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公开(公告)号：CN111725302A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010574678.6
申请日：2020-06-22
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/16 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种基于图形化衬底的石墨烯晶体管及制备方法，主要解决现有石墨烯晶体管由于其沟道材料具有零带隙而导致无法关断及开关比低的问题。其包括：图形化衬底、沟道层、栅介质层、源极、漏极和栅极。图形化衬底表面设有椭球状凸起；沟道层覆盖于图形化衬底凸起的上表面；源极和漏极位于图形化衬底的上表面，且部分覆盖于沟道层的上表面；栅极位于图形化衬底的上表面，且与沟道层不直接接触；栅介质层位于沟道层的上表面，且部分覆盖于源极、漏极和栅极的上表面。本发明利用图形化衬底的椭球状凸起使附着于其表面的石墨烯薄膜发生机械弯曲，扩展了石墨烯的禁带宽度，提高了石墨烯晶体管的开关比，可用于制作大规模数字集成电路。
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公开(公告)号：CN118969859A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411043247.1
申请日：2024-07-31
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC分类号： H01L29/93 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L29/06
摘要： 一种横向氮化镓基变容器结构及其制备方法，自下而上依次包括衬底层、复合缓冲层、沟道层、势垒层和钝化层，在势垒层和沟道层上设置有若干个凹槽，凹槽底端穿透势垒层至沟道层中上部，凹槽内设置有阴电极，其余凹槽内设置阳电极，设置阳电极的凹槽中靠近阳电极一侧设置有P型注入区；制备方法为：先清洗衬底层并在衬底层上依次生长复合缓冲层、复合沟道层和势垒层，再在部分势垒至部分沟道层形成多个P型区，然后再利用刻蚀技术刻蚀势垒层至沟道层中上部形成多个凹槽，在凹槽中分别生长阴电极和阳电极，最后淀积钝化层；本发明在横向氮化镓基异质结结构上实现了多个变容二极管并联，具有变容范围大、并且与氮化镓基射频器件工艺兼容的特点。
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公开(公告)号：CN118969832A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411037730.9
申请日：2024-07-31
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 一种新型高线性度纳米线沟道器件及其制备方法，结构包括由下至上依次层叠设置的衬底层、GaN缓冲层和AlGaN/AlN势垒层，AlGaN/AlN势垒层两端分别沉积源、漏电极，势垒层上近源电极一侧沉积梭形栅极，势垒层上设置若干纳米线沟道，源接入区形成n型重掺杂，梭形栅极两侧沉积侧墙；方法包括依次层叠的衬底层、缓冲层和势垒层；势垒层上两端分别制备源、漏电极；器件表面沉积Si3N4掩膜层；源漏之间形成若干间隔排列的条状掩膜层；光刻后显影出梭形栅的轮廓；去掉栅区域的掩膜层，露出间隔排列的凹槽，形成Fin‑HEMT结构；间隔排列的凹槽上制备梭形栅极；去掉器件表面的掩膜层；梭形栅极边缘形成侧墙，源接入区进行离子注入形成n型重掺杂；本发明具有高线性度、工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN118969752A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411061586.2
申请日：2024-08-05
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/34 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L21/34 , F25B23/00
摘要： 本发明公开了一种采用辐射制冷的氧化镓器件散热结构及其制备方法，主要解决现有氧化镓器件因其氧化镓本身导热率低，而造成器件自热效应严重、工作稳定性差和可靠性低的问题。其技术关键是：通过辐射制冷技术提高器件散热性能，即在氧化镓场效应晶体管的表面设置由多个上下复合的SiO2/Si3N4圆柱状结构组成的辐射制冷层，并在其衬底部位或者辐射制冷层下方增加银反射层，通过将热量辐射至器件外部对器件的散热性能进行改善。对于垂直氧化镓肖特基二极管，是在其Si3N4钝化层上直接生长不与金属电极接触的银反射层，再在银反射层上制备与其形状相同的辐射制冷层。本发明能有效缓解器件的自热效应，提高器件的散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN118969751A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411061585.8
申请日：2024-08-05
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L23/373 , H01L23/34 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种辐射制冷增强散热的氮化镓器件，主要解决现有GaN器件在大功率条件下，由于氮化镓材料导热率较低而导致的器件散热能力差，器件自热效应明显的问题。其自下而上包括:衬底层(2)、成核层(3)、缓冲层(4)、沟道层(5)、势垒层(6)和金属电极，金属电极的外围包裹有钝化层(7)，其中，该钝化层上表面的金属电极之间设有多个圆柱状上下复合材料SiO2/Si3N4结构的辐射制冷层(8)；该衬底层的下表面设有银反射层(1)。本发明能减小了器件热阻，可将器件内部产生的热量通过辐射的方式快速散出，同时避免由于对氮化镓材料的损伤带来的电学性能损失，提高热量的反射效率和器件的散热性能，可用作微波功率器件和电力电子器件。
