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    一种等离子体处理腔室及其冷却装置
    51.
    发明授权
    一种等离子体处理腔室及其冷却装置 有权

    公开(公告)号：CN104715992B

    公开(公告)日：2018-02-09

    申请号：CN201310687365.1

    申请日：2013-12-13

    申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

    发明人： 吴狄 ,  何乃明 ,  曹雪操

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

    摘要： 本发明提供了一种等离子体处理腔室及其冷却装置，其中，所述冷却装置包括：中空框状的出风组件，其主体上设置有多个出风口/出风带，固定于所述等离子体处理腔室的顶板上；动力装置，其连接于出风组件，用于驱动所述出风组件产生风力。本发明提供的冷却装置体积小，易于清洗，并且能够对应于腔室或基片的不同领域进行温度控制。本发明还尤其适用于电感耦合型等离子体处理腔室的绝缘顶板的降温。

    微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆
    52.
    发明授权
    微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆 失效

    公开(公告)号：CN104051216B

    公开(公告)日：2018-01-26

    申请号：CN201410098636.4

    申请日：2014-03-17

    申请人： 东京毅力科创株式会社

    发明人： 赵建平 ,  岩俊彦 ,  陈立 ,  彼得·L·G·文泽克 ,  梅里特·芬克

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

    摘要： 本发明涉及微波谐振器处理系统中的等离子体调谐杆。等离子体调谐杆系统设有一个或多个微波腔，一个或多个微波腔被配置成在等离子体内和/或邻近等离子体处通过在一个或多个等离子体调谐杆中生成共振微波能量来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合至等离子体。一个或多个微波腔组件可以耦合至处理室，并可以包括一个或多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有耦合至调谐空间/腔的一个或多个等离子体调谐杆。等离子体调谐杆可以被配置成在处理室内将EM能量从共振腔耦合至处理空间，并由此在处理空间内产生均匀等离子体。

    一种等离子体处理设备及其机台外罩
    56.
    发明授权
    一种等离子体处理设备及其机台外罩 有权 转让

    公开(公告)号：CN104425197B

    公开(公告)日：2017-09-15

    申请号：CN201310374499.8

    申请日：2013-08-23

    申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

    发明人： 张亦涛 ,  左涛涛 ,  陆科杰 ,  周宁 ,  徐朝阳 ,  倪图强

    IPC分类号： H01J37/02 ,  H01J37/32

    摘要： 本发明公开了一种等离子体处理设备及其机台外罩，通过在机台外罩的侧壁安装与介电窗呈一定角度的风扇，并在未安装风扇的侧壁设置若干气孔，可以实现对介电窗口的快速均匀降温。同时，在环盖上设置隔热/绝热材料的隔热圈与介电窗相接触，能够有效阻止热量从介电窗的边缘区域向环盖方向传导，因此，介电窗的中心区域到边缘区域的温度相对更为平均，温度梯度减小，从而避免介电窗因温差所造成的开裂现象，提供了一种安全性能更高的等离子处理设备。

    内衬接地组件、反应腔室及半导体加工设备
    57.
    发明公开
    内衬接地组件、反应腔室及半导体加工设备 有权

    公开(公告)号：CN106783490A

    公开(公告)日：2017-05-31

    申请号：CN201510815419.7

    申请日：2015-11-23

    申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

    发明人： 罗大龙

    IPC分类号： H01J37/02

    CPC分类号： H01J37/026

    摘要： 本发明提供的内衬接地组件、反应腔室及半导体加工设备，其用于将内衬与接地的腔室底壁之间电导通及热传递，包括接地件和导热板，其中，导热板设置在内衬与腔室底壁之间，且分别与二者相接触；接地件嵌套在导热板中，且分别与内衬和腔室底壁电连接。在导热板上设置有凹部，且对应地在接地件上设置有凸部，该凸部与凹部相接触，以实现导热板与接地件的电导通。本发明提供的内衬接地组件，其可以增加内衬的接地导通路径，增大导通截面，从而可以提高内衬的接地性能。

    射频返回路径的阻抗的控制
    58.
    发明授权
    射频返回路径的阻抗的控制 有权

    公开(公告)号：CN104517794B

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：CN201410494730.1

    申请日：2014-09-24

    申请人： 朗姆研究公司

    发明人： 阿列克谢·马拉霍塔诺夫 ,  拉金德尔·迪恩赛 ,  肯·卢彻斯 ,  卢克·奥巴伦德

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/02

    CPC分类号： H01J37/32183

    摘要： 本发明涉及射频返回路径的阻抗的控制。具体而言，一种用于控制射频(RF)返回路径的阻抗的系统包括匹配盒，该匹配盒进一步包括匹配电路。该系统进一步包括射频发生器，该射频发生器与匹配盒联接上以经由射频供应路径的第一部分供应射频供应信号到匹配盒。射频发生器联接到匹配盒以经由射频返回路径的第一部分接收射频返回信号。该系统还包括开关电路以及经由射频返回路径的第二部分与该开关电路联接上的等离子体反应器。等离子体反应器经由射频供应路径的第二部分联接到匹配电路。该系统包括联接到所述开关电路上的控制器，所述控制器被配置成基于调节配方控制所述开关电路以改变所述射频返回路径的阻抗。

    一种多工位高低温靶台
    59.
    发明授权
    一种多工位高低温靶台 有权 转让

    公开(公告)号：CN104392885B

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：CN201410637727.0

    申请日：2014-11-13

    申请人： 北京中科信电子装备有限公司

    发明人： 马国宇

    IPC分类号： H01J37/317 ,  H01J37/244 ,  H01J37/02

    摘要： 本发明公开了一种多工位高低温靶台。所述高低温靶台包括靶壳，以及装在靶壳上并可绕靶壳旋转的旋转靶体；所述旋转靶体周向装有多个用于装夹晶片的冷靶、一个法拉第组件和至少一个用于装夹晶片的热靶；所述热靶内设有加热组件，所述旋转靶体内设有对冷靶进行冷却的结构；所述旋转靶体、冷靶、热靶和法拉第组件通过密封均置于真空中；所述旋转靶体一侧设有对束流扫描范围进行检测的过扫装置，在过扫装置与旋转靶体之间设有将束流注入到晶片上的束流注入通道。本发明可以方便快捷地对需要注入离子的晶片进行加热或降温，实现晶片的高温或低温注入。