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公开(公告)号：CN1647209A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03808515.1
申请日：2003-02-05
申请人： 微米技术有限公司
发明人： T·L·吉尔顿
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C17/14 , H01L45/085 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： 可编程多数据状态存储单元包括由第一导电材料形成的第一电极层、由第二导电材料形成的第二电极层、以及置于该第一和第二电极层之间的第一层金属掺杂硫族化物材料。该第一层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第一和第二电极层电耦合在一起。该存储单元还包括由第三导电材料形成的第三电极层，以及置于该第二和第三电极层之间的第二层金属掺杂硫族化物材料，该第二层提供一种媒质，其中可以形成导电生长以便将第二和第三电极层电耦合在一起。
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公开(公告)号：CN1643612A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN03805754.9
申请日：2003-01-02
申请人： 微米技术有限公司
发明人： H·内贾德
CPC分类号： H01L27/222 , G11C11/16
摘要： 本发明包括磁阻存储器件。该器件包括存储位(20)，其中包含具有第一磁层(22)、第二磁层(24)以及第一和第二磁层之间的非磁层(26)的堆叠层。第一导线(18)最接近堆叠层，并被配置用于从存储位中读取信息。第二导线(14)与堆叠层间隔的距离比第一导线与堆叠层间隔的距离要大，并被配置用于向存储位写入信息。本发明还包括在交叉点阵列体系结构中存储和检索信息的方法。
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公开(公告)号：CN1636196A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN02815365.0
申请日：2002-06-06
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： G06F13/00
CPC分类号： G11C29/028 , G06F13/1694 , G11C7/1072 , G11C7/1078 , G11C7/1093 , G11C11/401 , G11C29/50012 , G11C2207/2254
摘要： 公开了一种用于准确确定存储器设备上相对于写时钟数据的实际到达，以便准确对准存储器设备上数据捕获的开始和数据到达的方法和装置。在存储器设备的输入上数据到达的实际时间是通过将背对背写命令连同预定数据模式一起发送给存储器设备来确定的。数据模式存储在寄存器中，预测的数据到达时间和实际的数据到达时间之间的差异通过逻辑电路来确定。任何确定的差异皆可以通过延迟存储器设备上数据捕获的开始来补偿，由此准确对准存储器设备上数据捕获的开始和数据的到达。
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公开(公告)号：CN1618104A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02827907.7
申请日：2002-12-05
申请人： 微米技术有限公司
发明人： J·W·扬岑
IPC分类号： G11C7/10
CPC分类号： G11C7/1033
摘要： 一种存储器件包含多个存储单元阵列和用于从所述存储单元读出信息和向所述存储单元写入信息的外围设备。外围设备包含响应地址信息的第一部分而标识一个地址并进一步响应该地址信息的第二部分而标识一个次序的解码电路。该地址可以是个读地址或写地址，该次序分别可以是读数据或写数据的次序。外围设备也可包括一个读定序器电路，或者既包括一个写定序器电路又包括一个读定序器电路，用于响应地址信息的另一个部分，按照可能的具体情况对要写或读出的位重新排序。必要的地址信息被一个地址定序器输送到定序器电路。也公开了操作这样一个存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN1613117A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN02827043.6
申请日：2002-11-14
申请人： 微米技术有限公司
发明人： J·G·迪克
CPC分类号： G11C11/16 , G11C11/15 , G11C11/155 , G11C11/161
摘要： 一种用于MRAM装置的不对称单元和比特设计。该设计相对于单元的易磁化轴是不对称的，并且具有沿单元的难磁化轴偏离比特中心的质心。这种不对称性足够大，使得制造工艺变化不会实质地改变比特的转换磁场。另外，不对称性使比特的端部在小半选磁场中调整到相反方向，而在大半选磁场中彼此平行，这增加了所选和未选比特之间转换磁场的差异。这两种特性的组合作用因所选和未选比特转换分布之间较少重叠而产生提高的比特成品率(相对于类似大小的对称比特而言)。
