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公开(公告)号：CN110284198B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910658713.X
申请日：2019-07-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种控制GaN纳米线结构与形貌的分子束外延生长方法。本发明公开了一种采用PA‑MBE(分子束外延技术)制备高质量单晶GaN纳米线的方法，在Si衬底上先生长岛状AlN成核点，再在岛状AlN成核点上生长GaN纳米线。其特征在于：首先对Si衬底进行退火处理以获得洁净的重构Si表面，然后通过开发和优化AlN的成核层的生长方法和技术来制备岛状AlN成核点，并通优化退火温度和氮化时间来调控其分布及形貌，最后在优化的岛状AlN成核点上制备GaN纳米线。生长过程中，通过固定金属源束流和较高的N2plasma流量来设定Ⅴ/Ⅲ；采用反射高能电子衍射花样对成核过程进行实时原位监测。再通过优化衬底温度来制备质量较高，具有六方形貌的GaN纳米线。
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公开(公告)号：CN108330536B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201810228701.9
申请日：2018-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种PA‑MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法，在C面GaN衬底上生长GaN薄膜，通过控制金属Ga源束流,衬底温度，氮气等离子体(N2plasma)流量和射频功率，生长出高晶体质量，高电子迁移率的单晶GaN薄膜。生长过程中，通过固定金属源束流，设定较低的生长速率；通过调节反射高能电子衍射(RHEED)的恢复时间，判定生长过程中的富Ga状态；通过调节衬底温度使得材料的生长模式从二维台阶生长模式+三维岛状生长模式转变为二维台阶生长模式。
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公开(公告)号：CN109860048A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910141042.X
申请日：2019-02-26
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种基于I-V表征凹槽深度及凹槽表面损伤的槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的制备方法，刻蚀栅凹槽时测量源漏极之间的I-V特性，当I-V特性显示源漏极之间呈现高阻态时，停止刻蚀。并公开了制得的器件，以及源漏极之间的I-V测试在表征槽栅结构的AlGaN/GaN增强型MOSFET器件的栅凹槽深度以及表面损伤中的应用。本发明利用源漏极之间的I-V测试，结合低功率循环刻蚀的方法，能准确定位凹槽刻蚀深度，减少刻蚀损伤。同时I-V测试能表征表面处理工艺是否可以降低栅凹槽表面损伤。本发明采用源漏极之间的I-V测试来表征凹槽深度和表面处理工艺的优劣，成本低，难度小，节约时间和成本，加快实验进程。
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公开(公告)号：CN108615797A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810400045.6
申请日：2018-04-28
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/105 , H01L33/145 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有表面等离激元圆台纳米阵列的AlGaN基紫外LED器件，其特征在于：在LED有源层上设置一层AlN电子阻挡层，在AlN电子阻挡层上覆盖一层p型AlGaN层，在所述p型AlGaN层上刻蚀出AlGaN圆台纳米三角阵列，在AlGaN圆台顶部或间隙内填充有金属纳米阵列。并公开了其制备方法。本发明的纳米圆台阵列相对纳米圆柱阵列而言，由于此时纳米结构的侧面不再垂直于底面，更有利于光的出射，设置于纳米圆台阵列顶部或者间隙的金属薄膜，能通过表面等离激元(SPP)的方式更进一步增强光的出射。相较于传统的常规结构和单一的垂直纳米结构，本发明能更好的增强紫外LED的发光效率，同时将几种不同的工艺结合起来，控制圆台斜面倾角，简化制备过程。
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公开(公告)号：CN108493301A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810463058.8
申请日：2018-05-15
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/107
CPC classification number: H01L31/1848 , H01L31/107
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN斜角台面APD器件刻蚀方法，其步骤包括：1)预处理，清洁待刻蚀的AlGaN APD器件样品；2)光刻：在AlGaN APD器件样品表面制作厚的光刻胶；3)光刻胶回流：对光刻胶进行高温烘烤，使光刻胶回流，形成极小的倾斜角度；4)图形转移：对AlGaN APD器件样品进行干法刻蚀，将光刻胶倾角转移到AlGaN APD器件样品上；5)去胶：去除残留光刻胶。本发明提供的方法具有工艺简单、可控性强、可重复性高的优点。主要体现在以下两个方面：一方面，通过对光刻胶后烘温度和时间的控制，可实现对掩蔽层图形倾斜角度控制的精确控制；另一方面，通过调节掩蔽层的刻蚀工艺参数，也可在AlGaN基材料中获得具有不同倾斜角度的侧壁。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104868023B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201510237489.9
申请日：2015-05-11
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体/量子点混合白光LED器件，所述白光LED器件在p型电极和n型电极外的区域设有有序的纳米孔阵列，纳米孔阵列的深度从器件表面穿过量子阱有源层，直至n型氮化物层内部，所述纳米孔阵列内填充有II‑VI族量子点。还公开了其制备方法。该类器件利用铟镓氮(InGaN)量子阱与II‑VI量子点中激子间的非辐射复合能量转移，提高器件发光效率；通过改变填充量子点的种类和配比，以调节发光波长与强度，能够实现超高显色指数的氮化物/量子点混合结构的白光LED器件。
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公开(公告)号：CN105353019B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510781080.3
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414 , H01L29/772 , H01L21/335 , C08F292/00 , C08F222/38 , C08F226/06
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器，在AlInN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlInN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlInN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；与AlGaN/GaN场效应晶体管传感器相比，其电流响应更大，具有高灵敏性的特点。
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公开(公告)号：CN105301080B
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201510780903.0
申请日：2015-11-13
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明提出了一种无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器，在AlGaN/GaN异质结基片上蒸镀有电极，还包括钝化层，所述钝化层覆盖整个源端电极、源端电极PAD与漏端电极、漏端电极PAD，在覆盖源端电极PAD与漏端电极PAD的钝化层上刻蚀出窗口，深度至PAD显露；还包括离子印迹聚合物层，所述离子印迹聚合物层位于AlGaN层上，含有印迹孔穴。还公开了无栅AlGaN/GaN场效应晶体管传感器的制备方法。本发明制备的导电高聚物纳米复合材料具有单一离子识别的性能，可以提高器件的选择性吸附、抗干扰能力；还具有快速响应的特点，可以实现高精度的定量检测；通过NaCl溶液冲洗可以方便快捷的重复使用，具有使用方便、成本低、可用于水质的在线监测等特点。
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公开(公告)号：CN104883800B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510330960.9
申请日：2015-06-15
Applicant: 南京大学
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明公开了一种GHz高速LED光通信驱动器，供电模块用于适合输出所需的恒压供电并对输出电流进行限制；LED工作模块由谐振腔、LED和K101构成；控制模块包括PWM发生装置、正电Buffer、负电Buffer，用于对开关K101进行开关控制；恒流模块由电阻、电容和运放构成；LED的阴极与开关K101、电阻依次串联后接地；谐振腔与LED并联；限流恒压单元一端与LED阳极连接，另一端接地；PWM发生装置的输出同时与正电Buffer的输入端和负电Buffer输入端连接；正、负电Buffer输出端输出控制信号以控制开关K101。本发明能够实现K101的高速开、关，从而实现对LED的超高速光调制。
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公开(公告)号：CN105590971B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610156889.1
申请日：2016-03-18
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。
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