公开(公告)号：CN103765568B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280028130.5

申请日：2012-06-06

申请人： 雷姆热系统有限责任公司

发明人： J·伯克哈特 ,  M·加格吉奥里

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67098 ,  F27B9/40 ,  F27D19/00 ,  F27D21/0014 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/68 ,  H01L21/681

摘要： 本发明涉及一种用于热处理衬底的设备(100)和在所述设备(100)内用于检测测量数据的方法，其中所述设备(100)包括至少一个可加热的室(102)、载体系统(108)、传感器装置(112)和独立于载体系统(108)的执行器(111)。这里载体系统(108)设计用于承载衬底，其中，传感器装置(112)另外设置用于与数据检测和/或数据存储装置耦连。执行器(111)在此与传感器装置(112)耦连并且设置用于在可加热的室(102)内定位传感器装置(112)。

公开(公告)号：CN105810613A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610173716.0

申请日：2016-03-24

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 谭秀文 ,  赖朝荣 ,  王智 ,  苏俊铭

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67253

摘要： 本发明提供了一种高电流注入机台监控方法，包括：在裸晶上形成一层氧化层；量测氧化层的膜厚；判断膜厚的均匀性是否满足预定要求；如果膜厚的均匀性满足预定要求，则利用高电流注入机台对裸晶执行高电流注入工艺；在高电流注入工艺完成之后对裸晶进行N2退火；测量裸晶的方块电阻值。

公开(公告)号：CN105807799A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610035361.9

申请日：2016-01-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·L·谭 ,  C·J·S·尧

IPC分类号： G05D16/20

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67017 ,  G05D16/20

摘要： 提供了一种用于半导体测试系统的罐开关，所述罐开关包括集管，所述集管包括第一输入管、第二输入管和输出管，其中，所述输入管中的每个构造成能够连接至相应的流体罐，并且所述输出管包括输出端，该输出端构造成能够连接至测试用处理装置；所述输入管中的每个分别包括相应控制阀；流量传感器于所述输出端之前构造在所述集管上；所述流量传感器构造成能够提供表示流向所述输出端的流体的流率的测量信号并且能够将该信号发送给控制单元；并且所述控制阀中的每个构造成能够接收控制信号并能够响应于所接收的控制信号而打开或关闭。

公开(公告)号：CN103261885B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201180061112.2

申请日：2011-12-13

申请人： 硅电子股份公司

发明人： 榛原照男 ,  久保悦子 ,  森良弘 ,  内部真佐志

IPC分类号： G01N33/18 ,  H01L21/02 ,  B08B3/12

CPC分类号： G01N29/02 ,  B08B3/12 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67253 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/176152 ,  Y10T436/20 ,  Y10T436/207497 ,  Y10T436/209163

摘要： 本发明提供能够在无需复杂操作且降低成本的情况下实时精确监测清洁液的溶解氮浓度的溶解氮浓度监测方法。利用溶解氧浓度计43测量超声波照射期间的溶解氧浓度DO2。通过由测得的溶解氧浓度DO2减去初始溶解氧浓度D0计算溶解氧浓度增加量ΔDO2。然后，由储存部分46读出对应于特定的溢流率或超声波输出功率水平的近似式，并将由储存部分46读出的近似式用于由溶解氧浓度增加量ΔDO2计算混合的超纯水的溶解氮浓度DN2。

公开(公告)号：CN105719990A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201610088065.5

申请日：2016-02-17

申请人： 喜瑞能源公司 ,  杭州赛昂电力有限公司

发明人： J·B·衡 ,  肖春光 ,  闫冬至 ,  周建胜 ,  黄志铨 ,  徐征

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  B01D53/14 ,  B01D2257/302 ,  B01D2257/304 ,  B01D2257/404 ,  B01D2257/406 ,  B01D2257/708 ,  B01D2258/06 ,  B01D2259/4508 ,  C23C16/4401 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/206 ,  H02S50/00 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  H01L21/6773 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明涉及用于改进太阳能电池的制造成品率的系统和方法。描述了用于在大规模的太阳能电池制备设施中制备太阳能电池的系统。所述系统包括第一处理站、第二处理站和位于第一处理站和第二处理站之间的晶片储存装置。晶片储存装置内的微环境基本上与大规模的太阳能电池制备设施的大环境分隔开，并且微环境被过滤以减少化学物、水分和挥发性有机化合物。晶片储存装置被配置为暂时存储从第一处理站出来并排队等待在第二处理站进行处理的晶片。