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公开(公告)号：CN1606486A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN02825566.6
申请日：2002-12-17
申请人： 微米技术有限公司
发明人： G·M·萨布德
CPC分类号： B24D3/00 , B24B7/228 , B24B21/04 , B24B37/042 , Y10T428/12944
摘要： 一种平面化方法，其中包括提供包含VIII族金属的表面(优选包含铂的表面)，在平面化组合物存在下，将其放到与固定磨料制品接触的位置上，其中固定磨料制品包括硬度不大于约6.5Mohs的许多磨料粒子，它们分散在粘附在底板材料至少一个表面上的粘合剂中。
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公开(公告)号：CN1507655A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02805914.X
申请日：2002-02-22
申请人： 微米技术有限公司
发明人： 布伦达·D·克劳斯 , 米歇尔·T·安德烈亚斯
IPC分类号： H01L21/3213
CPC分类号： H01L28/65 , C09K13/00 , C09K13/08 , H01L21/32134
摘要： 一种从基片表面除去硅化钌的方法，该方法包括将硅化钌表面暴露在含有氯和氟的化学品溶液中。具体而言，所述的溶液是用于与所述的硅化钌膜进行反应，以便形成水溶性的反应产物。
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公开(公告)号：CN1502133A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02804798.2
申请日：2002-02-06
申请人： 微米技术有限公司
发明人： L·福尔贝斯
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L29/66825 , G11C29/789 , H01L21/84 , H01L27/115 , H01L27/11553 , H01L27/11556 , H01L27/1203 , H01L29/7881
摘要： 本发明提供用于可编程存储器的寻址和译码器电路的结构和方法。存储器寻址和译码器电路包括多条地址线和多条输出线，由此地址线和输出线形成一个阵列。多个垂直柱体在输出线和地址线交叉处从半导体衬底向外延伸。每个柱体包括由氧化层分隔的单晶的第一接触层和第二接触层。靠近该多个垂直柱体选择性地设置多个单晶的超薄垂直浮栅晶体管。每个单晶的垂直浮栅晶体管包括耦连到第一接触层的超薄单晶垂直的第一源/漏区、耦连到第二接触层的超薄单晶垂直的第二源/漏区、以及与氧化层相对设置并耦连第一和第二源/漏区的超薄单晶垂直体区。浮栅与超薄单晶垂直体区相对。多条地址线的每一条地址线作为一个控制栅、设置在柱体的行之间并与单晶垂直浮栅晶体管的浮栅相对。
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公开(公告)号：CN1151484C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN97194630.2
申请日：1997-03-03
申请人： 微米技术有限公司
CPC分类号： G09G5/395
摘要： 本文介绍从/向FIFO(205)读、写显示数据(213)的方法和装置。存储器控制器(203)从存储器提取显示数据并将该显示数据写到FIFO。输出显示控制器(207)生成由FIFO接收的FIFO读信号(211)，根据该FIFO读信号，显示数据项被从FIFO中顺序读出，传输到输出显示器。可编程存储器电路(237)存储一个指向FIFO中某特定显示数据项的指针值。选择该指针值以使FIFO中发生上溢(241)和下溢情况的可能性最小化。本装置具有动态地适应有不同的系统时钟(217)与视频时钟(219)频率的不同的计算机系统配置。
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公开(公告)号：CN1218564A
公开(公告)日：1999-06-02
申请号：CN97194399.0
申请日：1997-03-04
申请人： 微米技术有限公司
发明人： M·斯里蒂
IPC分类号： G06F13/00
CPC分类号： G06F13/28
摘要： 提供了一种利用直接存储器访问(DMA)控制器(101)进行字节交换的装置和方法。在一个计算机系统中,将一个外设部件的DMA控制器通过一条总线(40)连接到系统存储器(20)。该DMA控制器接收一个命令指针(220)启动一个存储器访问操作。该命令指针指示在命令表(24)中由该DMA控制器执行的第一个DMA命令的位置。每一个DMA命令包括给出开始地址的一个地址字和指示存储器中要访问的数据字的数目的长度字。由于存储在存储器中的数据是双字对齐的,不需要该长度字的两个低数据位进行存储器访问,而是使用它们用来指示在存储器访问期间要在该数据上进行的任一字节交换。在一个存储器访问中,DMA控制器根据该长度字的两个低数据位将每一个双字数据中的字节进行交换。
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