公开(公告)号：CN101911206B

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN200880122646.X

申请日：2008-11-05

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： T·库玛尔

IPC分类号： G11C13/02

CPC分类号： G11C11/5685 ,  G11C11/5692 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

摘要： 一种编程非易失性存储器件的方法，包括(i)提供包含有与至少一个金属氧化物串联的二极管的非易失性存储单元，(ii)施加第一正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第一状态变化到第二状态；(iii)施加第二正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第二状态变化到第三状态；以及(iv)施加第三正向偏置，将金属氧化物的电阻率状态从第三状态变化到第四状态。第四电阻率状态高于第三电阻率状态，第三电阻率状态低于第二电阻率状态，而第二电阻率状态低于第一电阻率状态。

公开(公告)号：CN102077295B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980124529.1

申请日：2009-06-26

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： 罗伊·E·朔伊尔莱因

IPC分类号： G11C13/00 ,  G11C7/22 ,  G11C7/12

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C7/12 ,  G11C7/22 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71

摘要： 一种非易失性存储系统，包括：基底；在基底上的控制电路；包括多个具有可逆电阻切换元件的存储器单元的三维存储器阵列(在基底之上)；以及用于设置和复位电阻切换元件的电路。复位电阻切换元件的电路向存储器单元提供脉冲，该脉冲的幅度大小足以设置和复位存储器单元，而长度足以可能复位存储器单元但不足以设置存储器单元。

公开(公告)号：CN101681921B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880016582.5

申请日：2008-03-26

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： S·B·赫纳 ,  R·E·逆伊尔莱因

IPC分类号： H01L27/28 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24 ,  G11C13/02 ,  H01L29/06 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L29/0673 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2454 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L29/0665 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L51/0048

摘要： 本发明公开一种可重写的非易失性存储器单元，其包括与碳纳米管织物串联的转向元件。该转向元件优选是二极管，但也可以是晶体管。所述碳纳米管织物在经受适当电脉冲时可逆地改变电阻率。碳纳米管织物的不同电阻率状态可被感测，且可对应于存储器单元的不同数据状态。这种存储器单元的第一存储器级可以在衬底上单片形成，第二存储器级在该第一存储器级上方单片形成，依此类推，形成堆叠存储器级的高密度单片三维存储器阵列。本发明还公开一种形成可重写的非易失性存储器单元的方法以及各种其他方面。

公开(公告)号：CN101506897B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN200780031596.X

申请日：2007-07-31

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： 罗伊·E·朔伊尔莱因 ,  卢卡·G·法索利

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/00

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C8/12 ,  G11C8/14

摘要： 本发明描述用于对可编程且在一些实施例中可重写的无源元件存储器单元的示范性存储器阵列进行解码的电路和方法，所述电路和方法尤其对具有一个以上存储器平面的极为密集的三维存储器阵列有用。另外，本发明描述用于选择此存储器阵列的一个或一个以上阵列区块、用于选择选定阵列区块内的一个或一个以上字线和位线、用于向选定阵列区块内的选定存储器单元传递数据信息和从其传递数据信息以及用于向未选定阵列区块传递未选定偏置条件的电路和方法。

公开(公告)号：CN101904008B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200880117519.0

申请日：2008-09-26

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： Y·塔纳卡 ,  S·J·拉迪干 ,  U·拉古拉姆

IPC分类号： H01L27/102

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/1021

摘要： 一种半导体晶片组件包括电介质基底。在其上方沉积硅层。在硅上方沉积金属硬掩模。在金属硬掩模上方沉积电介质硬掩模。在电介质硬掩模上方沉积光刻胶，由此多个牺牲柱由穿过光刻胶的金属硬掩模层形成，以便牺牲柱从硅层延伸出。界面层被设置在导电材料层和硬掩模层之间以增强多个牺牲柱中的每一个与导电材料层之间的粘合，从而通过防止由于牺牲柱脱落或跌落而使多个牺牲柱过早地从硅层上脱离来优化由硅形成结型二极管。

公开(公告)号：CN102754160A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201080056156.1

申请日：2010-12-13

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： 戈皮纳特·巴拉科瑞斯南 ,  杰弗里·库恩·伊·李 ,  张宇恒 ,  刘滋易 ,  卢卡·法索利

IPC分类号： G11C5/02 ,  G11C17/16 ,  G11C13/02 ,  G11C13/00

CPC分类号： G11C5/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C5/02 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/025 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/19 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71

