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公开(公告)号：CN102473669B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201080029054.0
申请日：2010-06-15
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 马修·汉森
IPC: H01L21/683 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70783 , G03F7/703 , G03F7/707 , G03F7/70708 , H01L21/6833
Abstract: 提供系统和方法用于使用图像补偿可寻址的静电卡盘以校正光刻系统的成像误差。图像补偿可寻址的静电卡盘包括基底、多个第一电极、多个第二电极以及支撑层。多个第一电极设置在基底上并且沿第一方向均匀间隔开。多个第二电极设置在基底上并且沿第二方向均匀地间隔开，所述第二方向与第一方向大体正交。支撑层设置在多个电极上方以支撑物体。多个第一电极和第二电极的位置交叠部分形成静电作用力点的矩阵，使得在给与给定作用力点相关的多个第一电极和第二电极对通电时，不均匀静电作用力在给定作用力点的附近作用在物体上。
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公开(公告)号：CN103713475A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201410009171.0
申请日：2009-04-14
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： R·G·M·兰斯博根 , G·H·哈罗德 , R·J·约翰森 , H·J·G·范德维登
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70741 , G03F7/70983 , H01L21/682
Abstract: 本发明提供了一种用于在真空光刻系统中移动和更换掩模版的方法和设备，且具有最小的颗粒产生和脱气。在本发明的例子中，可旋转交换装置(RED)的第一臂接收用于保持第一掩模版的第一基板。RED的第二臂支撑和缓冲第二基板。第一和第二基板被设置在距离RED的旋转轴线基本上等距的位置上。
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公开(公告)号：CN103064256A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201210316513.4
申请日：2012-08-30
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 皮特·C·康切尔斯伯格
CPC classification number: H02K41/03 , G03F7/70075 , G03F7/70091 , G03F7/70191 , G03F7/70825 , G05B19/402 , G05B2219/42231 , H02K2201/18 , H02P25/06
Abstract: 本发明公开了一种线性电机和包括线性电机的光刻布置。光刻设备包括均匀性校正系统。根据本发明的实施例，提供了一种光刻设备，包括：照射系统，配置成调节辐射束。照射系统包括定位在一平面处的均匀性校正系统，配置成在被用辐射束照射时容纳大致恒定的光瞳。所述均匀性校正系统包括配置成可移入与辐射束相交的位置和从与辐射束相交的位置移出的指状件，以便校正辐射束的相应部分的强度。线性电机致动器布置驱动指状件至它们相应的适合位置，用于补偿非均匀照射。由精确地操纵指状件的承载装置的控制系统来提供控制。
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公开(公告)号：CN101866112B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010111032.0
申请日：2010-02-02
Applicant: ASML控股股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70825 , G03F7/707 , G03F7/70716 , G03F7/70758 , G03F7/70783
Abstract: 本发明提供一种减少掩模版滑移的掩模版支撑装置。具体地，提供一种基本上消除在掩模版台移动期间的掩模版滑移或滑动的系统和方法。所述系统包括掩模保持系统、掩模驱动装置和支撑装置传送装置。掩模保持系统包括支撑装置和保持装置，其中所述保持装置将例如图案形成装置(例如具有图案的掩模版)的掩模可释放地耦合到支撑装置。掩模驱动装置可释放地连接到掩模以便提供加速力给掩模，使得光刻设备中的投影光学系统可以通过使用辐射束将由图案形成装置赋予的图案精确地投影到衬底的目标部分上。支撑装置传送装置耦合至所述掩模支撑装置，并同时地移动所述掩模支撑装置和所述掩模驱动装置。
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公开(公告)号：CN101910950B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200880122556.0
申请日：2008-12-18
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： C·J·马松
CPC classification number: G03F7/7085 , G01D5/34746 , G03F7/70291 , G03F7/70775
Abstract: 一种系统和方法被用于确定装置的参数(例如角度、位置、取向等)。第一部分包括辐射源，所述辐射源配置用以产生辐射束，所述辐射束被引导成从装置的反射部分反射。第二部分耦合到所述第一部分，并包括测量装置和可选的探测器，使得所述被反射的束透射通过所述测量装置到所述探测器上。基于所述被反射的束与所述测量装置的相互作用确定所述装置的参数。在一个示例中，第一和第二部分可以形成折叠光学编码器，其测量光刻设备内的扫描反射镜的角度或台的位置或取向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102597890A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050478.5
