公开(公告)号：CN109473506A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811243151.4

申请日：2018-10-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  刘冠宇 ,  杨悦昆 ,  张苗 ,  薛忠营

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种高敏感度中红外光电探测器及其制备方法，包括如下步骤：1)提供一基底；2)于基底的上表面形成石墨烯层；3)于石墨烯层的上表面形成量子点；4)于形成有量子点的石墨烯层上表面形成第一电极及第二电极，第一电极与第二电极之间具有导通沟道区域；5)去除导通沟道区域之外裸露的量子点及导通沟道区域之外裸露的石墨烯层，并保留位于导通沟道区域内的量子点及石墨烯层。本发明通过在石墨烯层上生长量子点，可以显著提高石墨烯层在中红外波段的探测灵敏度，在中红外探测领域具有广阔的应用前景；同时，可以减少了载流子复合，提高了载流子寿命，因此可以提升光探测器件的响应灵敏度。

公开(公告)号：CN108933183A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810715873.9

申请日：2018-07-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学 ,  复旦大学

Inventor： 狄增峰 ,  马喆 ,  薛忠营 ,  张苗 ,  梅永丰

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/028

Abstract: 本发明提供的基于硅-石墨烯的光电探测器的制备方法，采用柔软的固定层作为光电探测器的衬底，提高了器件的柔性；另外采用SOI衬底作为制备探测器的前驱，使用SOI衬底的顶层硅以及石墨烯作为异质结，石墨烯只有一个原子厚度，同时顶层硅的厚度也很小，所以释放后，探测器的柔性效果更佳，进一步提高了整个器件的柔性，扩大了探测器的使用场景，使探测器可以应用到未来的可穿戴设备中；最后，SOI衬底的图形化加工及第一金属电极及第二金属电极的形成均与CMOS工艺兼容，从而大大简化了制备过程，降低成本。

公开(公告)号：CN108862252A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810736450.5

申请日：2018-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  中国科学院大学

Inventor： 张苗 ,  高敏 ,  韩晓雯 ,  贾鹏飞 ,  薛忠营 ,  狄增峰

IPC: C01B32/186 ,  C01B32/194

Abstract: 本发明提供一种利用离子注入制备掺杂石墨烯的方法，所述方法包括，提供一衬底，于所述衬底上使用CVD工艺进行石墨烯生长，形成石墨烯层；于所述石墨烯层上形成一保护层，所述保护层完全覆盖所述石墨烯层；使用离子注入技术通过所述保护层向所述石墨烯层中注入掺杂元素；除去所述保护层，裸露出所述石墨烯层；使用CVD工艺对裸露出的所述石墨烯层进行石墨烯修复生长，以修复所述石墨烯中由于离子注入引起的缺陷，进而形成掺杂石墨烯层。利用本发明的技术方案，可制备可控掺杂量的n型或p型的高质量石墨烯，可通过控制注入区域，制备图案化掺杂的石墨烯；本发明的技术方案可适用于使用CVD工艺在衬底X上生长的石墨烯的掺杂，应用范围广。

公开(公告)号：CN104752309B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201310732418.7

申请日：2013-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  母志强 ,  陆子同

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供种剥离位置精确可控的绝缘体上材料的制备方法,包括以下步骤:S1:提供Si衬底,在其表面外延生长掺杂单晶层;所述掺杂单晶层厚度大于15 nm;S2:在所述掺杂单晶层表面外延生长单晶薄膜;S3:在所述单晶薄膜表面形成SiO层;S4:进行离子注入,使离子峰值分布在所述SiO层以下预设范围内;S5:提供表面具有绝缘层的基板与所述单晶薄膜表面的SiO层键合形成键合片,并进行退火以使所述键合片在预设位置剥离,得到绝缘体上材料。本发明利用较厚掺杂单晶层对注入离子的吸附作用,并控制注入深度,使剥离界面为所述掺杂单晶层的上表面、下表面或其中离子分布峰值处,从而达到精确控制剥离位置的目的。

公开(公告)号：CN107871780A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201711155137.4

