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公开(公告)号：CN107359105B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710624010.6
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01J37/32 , C23C16/455
Abstract: 本公开涉及了一种处理腔室和控制朝向基板支撑组件引导的气体的量的方法。喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
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公开(公告)号：CN109716497A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN104995726B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201480008665.5
申请日：2014-02-07
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67248 , G01K1/08 , G01K1/14 , G01K7/02 , G01K7/16 , G01K13/00 , H01L21/68742 , H01L21/68792
Abstract: 本公开的实施例大体上提供用于监测各个位置处的个或更多个制程参数(诸如基板支撑件的温度)的设备及方法。本公开的个实施例提供种用于测量处理腔室中的或更多个参数的传感器柱。传感器柱包括:用于接触正经测量的腔室部件的尖端;具有自第端及第二端延伸的内容积的保护管,其中该尖端附接于保护管的第端并在第端处密封保护管;及安置于尖端附近的传感器。在保护管的内容积中安放传感器的连接器,及在操作期间经由处理腔室的开口将尖端安置于处理腔室中。
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公开(公告)号：CN106133873A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013445.6
申请日：2015-02-17
Applicant: 应用材料公司
Inventor： G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , R·萨卡拉克利施纳 , R·金 , D·R·杜鲍斯 , K·H·弗劳德 , A·K·班塞尔 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/02
Abstract: 提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
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公开(公告)号：CN104685608A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201380049420.2
申请日：2013-09-23
Applicant: 应用材料公司
Inventor： J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , 周建华 , R·萨卡拉克利施纳 , M·A·阿优伯 , 陈建
IPC: H01L21/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/30 , H01J37/32091 , H01J37/32532
Abstract: 提供一种用于等离子体处理基板的装置。装置包含了处理腔室、设置于处理腔室里的基板支撑件，以及与处理腔室耦合的盖组件。盖组件包含了与电源耦合的导电性气体分配器。调节电极可设置在导电性气体分配器与腔室体之间用来调整等离子体的接地电路。第二调节电极可与基板支撑件耦合，且偏压电极亦可与基板支撑件耦合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN205954106U
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201620335567.9
申请日：2016-04-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： T·A·恩古耶 , A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹
IPC: C23C16/458 , C23C14/50 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/0226 , H01L21/68742 , H01L21/68792 , H01L22/12
Abstract: 公开了一种半导体处理系统中的外部基板旋转。本文公开一种用于处理半导体的设备。在一个实施例中，公开了一种用于半导体处理的处理系统。处理腔室包括两个传送腔室、处理腔室和旋转模块。处理腔室耦接至传送腔室。旋转模块定位在传送腔室之间。旋转模块配置成旋转基板。传送腔室配置成在处理腔室与传送腔室之间传送基板。在另一实施例中，本文公开了一种用于在装置上处理基板的方法。
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公开(公告)号：CN210182327U
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201921254411.8
申请日：2019-08-05
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 公开了一种用于处理腔室的面板。所述面板具有主体，所述主体具有多个孔隙，所述多个孔隙穿过所述主体形成。挠曲件形成在所述主体中，部分地包围所述多个孔隙。切口在与所述挠曲件的公共半径上穿过所述主体形成。一个或多个孔口从所述切口的径向内表面延伸到所述主体的外表面。加热器设置在所述挠曲件与所述多个孔隙之间。所述挠曲件和所述切口是限制来自所述加热器的热传递从其经过的热扼流器。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206441702U
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201621102233.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。
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公开(公告)号：CN207320068U
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201720963683.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 应用材料公司
Inventor： A·K·班塞尔 , J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 , S·巴录佳 , S·H·金 , T·A·恩古耶
IPC: H01L21/67
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45574
Abstract: 本公开涉及处理腔室。所述处理腔室包括腔室主体、基板支撑组件和喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板具有第一侧和第二侧，所述第二侧面向所述喷淋头组件，所述面板具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成将工艺气体从所述第一侧输送到所述第二侧；以及底板，所述底板被定位成邻近所述面板的所述第一侧，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个孔隙，所述多个孔隙被配置成使惰性气体穿过所述底板而进入限定在所述面板与所述底板之间的气室，其中所述惰性气体与所述气室中的工艺气体混合。
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公开(公告)号：CN206727059U
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201720076104.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 应用材料公司
Inventor： K·阿拉亚瓦里 , 韩新海 , P·P·贾 , M·绪方 , Z·蒋 , A·柯 , N·O·木库提 , T·布里彻 , A·K·班塞尔 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , J·C·罗查-阿尔瓦内兹 , 金柏涵
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4404 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509 , H01J37/32091
Abstract: 本公开提供了一种用于半导体处理腔室的双通道喷头。在一个实施例中，该喷头包括主体，该主体包括导电材料，该导电材料具有多个第一开口和多个第二开口，该多个第一开口和多个第二开口形成为穿过该导电材料，该多个第一开口包括第一气体通道，该多个第二开口包括第二气体通道，该第二气体通道与该第一气体通道流体地分离，其中该第一开口中的每一个具有与该第二开口中的每一个不同的几何形状。
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