申请日：2010-11-12
Applicant: ASML控股股份有限公司
CPC classification number: G03H1/00 , G01N21/94 , G01N21/95607 , G01N21/95623 , G01N2021/95676 , G03F1/84 , G03H1/02 , G03H1/041 , G03H1/0443 , G03H1/08 , G03H2001/0204 , G03H2001/0452 , G03H2222/15 , G03H2222/43 , G03H2222/45 , G03H2223/12 , G03H2223/26 , G03H2223/53
Abstract: 公开了用于全息掩模检查的设备、方法和光刻系统。全息掩模检查系统(300，600，700)包括照射源(330)、空间滤光片(350)和图像传感器(380)。照射源配置成将辐射束(331)照射到掩模(310)的目标部分上。空间滤光片(350)布置在光学系统(390，610，710)的傅里叶变换光瞳平面中，其中空间滤光片接收来自所述掩模的目标部分的被反射的辐射束(311)的至少一部分。光学系统布置成组合(360，660，740)被反射的辐射束(311)的所述部分与参考辐射束(361，331)以产生组合的辐射束。此外，图像传感器(380)配置成捕获组合的辐射束的全息图像。图像可以包含一个或更多的掩模缺陷。
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公开(公告)号：CN101776848B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010117417.8
申请日：2006-04-19
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： 亚历山德·克麦里切克 , 亨利·西韦尔 , 路易斯·约翰·马克雅 , 埃里克·伦洛夫·卢布斯卓 , 尼古拉斯·腾凯特
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 一种液体浸没式光刻系统包括投影光学系统和喷洒头。所述投影光学系统配置用于以图案化的辐射束对衬底进行曝光。所述喷洒头包括第一喷嘴和第二喷嘴，所述第一喷嘴和第二喷嘴配置成在曝光操作过程中与衬底表面相隔不同距离。
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公开(公告)号：CN102460129A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080027901.X
申请日：2010-04-13
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
IPC: G01N21/94 , G01N21/956
CPC classification number: G03F1/84 , G01N21/94 , G01N21/95607 , G01N2021/95676 , G03H1/0443 , G03H2001/0264 , G03H2001/0447 , G03H2001/0456 , G03H2001/0458 , G03H2222/43 , G03H2223/12 , G03H2223/55
Abstract: 本发明公开用于物体检查的系统和方法，尤其是用在光刻过程中的掩模版检查。所述方法包括用干涉测量法结合参照辐射束与探测辐射束；和存储它们的复场图像。然后将一个物体的复场图像与参照物体的复场图像对比，以确定差值或差异。所述系统和方法在掩模版的缺陷检查中尤其有用。
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公开(公告)号：CN102129181A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110074053.4
申请日：2009-08-03
Applicant: ASML控股股份有限公司
Inventor： 哈里·斯维尔
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70466 , G03F7/70358 , G03F7/70433
Abstract: 本发明提供一种利用步进扫描系统进行的整个晶片宽度扫描过程。提供一种将图案写到衬底上的系统和方法。使用掩模版产生图案化的辐射束并将其投影到衬底上以曝光所述图案。控制掩模版和衬底的各自的扫描速度以允许图案沿扫描方向跨过整个衬底的宽度被曝光，同时使晶片生产能力的大幅度增长。
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公开(公告)号：CN101206688B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200710300969.0
申请日：2007-12-14
Applicant: ASML荷兰有限公司 , ASML控股股份有限公司
Inventor： 卡斯·塞格·鲁斯特 , 詹森·道格拉斯·赫因特斯汀尔 , 帕特克尔思·阿洛伊修斯·杰克布斯·提纳曼斯 , 温塞斯劳·A·塞布哈 , 罗纳德·P·奥尔布赖特 , 伯纳多·卡斯卓普 , 马丁内斯·亨卓克斯·亨卓克斯·胡克斯
CPC classification number: G03F7/70791 , G03F1/36 , G03F7/70283 , G03F7/70291 , G03F7/70441 , G03F7/705 , G03F7/70558
Abstract: 本发明公开了一种光刻系统、一种器件制造方法、一种定点数据优化方法和一种生产设备。所述定点数据优化方法包括产生用于控制无掩模系统中的独立可控元件阵列的元件动作的优化的定点数据。所述优化基于器件结构和/或剂量图案的估计，所述估计可以利用一种或多种下列因素：投影系统的低通特性、照射系统的构造以及工艺窗口属性。
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