摘要： 非易失性存储装置包括：衬底，在衬底的一部分上方的非易失性存储元件的单片式三维存储器阵列，与非易失性存储元件通信的多个感测放大器，与感测放大器通信的多个临时存储装置，与临时存储装置通信的页寄存器及一个或多个控制电路。一个或多个控制电路与页寄存器、临时存储装置和感测放大器通信。感测放大器在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。临时存储装置在衬底上、单片式三维存储器阵列下方。页寄存器在衬底上、在未处于单片式三维存储器阵列下方的区域中。响应于一个或多个控制电路，感测放大器从非易失性存储元件读出的数据被传送至临时存储装置，随后传送至页寄存器。响应于一个或多个控制电路，待编程到非易失性存储元件中的数据从页寄存器传送至临时存储装置。

公开(公告)号：CN102612748A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201080040859.5

申请日：2010-07-13

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： R·马卡拉 ,  V·邓顿 ,  Y·田中 ,  S·麦斯威尔 ,  T·张 ,  S·J·瑞迪格安

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16

摘要： 一种制造半导体器件的方法，其包括：在底层之上形成包括籽晶材料的第一层；在第一层之上形成包括牺牲材料的第二层，牺牲材料不同于籽晶材料；将第一层和第二层图形化为多个分离的特征部；在多个分离的特征部之间形成绝缘填充材料；从分离的特征部中去除牺牲材料，从而在绝缘填充材料中形成多个开口，使得籽晶材料暴露于多个开口中；以及在多个开口中暴露的籽晶材料上生长半导体材料。

公开(公告)号：CN102592666A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201110447977.4

申请日：2006-05-05

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： S·布拉德·赫纳 ,  坦迈·库马尔 ,  克里斯托弗·J·佩蒂

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/24

CPC分类号： H01L27/249 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146

摘要： 本发明涉及包括二极管和电阻切换材料的非易失性存储器单元。在一种形成于衬底上方的新颖的非易失性存储器单元中，二极管与可逆电阻切换材料配对，所述材料优选为例如NixOy、NbxOy、TixOy、HdxOy、AlxOy、MgxOy、CoxOy、CrxOy、VxOy、ZnxOy、ZrxOy、BxNy和AlxNy等金属氧化物或氮化物。在优选实施例中，所述二极管形成为设置在导体之间的垂直支柱。可堆叠多个存储器层级以形成单片三维存储器阵列。在一些实施例中，所述二极管包括锗或锗合金，其可在相对较低温度下沉积和结晶，从而允许在所述导体中使用铝或铜。本发明的存储器单元可用作可重写存储器单元或一次性可编程存储器单元，且可存储两种或两种以上数据状态。

公开(公告)号：CN101681914B

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200880017712.7

申请日：2008-03-26

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： S·B·赫纳

IPC分类号： H01L27/102

CPC分类号： H01L45/122 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C17/16 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/149 ,  H01L45/16 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/842

摘要： 本发明公开了一种沉积硅、锗、或硅锗形成的上指PIN二极管。该二极管具有底层重掺杂P型区、中间本征或轻掺杂区和上层重掺杂N型区。上层重掺杂P型区掺杂砷，并且二极管的半导体材料在接触合适的硅化物、锗化物或硅锗化物时被结晶。可以形成大阵列的此上指二极管，当在二极管上施加大于导通电压的电压时，穿过该阵列的电流均匀性极佳。该二极管可以有利地用于单片三维存储器阵列中。本发明还公开了形成大量上指PIN二极管的方法和许多其他方面。

公开(公告)号：CN102163133A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110064163.2

申请日：2005-07-22

申请人： 桑迪士克3D公司

发明人： 克里斯托弗·S·穆尔 ,  阿德里安·杰戴 ,  马特·弗鲁因 ,  杨佳 ,  德里克·博施

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F12/02 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F3/08 ,  G06F3/0607 ,  G06F3/0661 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0238 ,  G06F2212/1032 ,  G06F2212/1036 ,  G06F2212/2142 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7207

摘要： 本发明涉及针对具有可擦除/可重写存储器使用带有主机装置的一次或数次可编程存储器的方法及装置。本文描述的实施例可用于使得一次或数次可编程存储器能与现有消费者电子装置(例如与快闪——可擦除、非易失性存储器一起工作的那些装置)一起工作而不需要一固件升级，从而提供逆向兼容性且同时将用户冲击减到最小。因此，这些实施例是一种将一次或数次可编程存储器与具有闪存卡插槽的现有消费者电子装置桥接的可行方式。这些实施例还允许设计出未来消费者电子装置而不必为了包括针对一次或数次可编程存储器定制的文件系统来更新固件。