公开(公告)号：CN105374933B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201510500987.8

申请日：2015-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金起园 ,  姜玟阿 ,  朴淳五 ,  朴容星 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。

公开(公告)号：CN109935682A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201811398018.6

申请日：2018-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成喆 ,  吴世忠 ,  尹相俊 ,  金哉勋 ,  南坰兑 ,  卢恩仙

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。

公开(公告)号：CN109750263A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811287314.9

申请日：2018-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金基雄 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  申喜珠 ,  吴世忠

IPC: C23C14/34 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了溅射装置和制造磁存储器件的方法。溅射装置包括：处理室；平台，位于处理室中并且被配置为在自身上加载基板；以及，第一溅射枪，位于处理室中的基板上方。第一溅射枪与基板水平地间隔开。第一溅射枪包括第一靶，第一靶包括第一端和第二端，第一端比第二端在水平投影平面上更靠近基板。第一靶的第一表面相对于基板的顶表面倾斜。第一靶的第二端相对于基板的顶表面的高度与第一靶的第一端相对于基板的顶表面的高度不同。

公开(公告)号：CN103794716B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201310532721.2

申请日：2013-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  吴世忠 ,  裵丙才 ,  郑大恩

IPC: H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  H01L43/12 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。

公开(公告)号：CN103579496B

公开(公告)日：2018-04-27

申请号：CN201310308784.X

申请日：2013-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞真 ,  金佑填 ,  权亨峻 ,  朴淳五 ,  朴钟撤 ,  吴世忠

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/02 ,  G11C11/1659 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。

公开(公告)号：CN102683580B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：CN102683580A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210072710.6

申请日：2012-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正宪 ,  吴世忠 ,  金佑填 ,  朴相奂 ,  李将银 ,  林佑昶

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/098 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  H01F10/123 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/303 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。

公开(公告)号：CN101256831A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810004459.3

申请日：2008-01-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白寅圭 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  南坰兑 ,  郑峻昊

IPC: G11C11/16

CPC classification number: G11C11/15 ,  G11C11/005 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/02 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  Y10S977/754 ,  Y10S977/935

Abstract: 一种集成电路存储器装置可以包括集成电路基底，以及在所述集成电路基底上的多位存储器单元。所述多位存储器单元可以被配置为：通过改变所述多位存储器单元的第一特性来储存第一数据位，以及通过改变所述多位存储器单元的第二特性来储存第二数据位。此外，所述第一和第二特性可以不同。还描述了相关方法。

公开(公告)号：CN1591673A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410056683.9

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永寄 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  白寅圭

IPC: G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G11C11/15 ,  H01F10/3204 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。