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公开(公告)号：CN112086529A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010854071.3
申请日：2020-08-24
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y30/00
Abstract: 本发明提供的多色柔性光电探测器，包括柔性衬底、制备于所述柔性衬底上的下层石墨烯电极、涂覆于所述下层石墨烯电极上的下层半导体量子点、形成于所述下层半导体量子点上的介电层、制备于所述介电层上的上层石墨烯电极、涂覆于所述上层石墨烯电极上的上层半导体量子点、设置于所述上层石墨烯电极的上层引线及设置于所述下层石墨烯电极的下层引线，本发明提供的多色柔性光电探测器利用石墨烯二维的特性，可以设计多功能层探测器结构，实现多色探测，利用量子点可随意附着在任何衬底的特性，可以选择超轻材料作为衬底，实现轻质探测载荷并实现360度超大广角的探测。另外，本发明还提供了一种多色柔性光电探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN109443555B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201811269463.2
申请日：2018-10-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01J11/00
Abstract: 本发明涉及一种基于主动淬灭主动恢复电路的单光子探测系统，解决了传统紫外单光子探测器淬灭电路淬灭或者恢复时间长而引起单光子探测器的探测效率低的问题，该系统包括输入光模块、偏压模块、探测芯片和主动淬灭主动恢复电路模块；输入光模块用于输出单光子级别的被测光至探测芯片；偏压模块用于施加反向偏压至探测芯片；主动淬灭主动恢复电路模块用于主动淬灭探测芯片产生的雪崩信号以及主动恢复探测芯片两端的偏压。本发明采用主动淬灭主动恢复电路模块实现雪崩信号的主动淬灭和偏压的主动恢复，有效的减小单光子探测系统的死区时间，从而提高计数率，进而提高单光子探测系统的探测效率。
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公开(公告)号：CN111455353A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010267123.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C23C16/458 , H01L21/687
Abstract: 本申请提供一种用于半导体材料外延生长设备中的托盘，其特征在于，包括凸型平面托盘底、内倾侧壁，以及所述凸状平面托盘底与所述内倾侧壁之间形成的凹槽结构。本申请的托盘可调控在高温时衬底的翘曲方向，从而控制外延层在降温过程中所受应力类型，抑制降温过程中外延层裂纹产生。
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公开(公告)号：CN110963484A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911335998.X
申请日：2019-12-23
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C01B32/186 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供了一种基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，涉及二维材料的应用技术领域。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，包括单层石墨烯薄膜的生长、掺杂层的生成、支撑层的贴附、催化金属衬底的去除、石墨烯薄膜转移的步骤，利用掺杂材料同时作为石墨烯转移的保护层和掺杂层，解决了现有石墨烯转移技术中石墨烯材料沾污、薄膜破损、电学性能差等诸多问题，还可以重复上述操作，转移制备逐层掺杂的大面积高质量多层石墨烯薄膜。本发明的基于掺杂层辅助的大面积高质量石墨烯无损转移方法，保证了释放到目标衬底上的石墨烯薄膜具有连续的表面形貌和完整的二维结构，同时改善了石墨烯的功函数和电导率。
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公开(公告)号：CN110797429A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201911084903.1
申请日：2019-11-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
Abstract: 应力调控氮化镓基红外-紫外双色光探测器及制备方法，属于半导体领域。本发明包括GaN单晶体材料；在GaN单晶体材料上，由左至右依次设置第一紫外光探测器电极、缓冲层、第二应力层和第二紫外光探测器电极；第二应力层两端分别与缓冲层和第二紫外光探测器电极侧面接触；设置在缓冲层上的二维氮化物薄膜层；在二维氮化物薄膜层上，由左至右依次设置第一应力层和红外光探测器电极；第一应力层两端分别与第一紫外光探测器电极和红外光探测器电极侧面接触。本发明解决了因晶格不匹配带来的红外-紫外光敏材料或探测系统集成困难、集成器件后红外探测系统的探测性能弱及双色集成探测器结构复杂的问题，本发明工艺流程简单、可操作性强、效果明显。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110767752A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911050371.X