公开(公告)号：CN105632977A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201511020112.4

申请日：2015-12-29

申请人： 南通富士通微电子股份有限公司

发明人： 施建根

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L23/3171 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3511 ,  H01L21/67253

摘要： 本申请公开了一种半导体绝缘电阻监控方法，包括：提供待检测晶圆，晶圆的表面设有再造钝化层；测量再造钝化层表面的漏电流以确定再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值；判断电阻值是否满足合格条件；以及基于判断的结果执行相应的处理。本发明通过在线监控每片晶圆表面的绝缘电阻，主要是监控晶圆表面的再造钝化层的电阻，若当站发现异常产品，就及时进行蚀刻处理以去除再造钝化层表面的碳化层，避免发生产品电性能质量问题。本发明在不影响制造周期和监控成本的情况下实施半导体绝缘电阻的监控，判断影响晶圆绝缘电阻偏低的工艺，提高半导体产品的合格率。

公开(公告)号：CN102610518B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201110430826.8

申请日：2011-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤润 ,  长谷川雅之

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供含碳薄膜的宽度减小方法及氧化装置。该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序：输入工序，其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入；宽度减小工序，其用于一边向处理容器内供给水分一边利用氧化气体对含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面，由此，使图案的凸部的宽度减小。

公开(公告)号：CN105283516A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480033301.2

申请日：2014-08-04

申请人： 株式会社樱花彩色笔

发明人： 采山和弘 ,  大城盛作

IPC分类号： C09D11/037 ,  C09D11/50 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/67253 ,  C09D11/037 ,  C09D11/50 ,  G01N21/78 ,  G01N21/783 ,  H01J37/32935

摘要： 本发明的目的在于提供一种指示器、以及使用上述指示器的装置的设计及/或管理方法，所述指示器在电子器件制造装置内，能够简便地检测是否均匀地对基板整体进行了选自包括等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体的组的至少一种的处理。一种指示器，其是在电子器件制造装置中使用的指示器，其特征在于，(1)所述指示器用于检测选自包括等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体的组的至少一种，(2)所述指示器的形状与在所述电子器件制造装置中使用的基板的形状相同，(3)所述指示器包括变色层，(4)所述变色层由墨液组合物形成，所述墨液组合物通过与选自包括等离子体、臭氧、紫外线、及含自由基气体的组的至少一种发生反应而变色或脱色。

公开(公告)号：CN105118892A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510521025.0

申请日：2015-08-21

申请人： 常州天合光能有限公司 ,  湖北天合光能有限公司

发明人： 彭义富

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1876 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明公开了一种O3设备尾气处理方法及O3设备尾气处理装置，该方法的步骤如下：(a)通过在O3设备尾气管道上加装的流量计来检测O3设备尾气排放时的实时流速m；(b)比较实时流速m和尾气管道负压稳定条件下的尾气排放时的标称流速M的大小，通过控制在O3设备尾气管道上加装的阀门的开度大小来调节实时流速m，使实时流速m向标称流速M靠拢。通过该方法可以及时监控和量化O3设备尾气排放的流量，提升其稳定性，从而保证电池片PID能力，增加电池片寿命。

公开(公告)号：CN105047589A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510404757.1

申请日：2015-07-08

申请人： 浙江中纳晶微电子科技有限公司

发明人： 尹明 ,  唐昊

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B32B43/006 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68714 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/67288

摘要： 本发明提供一种晶圆解键合装置，它包括：用于放置键合后晶圆和载片的台面；以及一带有出气孔的刀具，所述刀具通过可调节装置设置在台面的附近，通过可调节装置控制刀具做远离台面或靠近台面的运动，刀具上设有刀头，用于在键合后晶圆和载片的结合处的膜或胶上刺出一缺口，所述出气孔设置在刀头上，所述刀具上还设有进气孔，所述进气孔与出气孔连通，所述进气孔与一气体发生装置连接，用于向台面上的键合后晶圆和载片的结合处吹气。采用上述晶圆解键合装置自动化程度高，操作更加简便。