离子束照射装置和离子束电流均匀化方法

    公开(公告)号:CN105609397A

    公开(公告)日:2016-05-25

    申请号:CN201510569675.2

    申请日:2015-09-09

    Abstract: 本发明提供离子束照射装置(100)等,能够在短时间内且稳定性良好地进行束电流的均匀化。在实现离子束的均匀化的均匀控制步骤中,所述控制装置执行:权重系数计算步骤,计算作为各灯丝电流(IF)的变化对各束电流(IB)的变化的影响程度的权重系数;以及灯丝理论电流计算步骤,根据在所述权重系数计算步骤中得到的权重系数,计算用于使各束电流(IB)的值尽可能接近规定的目标电流值的各灯丝的理论电流值。

    基板输送装置和使用该基板输送装置的半导体制造装置

    公开(公告)号:CN103295943B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201210425485.X

    申请日:2012-10-30

    Inventor: 小野田正敏

    Abstract: 本发明提供基板输送装置和使用该基板输送装置的半导体制造装置,能防止因使用于使基板输送台移动的杆动作而导致的粉尘等在真空室内飞散,并能容易地进行微调和维护。所述基板输送装置包括基板输送台(4)、肘节连杆机构(1)和多个杆(21),多个杆贯通形成真空室(9)或预真空室(8)的壁体,连接所述基板输送台(4)和所述肘节连杆机构(1)之间,所述肘节连杆机构(1)通过所述肘节连杆(11)的屈伸使所述杆(21)进退,由此使所述基板输送台(4)移动,在所述肘节连杆(1)处于伸展状态下,所述基板输送台(4)配置在堵塞位置,在该基板输送装置中设有密封结构(3),气密地密封所述杆(21)和所述壁体之间的间隙。

    能量线照射系统和工件输送机构

    公开(公告)号:CN104103554A

    公开(公告)日:2014-10-15

    申请号:CN201310567012.8

    申请日:2013-11-14

    Abstract: 本发明提供能量线照射系统和工件输送机构,能大幅度改善生产率,并且有助于有效地利用能量线。能量线照射系统包括能量线射出机构、以及把照射所述能量线的工件(W)在规定的工件交接区域和能量线的照射区域(AR)之间输送的工件支架(21),把所述工件交接区域设置在隔着通过所述照射区域(AR)的虚拟直线(C)相对的两个部位,并且作为所述工件支架(21)设置有:第一工件支架(21(1)),在一方的工件交接区域和所述照射区域(AR)之间移动;以及第二工件支架(21(2)),在另一方的工件交接区域和所述照射区域(AR)之间移动。

    用于离子源的磁场源
    65.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104051208A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201310684726.7

    申请日:2013-12-13

    CPC classification number: H01J27/022 H01J27/205

    Abstract: 本发明涉及用于离子源的磁场源。提供了一种离子源,包括电离室和两个磁场源。电离室具有贯穿其延伸的纵轴并且包括两个相对的室壁,每个室壁平行于纵轴。两个磁场源各自包括(i)芯和(ii)大致缠绕芯的线圈。每一磁场源与相对的室壁中相应一个的外部表面对准并与其接近,并且取向大致平行于纵轴。磁场源的芯彼此在物理上分开并且电隔离。

    离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法

    公开(公告)号:CN103515172A

    公开(公告)日:2014-01-15

    申请号:CN201310081172.1

    申请日:2013-03-14

    Inventor: 松本武

    Abstract: 本发明提供离子束照射装置和离子束照射装置的运转方法,能对离子束照射装置进行清洗,并且能显著提高装置的运转率。所述离子束照射装置包括:基板输送部(102),在盒(7)和处理室(5)之间对未处理的基板与离子束照射处理过的基板进行多次基板更换作业;以及离子束供给部(101),用于向处理室(5)供给离子束(3),与至少一次的基板更换作业并行地,对离子束供给部(101)的运转参数进行设定变更并对离子束供给部(101)内进行清洗。

    基板输送装置和使用该基板输送装置的半导体制造装置

    公开(公告)号:CN103295943A

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN201210425485.X

    申请日:2012-10-30

    Inventor: 小野田正敏

    Abstract: 本发明提供基板输送装置和使用该基板输送装置的半导体制造装置,能防止因使用于使基板输送台移动的杆动作而导致的粉尘等在真空室内飞散,并能容易地进行微调和维护。所述基板输送装置包括基板输送台(4)、肘节连杆机构(1)和多个杆(21),多个杆贯通形成真空室(9)或预真空室(8)的壁体,连接所述基板输送台(4)和所述肘节连杆机构(1)之间,所述肘节连杆机构(1)通过所述肘节连杆(11)的屈伸使所述杆(21)进退,由此使所述基板输送台(4)移动,在所述肘节连杆(1)处于伸展状态下,所述基板输送台(4)配置在堵塞位置,在该基板输送装置中设有密封结构(3),气密地密封所述杆(21)和所述壁体之间的间隙。

    离子注入装置
    68.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102800550A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201210067360.4

    申请日:2012-03-14

    Abstract: 本发明提供离子注入装置,其包括质量分离磁铁,即使在伴随基板尺寸的大型化,带状离子束的长度方向的尺寸增大的情况下,与以往的技术相比,该质量分离磁铁的耗电量小、磁极间的磁场分布均匀且尺寸小。离子注入装置包括:离子源,生成带状离子束;质量分离磁铁,具有一对磁极,该一对磁极隔着离子束的主平面相对设置,通过在磁极之间产生的磁场,使离子束的行进方向在离子束的长度方向上偏转;分析狭缝,使包含所希望的离子种类的离子束通过;处理室,配置有基板,通过分析狭缝后的离子束照射到该基板上。在磁极之间产生的磁场的方向倾斜地横穿通过质量分离磁铁内部的离子束的主平面。

    离子注入装置
    69.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102683147A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110300414.2

    申请日:2011-09-29

    Abstract: 本发明提供一种离子注入装置,以廉价且简单的装置结构,能够防止离子源产生的微粒混入基板。本发明的离子注入装置(IM)包括:离子源(1),通过离子束引出口(14)朝向与重力方向(G)交差的方向引出离子束(2);输送盘(7),装载有基板(4);掩模(5),安装在输送盘(7)上,且至少具有一个开口部(6);以及驱动机构,通过使输送盘(7)在与离子束(2)交差的方向上移动,使离子束(2)经过掩模(5)上形成的开口部(6),对基板的规定区域进行照射。该离子注入装置还包括防尘板(11),在沿重力方向(G)观察离子束引出口(14)时,该防尘板(11)覆盖离子束引出口(14)的下方,并且不妨碍离子束(2)照射基板(4)。

    狭缝电极和具有该狭缝电极的带电粒子束发生装置

    公开(公告)号:CN102683144A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201110306371.9

    申请日:2011-10-11

    Abstract: 本发明提供狭缝电极和具有该狭缝电极的带电粒子束发生装置,当带电粒子束发生装置运转时,使狭缝状开口部的形状难以产生热变形。狭缝电极(1)包括:电极框体(2),具有开口部(3);以及多个电极单元(U),能装拆地安装在电极框体(2)上。各电极单元(U)包括:多根电极棒(5),并列设置在开口部(3)内;以及一组电极棒支承构件(6),隔着开口部(3)支承各电极棒(5)的长度方向的端部。

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