242425A

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201711191152.4

    申请日:2017-11-24

    CPC classification number: H01L27/0886 H01L27/1116 H01L29/0649

    Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面,第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面,第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。

    对非易失性存储单元编程的方法

    公开(公告)号:CN101409107B

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN200810148926.X

    申请日:2008-09-17

    CPC classification number: G11C11/5628 G11C2211/5621 G11C2211/5648

    Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法,所述方法包括:通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程,所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值,则第二电压电平与第一电压电平相同,如果第二位是第二值,则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。

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