公开(公告)号：CN1188821A

公开(公告)日：1998-07-29

申请号：CN97122810.8

申请日：1997-10-14

申请人： MEMC电子材料有限公司

发明人： J·D·霍尔德

IPC分类号： C30B27/02

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/906 ,  Y10S117/907 ,  Y10T117/1032

摘要： 一种在按照引上法从熔体提拉单晶硅棒中调节氧浓度和分布的方法和装置,熔体任选地掺杂锑或砷,且熔体上方保持一种气氛。在批量式生长工艺中,当熔体固化部分增加时,逐渐增加熔体上方气氛的气体压力使之超过100乇。在连续式生长工艺中,熔体上方气氛的气体压力保持在或接近超过100乇的恒定值。该工艺和装置进一步的特征在于使用控制的惰性气体流,以便将蒸汽和微粒从硅棒和熔体表面去除,使得制造的单晶硅棒具有零位错。

公开(公告)号：CN1129747A

公开(公告)日：1996-08-28

申请号：CN95117532.7

申请日：1995-11-20

申请人： 瓦克硅电子半导体材料有限公司

发明人： 彼特·维尔茨曼 ,  赫尔穆特·平措佛

IPC分类号： C30B27/02 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C30B15/14 ,  Y10T117/1088

摘要： 本发明涉及按照引上法制备单晶硅的装置，主要包括一个可用惰性气体清扫的接受器，容纳熔体的坩埚，自熔体提拉单晶的装置，和一个管锥状本体，该本体屏蔽生长的单晶并把熔体上方的接受室分成内外两部分区域，惰性气体被导入接受室内部区域在本体的低端和熔体表面之间朝向熔体流过，进入接受室外部区域，其中的本体至少有一个小孔，本发明还涉及按照引上法制备单晶硅的方法。

公开(公告)号：CN86100854A

公开(公告)日：1986-09-03

申请号：CN86100854

申请日：1986-01-16

申请人： 浙江大学

发明人： 阙端麟 ,  李立本 ,  陈修治

IPC分类号： C30B27/02 ,  C30B29/06

摘要： 一种以纯氮作为保护气氛的重掺锑硅单晶的制造方法，其特征在于熔硅、掺锑、拉晶过程中所采用的氮气保护气氛为减压——常压——减压的保护气氛。采用这种方法制造的重掺锑硅单晶的制造成本比充氩保护制造重掺锑硅单晶的方法可降低成本15-20％，提高成品率10％以上，产品质量稳定。

公开(公告)号：CN85100295B

公开(公告)日：1986-02-10

申请号：CN85100295

申请日：1985-04-01

申请人： 浙江大学

发明人： 阙端麟 ,  李立本 ,  林玉瓶

IPC分类号： C30B27/02

摘要： 本发明属于直拉（切氏法）硅单晶生长技术领域。采用纯氮作为直拉硅单晶的保护气体，所用的氮气纯度为９９．９９９％以上，进入炉内氮气压力为０．５～６０托，氮气流量为２～５０升／分，所用的充氮设备及控制方法与充氩工艺相同。由于氮气来源丰富，价格低廉，可大幅度地降低硅单晶生产成本，提高硅单晶质量，产生积极的经济效果。

公开(公告)号：CN118563409A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410645015.7

申请日：2024-05-23

申请人： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司

发明人： 芮阳 ,  伊冉 ,  王忠保 ,  王黎光 ,  蔡瑞 ,  杨少林 ,  马成 ,  赵延祥 ,  刘洁 ,  刘彦鹏

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B27/02 ,  C30B29/06

摘要： 本发明提供一种改善终端产品电性均匀性的热场及拉晶方法，涉及重掺单晶硅拉晶技术领域，通过在所述降温上部断热材的下部设置空心层，所述降温热屏部位于所述石英坩埚的上方，所述降温上部断热材位于所述断热材部的上方，所述降温热屏部的上端与所述降温上部断热材的上方搭接，所述降温上部断热材与所述断热材部组装，以改善热场温度梯度，以使温度梯度增大，进而在拉晶过程中，晶棒在800℃‑1100℃的停留时间缩短，缺陷生长周期减短，避免已均质成核和异质成核借着过饱和析出而聚结形成的微缺陷，从而降低微缺陷密度，使得终端产品性能均匀性提高。

公开(公告)号：CN118563408A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410482541.6

申请日：2024-04-22

申请人： 中国科学院物理研究所

发明人： 陈小龙 ,  盛达 ,  杨云帆 ,  李辉 ,  王文军 ,  郭建刚

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B27/02 ,  C30B29/36 ,  C22C28/00