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公开(公告)号：CN118944604A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411011822.X
申请日：2024-07-26
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于砷化镓和氮化镓的Doherty功率放大器，包括：功分器、载波功率放大支路、峰值功率放大支路和后匹配网络，其中，所述载波功率放大支路，输入端连接所述功分器的输出端，且所述载波功率放大支路的管芯材料为砷化镓；所述峰值功率放大支路，输入端连接所述功分器的输出端，且所述峰值功率放大支路的管芯材料为氮化镓。本发明通过使用砷化镓作为载波功率放大支路的管芯材料，使Doherty功率放大器具有更好的线性度以及更高的效率，通过使用氮化镓作为峰值功率放大支路的管芯材料，使Doherty功率放大器具有更高的饱和输出功率，本发明提供的Doherty功率放大器同时具有高输出功率、高效率和更好的线性度。
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公开(公告)号：CN118629868A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202310220045.9
申请日：2023-03-07
申请人： 西安电子科技大学广州研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/417
摘要： 本发明涉及一种自对准T型栅的GaN高频器件及制备方法，包括：获取外延片；在势垒层上生长第一介质层；刻蚀栅极区域的所述第一介质层至暴露所述势垒层的上表面，以形成栅极窗口；在暴露所述沟道层的所述栅极窗口内和所述势垒层上生长第二介质层；刻蚀部分区域的所述第二介质层和该第二介质层正下方的第一介质层，暴露势垒层，以形成两个有源区区域；在有源区区域内进行离子注入，以形成离子注入区域，之后进行退火处理，形成欧姆接触；在势垒层、离子注入区域和T型的第二介质层上生长第一介质层；去除T型的第二介质层，以在栅极窗口和第一介质层上制备T型的栅电极；去除有源区区域处的第一介质层，之后在离子注入区域上生长源电极和漏电极。本发明提高金了属线与半导体之间的对准精度，改善了器件制造精度，性能更加优越。
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公开(公告)号：CN118471822A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410924048.5
申请日：2024-07-11
申请人： 西安电子科技大学杭州研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H10B51/30
摘要： 本发明涉及一种纤锌矿铁电材料硅基衬底集成方法及存储器应用，用于在硅基衬底上制备纤锌矿铁电材料。首先，清洗硅衬底并去除自然氧化层，随后在精密调控的磁控溅射条件下，于真空或非真空环境中沉积纤锌矿铁电薄膜，依赖环境选择调整工艺参数。接下来，采用磁控溅射或电子束蒸发技术在铁电薄膜上淀积顶电极层，过程支持真空互联传输或原位处理以适应不同互联环境。此法优化了纤锌矿铁电材料与硅衬底的集成工艺，提升了器件制备的可靠性与灵活性。
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公开(公告)号：CN118136663A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410273491.0
申请日：2024-03-11
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学广州研究院
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/207 , H01L29/201 , H01L29/20 , H01L21/335
摘要： 一种氮极性增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构及其制备方法，晶体管结构自下而上依次包括：衬底、复合缓冲层、渐变势垒层、势垒层、沟道层，沟道层上设置有钝化层、再生长层及顶层，顶层与再生长层被钝化层隔离开，再生长层上设置有源电极及漏电极，顶层上设置有栅电极，栅电极布设于源电极及漏电极之间；制备方法包括：在衬底层上依次外延生长复合缓冲层、渐变势垒层、势垒层和沟道层，在沟道层表面进行台面刻蚀隔离，直至将二维电子气刻断，再在沟道层表面外延生长再生长层和顶层，在再生长层表面制备源极和漏极，在顶层表面制备栅极，最后在器件表面制备钝化层，并刻蚀窗口；实现了器件增强型工作，并能保持高栅极电容、高栅控能力。
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公开(公告)号：CN117596891A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311536315.3
申请日：2023-11-16
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC分类号： H10B51/30 , H10B53/30 , H10N97/00 , H01L21/336
摘要： 本发明一种无界面纤锌矿铁电氮化物存储器，包括相接触的氮化物半导体衬底、纤锌矿铁电介质层；利用纤锌矿铁电材料与氮化物衬底材料之间良好的晶格匹配，通过原位溅射工艺、原子层沉积工艺或外延生长工艺在氮化物半导体衬底上直接生长纤锌矿铁电介质层，最终实现纤锌矿铁电材料与氮化物半导体衬底之间无界面层的纤锌矿铁电氮化物存储器，以解决现有的铁电存储器因非理想界面层的存在引发的额外功耗和可靠性退化等一系列问题。本发明提供的低功耗、高可靠性、高开关比及高记忆窗口的无界面层纤锌矿铁电氮化物存储器可应用于发展高算力、高能效、低功耗和高可靠性的存算器件及芯片技术。
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