申请日：2017-11-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 薛忠营 ,  赵兰天 ,  赵清太 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L29/775 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管结构及制备方法，制备包括提供基底，于基底表面沉积由至少一层第一材料层及至少一层第二材料层；定义有源区和浅沟槽隔离区；刻蚀有源区形成沟道区及源区和漏区；腐蚀沟道区内的第一材料层或第二材料层，得到至少一条纳米线沟道；于纳米线沟道表面沉积介质层和栅极结构层；于栅极结构层、源区以及漏区表面制作栅电极、源电极以及漏电极，完成所述场效应晶体管的制备。通过上述方案，以堆叠的Si或SiGe材料层形成三维堆叠的环栅纳米线沟道，在相同的平面区域上，增加沟道截面积，增强器件的性能，增强栅控能力并增强器件的稳定性，在减小器件尺寸的同时增强载流子输运能力、提高器件性能，省略源漏掺杂步骤，工艺过程简单。

公开(公告)号：CN104934294B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201410100517.8

申请日：2014-03-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  孙高迪 ,  陈达 ,  郭庆磊 ,  母志强 ,  董林玺 ,  张苗

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种绝缘体上应变薄膜结构，包括半导体衬底、形成于所述半导体衬底上的埋氧层及形成于所述埋氧层上的顶层应变半导体层；所述顶层应变半导体层中形成有预设图形微结构；所述微结构包括一主体及分布于所述主体边缘的至少两条桥线；所述微结构下方的埋氧层被挖空，所述微结构处于悬空状态；所述桥线处于拉伸状态。本发明通过图形化在绝缘体上应变半导体层中形成预设图形微结构，并通过腐蚀去除微结构下方的埋氧层，使得微结构悬空，得到了悬浮条件下顶层应变半导体层的应力分布，从而改变顶层半导体层中微结构本身的固有应力，实现应力的调控。通过切断微结构的部分桥线，可以进一步增加应力，制备得到高质量、大应力的纳米应变薄膜。

公开(公告)号：CN105088179B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201510532604.5

申请日：2015-08-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  戴家赟 ,  王刚 ,  郑晓虎 ,  薛忠营 ,  汪子文 ,  张苗

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge‑H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一键合基底，将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合，得到键合片；微波处理所述键合片，以使所述Ge‑H键断裂，生成氢气，使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离，转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上，无需经过湿法反应过程，减少了缺陷的引入，且能够最大程度保留了石墨烯的完整性，特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用，有利于节省材料，更为环保。

公开(公告)号：CN104517883B

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201310447631.3

申请日：2013-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  薛忠营 ,  王刚 ,  母志强 ,  叶林

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明提供一种利用离子注入技术制备绝缘体上半导体材料的方法，包括步骤：1）于第一衬底表面形成掺杂的单晶薄膜；2）于单晶薄膜表面形成缓冲层及顶层半导体材料；3）将杂质离子注入至单晶薄膜；4）将剥离离子注入至单晶薄膜下方第一衬底中的预设深度的位置；5）键合所述顶层半导体材料与具有绝缘层的第二衬底；6）进行退火处理，使所述第一衬底与所述缓冲层从该单晶薄膜处分离，去除所述缓冲层。本发明结合了离子共注与掺杂单晶薄膜剥离的双重作用，有效的降低了剥离剂量。注入杂质离子使单晶薄膜产生应力增加其吸附能力，H离子注入退火后实现剥离，剥离发生在超薄的单晶薄膜处，裂纹很小，可获得高质量的绝缘体上半导体材料。

公开(公告)号：CN106904600A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510952655.3

申请日：2015-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  汪子文 ,  戴家赟 ,  王刚 ,  郑晓虎 ,  薛忠营 ,  张苗 ,  王曦

IPC: C01B32/186

CPC classification number: C01B2204/02 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03

Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上制备连续单层石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于所述绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）以所述锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的连续石墨烯。本发明通过绝缘衬底上锗薄膜催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上单层连续石墨烯，克服了传统工艺采用转移方法制备绝缘体上石墨烯所带来的如污染、皱褶等影响，提高了绝缘体上石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得大面积单层连续石墨烯。本发明步骤简单，效果显著，在石墨烯制备领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN106328502A

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201510355810.3

申请日：2015-06-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张波 ,  孟骁然 ,  俞文杰 ,  狄增峰 ,  张苗

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  C30B29/10

CPC classification number: H01L21/26513 ,  H01L21/3245

Abstract: 本发明提供一种SiGeSn材料及其制备方法，制备方法包括以下步骤：提供衬底，所述衬底包含SiGe层；向所述SiGe层内注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体；将注入后的所述衬底进行退火处理。本发明的SiGeSn材料及其制备方法相较于现有技术具有成本低廉、工艺简单、质量更好、更利于大规模生产的优点。