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公开(公告)号：CN103081074A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180041727.9
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3081 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/2041 , H01J37/32192 , H01L21/0212 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0276 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31122
Abstract: 在作为被处理基板的硅基板上，形成碳氟化合物层(A)。在所形成的碳氟化合物层上形成抗蚀层(B)。然后，对抗蚀层进行利用光致抗蚀剂的曝光，以规定的形状进行图案化(C)。将以规定的形状进行了图案化的抗蚀层作为掩模，进行碳氟化合物层的蚀刻(D)。接着，去除作为掩模的抗蚀层(E)。然后，将所残留的碳氟化合物层作为掩模，进行硅基板的蚀刻(F)。由于仅碳氟化合物层一层就具备作为防反射膜和硬掩模的功能，因此可以提高处理的可靠性并且可以廉价地进行。
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公开(公告)号：CN101278073B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200680036514.6
申请日：2006-12-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , C23C14/24 , H05B33/10
CPC classification number: C23C16/4481
Abstract: 本发明提供原料供应装置，该原料供应装置将原料蒸发或升华并将其供应到蒸镀装置的处理容器中，该原料供应装置具有在内部保存所述原料的原料容器、向所述原料容器的内部供应运载气体的气体流入口、以及将与所述运载气体一起被蒸发或升华的所述原料供应到所述处理容器的气体排出口，其中在所述原料容器的内部设置气流控制部，用于控制所述运载气体的流动。
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公开(公告)号：CN101316946B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200680044543.7
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065 , C23C16/511
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置，具有处理容器、载置台、顶板、平面天线构件和同轴波导管；该处理容器的顶部有开口，内部可被抽真空；该载置台设置在上述处理容器内，用于载置被处理体；该顶板气密地安装在上述顶部的开口处，由透过微波的电介体形成；该平面天线构件设置在上述顶板的上表面，用于向上述处理容器内导入微波；该同轴波导管具有与上述平面天线构件的中心部连接的中心导体，用于供给微波；其特征在于，以贯通上述中心导体、上述平面天线构件的中心部和上述顶板的中心部的方式形成气体通路，在上述顶板的中心区域的上表面侧设置用于衰减该顶板的中心部的电场强度的衰减电场用凹部。
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公开(公告)号：CN101347051B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200780000945.1
申请日：2007-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32211
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法，该等离子体处理装置的特征在于，包括：顶部开口且内部能够抽真空的处理容器；用于载置被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；气密地安装于所述顶部的开口、由透过微波的电介质构成的顶板；向所述处理容器内导入必要的气体的气体导入单元；设置在所述顶板的中央部的上面，用于将规定的传播模式的微波向所述处理容器内导入而形成有微波发射用槽的平面天线部件；设置在所述顶板的周边部的上面，用于向所述处理容器内导入传播模式与通过所述平面天线部件导入的微波不同的微波而形成有微波发射用槽的开槽波导管；和将微波供给所述平面天线部件和所述开槽波导管的微波供给单元。
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公开(公告)号：CN101953236A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200980105252.8
申请日：2009-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32192 , H01J37/32211 , H01J37/3222 , H01J37/32238
Abstract: 等离子体处理装置的等离子体产生室被顶板(3)封堵。顶板(3)在朝向等离子体产生室侧的面上设置凹部(3A)，在相反侧的面上具有中心部的凹部(3B)。在顶板(3)上耦合有天线(4)。在天线上连接有导波管。当从导波管供应微波时，供应的微波在天线之间向径向传播，并从天线的缝隙辐射。微波在顶板(3)中传播而具有极化面，作为整体形成圆极化波。此时，在顶板(3)具有的凹部(3A)的侧面产生微波的共振吸收，在凹部(3A)的内部以单一的模式传播。在具有多个的凹部(3A)各自的内部形成强的等离子体，并在顶板(3)中使等离子模式稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101036420B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200580034145.2