摘要： 本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：(1)将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；(2)将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；(3)通入气体并控制生长炉内的气压；(4)加热所述石墨坩埚使得所述金属原料完全熔化以形成熔体；(5)下降所述籽晶使得籽晶与所述熔体接触，进而生长n型4H‑SiC单晶；其中，所述过渡金属选自Cr、Sc、V、Mn和Cu中的一种或几种。本发明的方法能够有效地降低4H‑SiC与熔体的界面能、稳定4H晶型、提高结晶质量并且能够大幅度提高晶体生长速度和降低成本。

公开(公告)号：CN118516742A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410536150.8

申请日：2024-04-29

申请人： 隆基绿能科技股份有限公司

发明人： 朱永刚 ,  李侨 ,  邓浩 ,  李振国

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B29/06 ,  C30B27/02 ,  C30B15/30 ,  F27D25/00

摘要： 本申请实施例提供了一种单晶炉。所述单晶炉包括：主炉体；副炉体，所述副炉体设置在所述主炉体的上方，所述副炉体与所述主炉体内部连通，以形成从所述主炉体延伸至所述副炉体内的拉晶通道；以及磁性件，所述磁性件环绕所述拉晶通道设置。所述磁性件可以用于吸附所述拉晶通道内形成的金属粉尘，以避免拉晶过程中产生的金属粉尘掉落至晶体生长界面上，以提高单晶硅棒的品质。

公开(公告)号：CN118422314A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202310046292.1

申请日：2023-01-31

申请人： 广州华瑞升阳投资有限公司

发明人： 尹向阳 ,  刘伟 ,  薛勇

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/34 ,  C30B29/16 ,  C30B15/10 ,  C30B23/00 ,  C30B27/02 ,  C30B15/14 ,  C30B30/02 ,  C30B30/04 ,  C30B28/10 ,  C30B28/12

摘要： 本发明提供一种氧化物半导体晶体生长方法及制造装置，使用陶瓷坩埚盛装氧化物半导体原料，先对氧化物半导体原料进行预热升温，再根据氧化物半导体原料升温后具有良好的导电性能的特性，由高频加热线圈部件直接对升温后的氧化物半导体原料进行感应加热使其升温分解升华亦或形成熔体，然后进行后续的单晶生长。本发明采用具有双加热系统的晶体制造装置，利用金属氧化物半导体在高温下的导电特性明显增强的特点，创造性的采用了预热+感应加热的晶体生长方法，无需使用铱金坩埚，可避免氧化物半导体原料与贵金属铱的直接接触，避免了高温下的氧化物半导体原料对贵金属铱的腐蚀损耗和由此而产生的污染，同时大幅降低制造成本。

公开(公告)号：CN118147735A

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN202311654660.7

申请日：2023-12-04

申请人： 克莱托斯波尔公司 ,  费兹卡尼厄斯达AV CR公司

发明人： 卡雷尔·布拉泽克 ,  马丁·尼克尔 ,  扬·托斯 ,  卡雷尔·巴托斯 ,  扬·波莱克 ,  托马斯·马雷克

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B27/02 ,  C30B29/24 ,  C30B33/02

摘要： 本发明涉及一种由专业公众已知的用于闪烁晶体探测器的一般组成成分为CexGdyY1‑x‑yAlO3的材料生产晶体的方法，其尚未通过直拉法进行工业化生产。本发明的方法使得生产直径大于毫米单位的晶体成为可能。具体地，本发明在最初的直拉法中添加了对输入原材料进行退火以及还原性氢‑氩气氛通过晶体生长炉的受控流的步骤。此外，本发明还涉及一种用于闪烁晶体探测器的具有CexGdyY1‑x‑yAlO3一般组成成分的晶体。

公开(公告)号：CN117867638A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410004428.7

申请日：2024-01-03

申请人： 乾晶半导体(衢州)有限公司

发明人： 方政 ,  朱鑫煌 ,  蒋琳 ,  罗俊仪 ,  姚秋鹏 ,  张龙昌 ,  杨孝泽 ,  曾志鹏

IPC分类号： C30B15/00 ,  C30B15/20 ,  C30B29/36 ,  C30B27/02

摘要： 本发明公开了一种借助铝热反应提升Si基溶液温度制备SiC的方法，将高纯Si料和铝热剂混合均匀后放置在石墨坩埚中，控制热场加热使溶液上部温度低于下部温度；待热场稳定后籽晶缓慢降至与Si基溶液体系接触，开启旋转提拉系统开始晶体生长，得到SiC单晶。本发明利用铝热反应产生的热量来升温粉料，并利用反应生成的Ti、Cr或者Fe元素作为助溶剂溶解C元素，通过调控A1元素比例，使其在完全反应后仍有Al结余来制备P型SiC晶体。反应生成的Al2O3在Si基溶液中以固相存在，不会对SiC晶体生长造成影响，减少了升温所需时间，解决了SiC晶体生长过程能耗消耗过高的问题，降低了生产成本。