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公开(公告)号：CN100539164C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200710109906.7
申请日：2000-09-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 小山润
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1214 , G09G3/2022 , G09G3/30 , G09G3/3233 , G09G3/3258 , G09G3/3291 , G09G2300/0408 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2320/0242 , G09G2320/043 , H01L27/12 , H01L27/3211 , H01L27/3262
Abstract: 提供了一种EL显示器，它能显示具有红色、蓝色、和绿色发光亮度间良好平衡的鲜艳的图像。EL显示器具有多个像素，每个分别含有EL元件，且EL显示器通过控制多个像素发光的时间来实现色调显示。EL显示器的特征在于加到每个EL元件上的电压按照每个分别含有EL元件的多个像素所显示的颜色而有所不同。
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公开(公告)号：CN100531489C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200510091594.2
申请日：2000-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明披露了一种显示装置，其能够阻止由于开关TFT的漏电流引起的在EL驱动TFT的栅电极存储的电荷的减少，因而能够阻止由EL元件发出的光的亮度的减少。开关TFT的源极区域和漏极区域中的一个和SRAM的输入侧相连，SRAM的输出侧和EL驱动TFT的栅电极相连。SRAM存储输入的数字数据信号，直到输入下一个数字数据信号。
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公开(公告)号：CN100481352C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610004120.4
申请日：2000-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/82
CPC classification number: H01L29/42384 , G02F1/13454 , H01L27/1237 , H01L27/1255 , H01L27/1277 , H01L29/78645
Abstract: 提供了一种具有高度可靠性的半导体器件，其中配置了针对电路功能而具有适当结构的TFT。驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)设计得比半导体器件中的像素TFT的栅绝缘膜(117)薄，半导体器件在同一衬底上具有驱动电路和像素单元。另外，驱动TFT的栅绝缘膜(115)和(116)和存储电容介质(118)是同时制作的，这样，介质(118)可以非常薄，可以获得大电容量。
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公开(公告)号：CN100479181C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610093450.5
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L23/3171 , H01L27/1214 , H01L27/1248 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L29/78621 , H01L51/529 , H01L51/56 , H01L2924/0002 , Y10S428/917 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种EL显示装置，该显示装置具有高操作性能和高可靠性。第三钝化膜45设置在EL元件203的下面，该EL元件包括像素电极(阳极)46、EL层47和阴极48，以形成一种能够辐射由EL元件203产生的热量的结构。此外，第三钝化膜45可防止在EL元件中的碱金属扩散到TFT侧，并可防止湿气和氧气从TFT侧渗透到EL元件203中。更好的是，第四钝化膜50也具有热辐射作用，以使EL元件203能够被热辐射层包住。
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公开(公告)号：CN100479171C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200580023590.9
申请日：2005-07-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G06K19/07 , G06K19/077
Abstract: 本发明提供了通过使用多晶半导体在诸如塑料衬底或塑料膜衬底等对热敏感的衬底上形成高功能集成电路获得的处理器。此外，本发明提供了无线地发送和接收能量和信号的无线处理器、无线存储器、以及信息处理系统。根据本发明，信息处理系统包括元件形成区，以及天线，该元件形成区包括至少具有沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区由10到200nm厚的分离成岛状的多个半导体膜当中的一个半导体膜构成。该晶体管被固定在柔性衬底上。其中形成了包括该元件形成区的高功能集成电路的无线处理器和半导体装置通过天线发送和接收数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100474595C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200710085810.1
申请日：2002-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768 , G02F1/1362
Abstract: 提供一种半导体器件的结构及其制造方法，其中即使在显示部分的尺寸增加到大尺寸荧光屏的情况下也能实现低功耗。像素部分中的栅极形成为主要含有W的材料膜、主要含有Al的材料膜、和主要含有Ti的材料膜的三层结构，以便降低布线电阻。采用IPC刻蚀装置刻蚀布线。栅极具有锥形，并且成为锥形的区域的宽度设定为1μm或以上。
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公开(公告)号：CN100474374C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200510053042.2
申请日：2001-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/2022 , G09G3/30 , G09G5/10 , G09G2300/0426 , G09G2300/0809 , G09G2300/0842 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2320/0626 , G09G2320/064 , G09G2320/0646 , G09G2330/021 , G09G2330/028 , G09G2354/00 , G09G2360/14 , G09G2360/144 , G09G2360/145
Abstract: 一种显示系统，其中的发光装置的发光元件的亮度可根据环境信息调整。传感器获取有关环境的信息作为电信号。CPU根据预置的比较数据组，将信息信号转换为校正EL元件亮度的校正信号。电压变换器在接收到这种校正信号时将预定的已校正电位加到EL元件上。这样，该显示系统就能够控制EL元件的亮度。
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公开(公告)号：CN101369401A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810168724.1
申请日：2004-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/20 , G09G3/36 , G09G3/32 , G02F1/1362
CPC classification number: G09G3/3266 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/04 , G09G2320/0223 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 本发明涉及显示器件及电子装置。当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。
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公开(公告)号：CN100458531C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200410055831.5
申请日：2004-08-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: G02F1/136 , G02F1/133 , H01L29/786 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2310/027
Abstract: 具有音频信号处理功能的液晶显示器件，其包括具有大的S/N比和小的假信号的音频信号处理电路。本发明的显示器件包括电阻器串D/A转换器电路，可以通过将共用电源用于D/A转换器电路和信号线驱动器电路而增加电阻器串D/A转换器电路的动态范围。因此，可以相对于音频信号减少在D/A转换器电路中产生的假信号，并因此增加D/A转换的信号的S/N比。
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公开(公告)号：CN100444406C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510065795.5
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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