申请日：2005-10-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/31 , C23C16/511
CPC classification number: C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/32266
Abstract: 本发明提供一种微波等离子体处理装置，能够根据处理条件等的变化，容易地确保等离子体的均匀性和稳定性。是一种利用微波在所述腔室内形成处理气体的等离子体，利用该等离子体对被处理体进行等离子体处理的微波等离子体处理装置(100)，在由覆盖微波透过板(28)的外周的导电体构成的板(27)上，形成两个以上的孔(42)，该孔从微波透过板(28)的端部向着其内部，传送微波，通过体积调节机构(43、45)来调节孔的体积，在将微波透过板(28)分割成各孔(42)所属于的每个单元的情况下，调节各单元的阻抗，控制微波透过板(28)的电场分布。
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公开(公告)号：CN100541729C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200580032890.3
申请日：2005-08-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/32082 , H01J37/32192
Abstract: 一种用于处理衬底的等离子体处理系统包括包含第一室部分和第二室部分的处理室，第一室部分被配置为接收用于提供等离子体空间的第一气体，第二室部分被配置为接收用于提供处理空间的第二气体，第二气体具有处理化学剂以处理衬底。衬底夹持器耦合到处理室的第二室部分，并且被配置为支撑紧邻处理空间的衬底，等离子体源耦合到处理室的第一室部分，并且被配置为在等离子体空间中形成等离子体。栅格位于等离子体空间和处理空间之间，并且被配置为允许等离子体空间和处理空间之间的等离子体扩散以基于处理气体形成处理化学剂。
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公开(公告)号：CN100494487C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200480010572.2
申请日：2004-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 寒川诚二
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32192 , C23C16/452 , C23C16/5096 , C23C16/511 , H01J37/32357 , H01L21/3145
Abstract: 本发明的成膜装置(10)包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室(14)；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室(20)；和具有多个孔且分离等离子体产生室(14)与成膜室(20)的分离板(17)。分离板(17)的孔的直径是使得等离子体产生室(14)的压力比成膜室(20)的压力高2.0倍以上的尺寸。成膜装置(10)进一步包括在等离子产生室(14)与成膜室(20)之间施加规定的偏压的装置。
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公开(公告)号：CN101390450A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200780006400.1
申请日：2007-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L51/0008 , C23C14/12 , C23C14/20 , C23C14/228 , C23C14/243 , C23C14/34 , C23C14/568 , H01L51/0021 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和发光元件的制造方法。上述成膜装置的特征在于，包括：在内部具有保持被处理基板的保持台的处理容器；使含有金属的成膜原料蒸发或者升华而生成气体原料、且设置在上述处理容器的外部的气体原料生成部；向上述处理容器内供给上述气体原料的气体原料供给部；和将上述气体原料从上述气体原料生成部输送至上述气体原料供给部的输送通路，以在上述被处理基板上的包括发光层的有机层上形成含有金属的层的方式构成。
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公开(公告)号：CN101379594A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200780005013.6
申请日：2007-01-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32477
Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。该等离子处理装置可防止在使用了等离子的处理容器内堆积不需要的附着膜。该装置包括：处理容器(34)，其内部可抽成真空，且具有开口的顶部(54a)、侧壁(34a)和底部(34b)；载置台(36)，其为了载置被处理体(W)而设置在上述处理容器(34)内；顶板(54)，其气密地安装于顶部(54a)，由可使微波透过的电介体构成；平面天线构件(58)，其设置于顶板(54)的上表面上，用于向处理容器内导入微波；微波供给部件(60)，其用于向平面天线构件供给微波；气体导入部件(44)，其用于向处理容器(34)内导入必要的处理气体。在处理容器(34)内，与易于堆积不需要的附着膜的部分相对应地设置自顶板(54)延伸的由电介体制的膜附着防止部件(78)。膜附着防止部件(78)由棒状构件(104)构成。
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