一种智能开关模块
    51.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220341098U

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202321492175.X

    申请日:2023-06-12

    IPC分类号: H01H23/04 H01H23/02

    摘要: 本实用新型公开了一种智能开关模块,包括外壳;所述外壳的前端设置有操控面板,所述操控面板的前端安装有开关,所述操控面板采用信号输入线与主控板相连接;所述主控板的后端设置有信号输出线,所述信号输出线用于连接在被控设备的供电电路。通过设置了定位机构,往右端推动插杆,使插杆推动移动块往右端移动,从而使移动块通过摆动杆带动插块往插板内侧进行收缩,解除与定位框上插槽的插接状态,即可将控制面板从外壳上取下,随后即可对控制面板拆卸更换,操作方便快捷。

    一种功率器件芯片的超薄制备与封装方法

    公开(公告)号:CN117672964A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311661345.7

    申请日:2023-12-06

    摘要: 本发明提出了一种功率器件芯超薄制备与封装方法。其特点在于:正面覆盖一层30μm至60μm的聚酰亚胺或其它钝化膜,该钝化层在实现正面电极重新布局的同时,也形成了晶圆表面封装保护层,该保护层更可作为薄晶圆片封装的加工支撑,以方便采用固晶机的芯片拾取。此外,这层薄膜也可作为功率晶圆进行减薄加工保护支撑层。完成前述步骤的功率器件晶圆可通过金属蒸发或淀积的工艺形成背面电极。上诉结构在完成减薄后具有一定的厚度,存在一定的刚性,可采用TO‑220、TO247和模块支架等封装架构,对其键合封装。

    光纤直接耦合RGB三基色LED冷光源

    公开(公告)号:CN104132262A

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201410294632.3

    申请日:2014-06-24

    摘要: 本发明公开了一种光纤直接耦合RGB三基色LED冷光源,它包括用于发光的LED发光机构、透光层,所述LED发光机构为具有红、绿、蓝三基色的LED晶片机构,LED发光机构的光发射端通过无损耗传输的光纤线路连接透光层。本发明使片寿命长、发光效率高、功率大,体积小、结构简单,且彩色色域更宽,色度均匀,便于调整复合光的色域和色度,满足投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源的需求。本发明适用作投影机光源、图像显示光源以及各类照明光源等。

    具有储能功能的智能光伏发电系统及其控制方法

    公开(公告)号:CN103855790A

    公开(公告)日:2014-06-11

    申请号:CN201410110196.X

    申请日:2014-03-24

    IPC分类号: H02J7/35 H02J3/38

    摘要: 本发明为一种具有储能功能的智能光伏发电系统及控制方法,其中智能光伏发电系统包括太阳能电池模块、光伏逆变器模块、储能电池模块、智能功率合成模块、智能控制模块,所述太阳能电池模块输出端连接储能电池模块的信号输入端,太阳能电池模块与储能电池模块的信号输出端分别通过智能功率合成模块连接光伏逆变器模块的信号输入端,光伏逆变器模块的信号输出端连接用电负载,用电负载还连接外部市电;智能控制模块分别控制连接太阳能电池模块、储能电池模块、外部电网与用电负载的接通。本发明的发电系统结构简单,能够为负载提供可靠的驱动,并保证对能源的充分利用。本发明的发电系统适用于各种利用太阳能发电的家用发电系统。

    一种功率MOS器件低热阻封装结构

    公开(公告)号:CN102201449A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201110139824.3

    申请日:2011-05-27

    摘要: 一种功率MOS器件低热阻封装结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明结合硅芯片倒装桥夹技术和常规TO封装技术,采用倒装散热结构,使得功率MOS器件产生的热量直接流向金属热沉,解决了功率MOS器件常规TO封装所带来的热阻过大的问题;同时桥夹技术的大面积接触除了进一步降低热阻,还可以增大电流容量,减小寄生电感。本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构,具有常规TO封装的外形,可以利用现有的TO封装生产线,无需添加封装设备、仅适当增加桥夹与倒装工艺相关设备的情况下封装出性能优异的功率MOS器件。经实际检测证明,本发明提供的功率MOS器件低热阻封装结构,比常规TO封装结构可使热阻下降约80%、电流容量增加约两倍,而寄身电感大大减小。

    一种基于SOI工艺的RC电路触发双向ESD保护电路

    公开(公告)号:CN108922886B

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN201810970939.9

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: H01L27/02

    摘要: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD:Electro‑Static discharge)保护领域,具体提供一种RC电路触发的双向ESD保护电路;该电路能够基于SOI工艺实现,通过将改进后的桥式整流电路加入RC触发的ESD保护电路中使得该电路有RC触发的ESD保护电路的特点同时能实现双向保护;该双向ESD保护电路,当ESD事件到达时,钳位器件有很低的触发电压能够快速开启泄放ESD电流,而在电路正常工作时,钳位器件的触发电压较高无法触发,因此保持高阻状态;同时,该保护电路适用于被保护输入端口有正负电压输入的情况,且适用于较窄的ESD设计窗口。

    一种基于双线性插值算法的视频图像放大方法

    公开(公告)号:CN110223232A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910490549.6

    申请日:2019-06-06

    IPC分类号: G06T3/40

    摘要: 本发明公开了一种双线性插值放大算法的FPGA实现方法,该方法包括:根据原图像的尺寸a*b与目标图像的尺寸m*n确定原图像与目标图像在行、列方向上的图像像素放大坐标映射规律;获得原视频图像当前帧的两行图像的像素数据;根据双线性插值公式计算出目标图像的像素数据。本发明实例中,可以减少使用乘法器的数量,能够使用较少的FPGA资源对视频图像进行快速处理。

    一种具有表面双栅控制的横向RC-IGBT器件

    公开(公告)号:CN107342286A

    公开(公告)日:2017-11-10

    申请号:CN201710490849.5

    申请日:2017-06-23

    IPC分类号: H01L27/06 H01L29/739

    摘要: 一种具有表面双栅控制的横向RC-IGBT器件,属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管,通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭,达到和传统结构相同的器件功能:当RC-IGBT正向工作时,MOS管关闭,传统结构中的N+集电区被MOS管隔离,此时器件相当于纯粹的IGBT,完全消除了传统结构中的电压折回现象;当器件反向工作时,通过第二栅极来控制MOS管开启,续流二极管得以正常工作。同时,与传统的纵向结构器件不同,本发明属于横向器件,器件建立在外延层上,器件的实现无需背面工艺,大大降低了工艺难度;通过RESURF结构,也增强了器件的横向耐压能力。

    基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN104538417B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201510008847.9

    申请日:2015-01-08

    IPC分类号: H01L27/15 H01L21/77

    摘要: 本发明公开了一种基于二极管链的LED开路保护集成芯片及其制造方法,所述基于二极管链的LED开路保护集成芯片包括由结构完全相同的若干个二极管正向串联而形成的正向二极管链,还包括一个与正向二极管链反向并联的反向并联二极管,正向二极管链的两端作为基于二极管链的LED开路保护集成芯片的正负极。当LED组正常工作时,芯片关断。当有LED开路时,芯片中正向串联的二极管链导通以保证与之串联的LED正常工作;当LED两端出现过高反向电压时,芯片中反向二极管导通泄放电流,防止LED灯烧毁。本发明的基于二极管链的LED开路保护集成芯片结构简单、性能稳定、成本低,能广泛应用于LED开路保护和芯片的ESD保护。