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公开(公告)号:CN101521295B
公开(公告)日:2014-11-26
申请号:CN200910009573.X
申请日:2009-02-23
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 鹈川晋作
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/621 , H01M4/623 , H01M10/0565 , H01M2300/0085
Abstract: 本发明公开了一种非水电解质二次电池和负极,该非水电解质二次电池包括正极、负极和非水电解质,其中负极包含含有粘结剂的负极混合物;并且粘结剂包含聚偏二氟乙烯和聚丙烯腈,其中聚偏二氟乙烯与聚丙烯腈的质量比为99.9/0.1~95.1/4.9。
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公开(公告)号:CN104079564A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410263749.5
申请日:2007-09-14
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 铃木英之
CPC classification number: H04L63/0823 , H04L63/162 , H04W12/08 , H04W84/18
Abstract: 本发明提供一种无线通信系统、无线通信装置及其认证方法。在无线通信系统中,多个无线通信装置以分布式自主方式而形成网络。该多个无线通信装置中的每个包括:识别信息获取器,其从满足预定条件的另一无线通信装置获取该另一通信装置的识别信息;识别信息保持器,其保持所获取的另一无线通信装置的识别信息;以及认证单元,其在另一无线通信装置的认证中,如果另一无线通信装置的证书中的识别信息保持在识别信息保持器中,则继续认证。
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公开(公告)号:CN104078646A
公开(公告)日:2014-10-01
申请号:CN201410265883.9
申请日:2008-07-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01M4/04 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M10/0525 , H01M10/0567
CPC classification number: H01M4/0404 , H01M4/134 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M10/0525 , H01M10/0567 , Y10T29/49108 , H01M4/38
Abstract: 本发明涉及负极、电池以及制造它们的方法。本发明的负极包括:设置在负极集电体上的负极活性物质层上的覆盖层;其中,活性物质层含有能够使电极反应物嵌入并脱嵌且具有金属元素及准金属元素中的至少一种的负极材料,覆盖层包括含有硫及氧的金属盐;其中,通过利用飞行时间二次离子质谱的表面分析,得到选自由作为正二次离子的Li3SO4+、Li3SO3+、Li2SO3+、及Li2SO2+和作为负二次离子的LiSO4-、LiSO3-、SO3-、及SO2-组成的组的离子的至少一个峰。该电池包括正极、负极及电解液。本发明的负极、电池以及制造它们的方法可以有效地改善循环特性。
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公开(公告)号:CN104010242A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410112155.4
申请日:2007-01-12
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H04R1/10
CPC classification number: H04R1/1016 , H04R1/02 , H04R1/10 , H04R1/1008 , H04R1/1033 , H04R1/1058 , H04R1/1066 , H04R1/1091 , H04R1/2807 , H04R1/34 , H04R1/345 , H04R29/001 , H04R2499/11
Abstract: 一种耳机装置,包括:具有驱动器单元的外壳;和装配在所述外壳的前表面上以从该前表面突出的声音导管,其中所述声音导管布置在偏离所述外壳的中心位置的位置处。
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公开(公告)号:CN103999305A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201280062606.7
申请日:2012-09-19
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/30 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3201 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2304/04
Abstract: 提供能够缩小光封闭性的降低并且降低驱动电压的氮化物半导体激光器。在半导体区域(19)中,发光层(13)的活性层(25)、第一包覆区域(21)以及第二包覆区域(23)设置在主面(17a)上。第二包覆区域(23)包括第一p型III族氮化物半导体层(27)以及第二p型III族氮化物半导体层(29)。第一p型III族氮化物半导体层(27)由AlGaN层构成,第二p型III族氮化物半导体层(29)由与该AlGaN层不同的半导体构成。该AlGaN层内含各向异性的应变。第一p型III族氮化物半导体层(27)设置在第二p型III族氮化物半导体层(29)与活性层(25)之间。第二p型III族氮化物半导体层(29)的电阻率(ρ29)低于第一p型III族氮化物半导体层(27)的电阻率(ρ27)。
