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公开(公告)号：CN103155156A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180049540.3
申请日：2011-07-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/80 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/12 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7788 , H01L29/7789
Abstract: 本发明提供一种垂直半导体器件，在该垂直半导体器件中，通过固定p型GaN势垒层的电势，肯定可以稳定地提高夹断特性和击穿电压特性。半导体器件包括：具有开口28的GaN基叠层15；再生长层27，其包括定位为覆盖开口的壁表面的沟道；与源电极S欧姆接触的n+型源层8；p型GaN势垒层6；和位于p型GaN势垒层6与n+型源层8之间的p+型GaN基补充层7。p+型GaN基补充层7和n+型源层8形成隧道结以将p型GaN势垒6的电势固定在源电势。
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公开(公告)号：CN102318152B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN200980156981.6
申请日：2009-12-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01S5/0202 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3211 , H01S5/3404 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种利用半极性面可提供低阈值的III族氮化物半导体激光器。半导体衬底13的主面13a相对于与GaN的c轴方向的基准轴Cx正交的基准面以50度以上且70度以下的范围的倾斜角AOFF向GaN的a轴方向倾斜。第一覆层15、有源层17和第二覆层19设置在半导体衬底13的主面13a上。有源层17的阱层23a包含InGaN。在该半导体激光器达到激光振荡之前自有源层出射的LED模式下的偏振度P为-1以上且0.1以下。III族氮化物半导体激光器的偏振度P使用LED模式下的光的该X1方向的电场分量I1与该X2方向的电场分量I2，由P＝(I1-I2)/(I1+I2)进行规定。
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公开(公告)号：CN102934301A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201080067313.9
申请日：2010-12-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/32341
Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致，将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1、B1)为界将基板产物(SP)分为第1~第3区域(70a、70b、70c)。用支撑面(71a、71c)支撑基板产物(SP)的第1及第2区域(70a、70b)，并按压第3区域(70c)，从而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(S P1)及激光条(LB1)。在距离支撑面(70a、70c)的边缘(70b、70d)之间的中心线(CNT)SHFT的位置，将刮刀(69)抵压到基板产物。
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公开(公告)号：CN101556917B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910134808.8
申请日：2009-04-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/52 , H01L33/00
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L33/0075 , H01L33/06
Abstract: 本发明提供了形成量子阱结构的方法以及制造半导体发光元件的方法，所述量子阱结构能够降低In组成在阱层厚度方向上的变化。在通过在GaN衬底主面上交替生长阻挡层和阱层而形成量子阱结构(有源层)的步骤中，通过生长InGaN而形成各个阱层，在第一温度下生长各个阻挡层，在低于所述第一温度的第二温度下生长各个阱层，且当形成各个阱层时，在供应Ga的原料气体(三甲基镓)之前，供应In的原料气体。
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公开(公告)号：CN102549860A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201080043448.1
申请日：2010-09-29
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种对于COD具有较大耐性的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第1端面(C+侧)(26)上的第1电介质多层膜(43a)的厚度比第2端面(C-侧)(28)上的第2电介质多层膜(43b)的厚度薄。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102474076A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080031731.2
申请日：2010-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/22 , H01S5/3054 , H01S5/3202
Abstract: 本发明提供包含低电阻化的p型氮化镓基半导体层的III族氮化物半导体光元件。支撑体13的主面13a相对于基准平面Sc形成40度以上且140度以下的角度ALPHA，基准平面Sc正交于在该III族氮化物半导体的c轴的方向上延伸的基准轴Cx。主面13a显示出半极性及无极性中的任一种。n型GaN基半导体层15设置在支撑体13的主面13a上。n型GaN基半导体层15、有源层19及p型GaN基半导体层17排列在法线轴Nx的方向上。p型GaN基半导体层17中添加有镁作为p型掺杂剂，p型GaN基半导体层17含有碳作为p型掺杂剂。p型GaN基半导体层17的碳浓度为2×1016cm-3以上且1×1019cm-3以下。
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公开(公告)号：CN102473805A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002448.1
申请日：2011-01-18
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2009 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/34333
Abstract: GaN基半导体发光器件11a包含：由GaN基半导体构成的衬底13，其具有以63度以上且小于80度的倾斜角α从c面向m轴倾斜的主面13a；GaN基半导体外延区域15；有源层17；电子阻挡层27及接触层29。有源层17由含铟的GaN基半导体构成。衬底13的位错密度为1×107cm-2以下。在具有含铟的有源层的GaN基半导体发光器件11a中，能够减轻在电流注入高的情况下的量子效率的降低。
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公开(公告)号：CN102422497A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201080020695.X
申请日：2010-02-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/205
CPC classification number: H01S5/32341 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光二极管，其具有能够提供较高的光限制及载流子限制的覆层。在(20-21)面GaN衬底(71)上，以产生晶格弛豫的方式生长n型Al0.08Ga0.92N覆层(72)。在n型覆层(72)上，以产生晶格弛豫的方式生长GaN光导层(73a)。在光导层(73a)上，以不产生晶格弛豫的方式生长有源层(74)、GaN光导层(73b)、Al0.12Ga0.88N电子阻挡层(75)及GaN光导层(73c)。在光导层(73c)上，以产生晶格弛豫的方式生长p型Al0.08Ga0.92N覆层(76)。在p型覆层(76)上，以不产生晶格弛豫的方式生长p型GaN接触层(77)，从而制作半导体激光器(11a)。结(78a)～(78c)的位错密度大于其它结的位错密度。
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公开(公告)号：CN102341977A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010475.9
申请日：2010-11-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支持基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器。激光构造体(13)中，第1面(13a)为第2面(13b)的相反侧的面，第1及第2割断面(27、29)从第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。而且，在例如第1割断面(27)的一端，具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的刻划痕(SM1)，刻划痕(SM1)等具有从边缘(13c)延伸至边缘(13d)的凹形状。割断面(27、29)并非由干式蚀刻形成，与c面、m面或者a面这些目前为止的裂面不同。可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。
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公开(公告)号：CN101984774A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200980104006.0
申请日：2009-07-16
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。
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