申请日：2019-10-31
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 一种新型结构的底部沟槽栅极GaN-MOSFET器件及其制备方法涉及高功率开关半导体器件和制造该半导体器件的技术领域，该器件从下至上依次为衬底、n型GaN外延层、P型GaN外延层和在P型GaN外延层中离子注入一层n型GaN，在器件中形成底部沟槽结构，侧壁为SixNy/SiO2结构，沟槽深度穿过P型GaN外延层，到达n型GaN外延层，在沟槽结构底部生长一层P型GaN；在器件上表面和沟槽结构表面制作栅极绝缘层SixNy/SiO2双层结构，制作与上表面P型GaN外延层接触的源极接触电极Ti/Al，与栅极绝缘层SixNy/SiO2接触的栅极电极Ni/Au，与衬底接触的漏极电极Al。本发明保护了底部氧化物，有效降低了底部氧化物的最大电场，其具有更低能耗损失，更高的器件击穿电压，在较高温条件下工作以及器件良好的散热性能等优点。
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公开(公告)号：CN110349840A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910619280.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , B23K26/362 , B23K26/70
Abstract: 本发明涉及一种实现氮化物可控成核的二维材料复合衬底制备系统，解决现有技术中氮化物在二维材料上成核不可控的技术问题。所述制备系统包括：生长腔室，其顶盖上设置有X-Y位移平台，底部设置有生长平台；所述X-Y位移平台可在X和Y两个方向上移动，进而带动其上设置的激光光路系统相对于生长平台进行移动；激光器，其设置在生长腔室外；所述激光器发射的激光通过光纤被引入到生长腔室内的激光光路系统中，实现入射激光光束的分束控制，最终实现样品的激光刻蚀。本发明的制备系统为一种新型二维材料生长系统，为实现二维材料原位生长-图形化提供了一体化真空系统，为实现高质量二维材料的制备提供了平台，为氮化物可控成核生长提供了衬底制备基础。
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公开(公告)号：CN108091657A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711442499.1
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L27/115 , H01L27/108 , G11C16/00
Abstract: 本发明提供的非易失性存储器单元适用于Ⅲ族氮化物材料，且满足制备高密度全氮化物材料非易失性存储器件的要求。其中，Si3N4材料台面(7)作为阻抗开关层，实现存储功能。AlN材料台面(6)作为隧穿势垒层，缓解阻抗开关层(Si3N4材料台面)中存在的漏电通道对忆阻器稳定性的破坏，提升忆阻器的非易失性存储器开关过程的可靠性和状态稳定性。发展这种非易失性存储器单元，有望开发Ⅲ族氮化物半导体在发光、激光、光电探测以及高电子迁移率晶体管等应用领域之外的新用途，弥补其在存储器应用领域的空白，利于与氮化物半导体发光二极管、激光二极管、光电探测器以及高电子迁移率晶体管等实现基于全氮化物材料体系的单片光电集成。
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公开(公告)号：CN107093642A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710311942.5
申请日：2017-05-05
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/105 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/105 , B82Y30/00 , H01L31/032 , H01L31/035218
Abstract: 本发明公开了一种近红外探测器，该近红外探测器包括：衬底；生长在所述衬底上的缓冲层；生长在所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；填入在所述吸收层中的氧化铟锡纳米粒子；生长在所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层。该近红外探测器解决了现有技术中近红外探测器存在的问题，具备低暗电流和高量子效率特点。
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公开(公告)号：CN105895728A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610344859.3
申请日：2016-05-23
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/1055 , H01L31/1876
Abstract: 本申请公开了一种近红外探测器及其制备方法，其中，所述近红外探测器包括：衬底；位于所述衬底表面的缓冲层；位于所述缓冲层背离所述衬底一侧的吸收层；位于所述吸收层背离所述缓冲层一侧的窗口层；所述窗口层为二硫化钼层。二硫化钼可表现出P型半导体的性质，且在近红外波段具有很好的透光性，使其可以作为所述近红外探测器的窗口层；更为重要的是，所述二硫化钼层在近红外波段可以产生显著的表面等离激元效应，从而增强所述近红外探测器对入射近红外光的吸收(增强光捕获作用)，进而提高所述近红外探测器的量子效率。
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