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公开(公告)号:CN101546778B
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN200910129835.6
申请日:2009-03-26
Applicant: 索尼株式会社
Inventor: 约翰·伦尼
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14621 , H01L27/14629
Abstract: 本发明提供一种固体摄像元件及其制造方法、电子设备以及电子设备的制造方法,即使像素尺寸减小也不会产生混色。本发明的固体摄像元件包括:设有对应于各个像素(10B、10G、10R)的光接收部的基体(硅基板)1、在各个像素(10B、10G、10R)的光接收部的上方分别设置一个以上且由透光的材料构成的棒状部件(杆)(3)。
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公开(公告)号:CN102254926B
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN201110226436.9
申请日:2007-08-20
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1461 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L27/14818 , H01L27/14868
Abstract: 可以同时实现充分的空穴积聚层和暗电流的减少。固态成像装置(1)包括对入射光进行光电转换的光接收部分(12)。该固态成像装置(1)具有形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上以降低界面态的膜(21),以及形成在形成为降低界面态的膜(21)上且具有固定负电荷的膜(22)。空穴积聚层(23)形成在光接收部分(12)的光接收表面(12s)上。
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公开(公告)号:CN101651832B
公开(公告)日:2014-08-13
申请号:CN200910161859.X
申请日:2009-08-05
IPC: H04N19/42 , H04N19/503 , H04N19/587 , H04N19/59
CPC classification number: G06T3/4053 , H04N7/147 , H04N19/426 , H04N19/51 , H04N19/59
Abstract: 本发明公开了在嵌入式设备中提供较高分辨率图像的方法和装置。描述了通过对经过压缩的图像序列和一个或多个运动向量执行超分辨率技术来在嵌入式设备中提供较高分辨率图像的方法和装置。在一个示例中,该方法包括使用视频压缩技术来压缩包括多个较低分辨率的图像的图像序列,并且对经过压缩的图像序列应用超分辨率技术来生成较高分辨率的图像。
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公开(公告)号:CN103959580A
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN201280051908.4
申请日:2012-06-22
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 索尼株式会社
CPC classification number: H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
Abstract: 本发明能够提供一种氮化物半导体发光元件,具有能够降低来自半导体隆脊的载流子的横向扩散的构造。在{20-21}面上的半导体激光器中,在空穴能带中在该异质结生成二维空穴气。生成二维空穴气的异质结从半导体隆脊位置偏离时,该二维空穴气引起p侧的半导体区域中载流子的横向扩散。另一方面,在c面上的半导体激光器中,在空穴能带中该异质结不产生二维空穴气。异质结HJ包含在半导体隆脊中时,在从半导体隆脊流出的载流子,不存在因二维空穴气的作用而产生的横向扩散。
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公开(公告)号:CN101763182B
公开(公告)日:2014-07-30
申请号:CN200910259711.X
申请日:2009-12-23
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G06F3/0354 , G06F3/0338 , G06F3/041 , G06F3/0484
CPC classification number: G06F3/0346 , G06F3/04815 , G06F3/0484 , G06F3/0485
Abstract: 本发明公开了输入装置、控制装置、控制系统、电器和控制方法,在本发明中,检测部对沿两个正交轴的用户操作的加速度值和角速度值进行检测。变换部改变基于加速度值和角速度值中至少一者计算的第一速度值与第二速度值的比率。发送部把已被改变了比率的第一速度值和第二速度值进行发送。存储部存储第一速度值和第二速度值的历史值。判断部判断历史值的合成矢量的方向。变换部根据合成矢量的方向、从第一操作方向算起的第一角度范围和在从第二操作方向算起的第二角度范围使滚动方向偏向于第一方向或第二方向。角度范围控制部根据合成矢量的方向对第一角度范围和第二角度范围进行可变的控制。本发明能够改善在使显示于画面上的图像滚动时的操作感。
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