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公开(公告)号：CN114062371B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202111347397.8
申请日：2021-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆体寿命生成方法、系统及存储介质，涉及碳化硅的技术领域，利用光致发光成像仪器获得碳化硅晶圆的PL图像，再利用少数载流子连续性方程、碳化硅晶圆前表面复合速率方程、碳化硅晶圆后表面复合速率方程、以及PL信号强度方程，通过计算机数值计算解偏微分方程得到碳化硅晶圆体寿命与PL信号强度的函数关系，再根据所述函数关系与所述PL图像得到碳化硅晶圆的体寿命图像。本发明通过光致发光成像仪器，相比微波成像的方法速度更快，同时可直接获得碳化硅晶圆的体寿命图像，而不是等效少数载流子寿命图像，表征结果更精确。
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公开(公告)号：CN117702282A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311705692.5
申请日：2023-12-12
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工技术领域，提供了一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件，通过对设置在碳化硅晶圆片表面的电极施加高频高压电脉冲，利用高频高压的瞬态特征以及交流电特征，使得可以从不同方向轰击碳化硅晶圆片中的原子，位移所述碳化硅晶圆片中的部分原子，从而在所述碳化硅晶圆片中形成空位和各种复杂点缺陷，得到高电阻率且稳定性更好的半绝缘碳化硅晶圆片，而且，得到的半绝缘碳化硅晶圆片的纵向电阻分布均匀，可以提高半绝缘碳化硅晶圆片的纵向半绝缘特性。
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公开(公告)号：CN117568922A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311569627.4
申请日：2023-11-22
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种分段式石墨坩埚及碳化硅晶体生长方法，分段式石墨坩埚包括上坩埚、下坩埚，上坩埚与升降机构相连，下坩埚包括坩埚体、坩埚盖，坩埚盖上端设有与坩埚体相连通的坩埚柱，坩埚柱内放有带非穿透性孔的等静压石墨片，坩埚体内放有支撑等静压石墨片用的多孔石墨直筒，多孔石墨直筒、等静压石墨片、下坩埚围合成装填碳化硅粉料用的料腔，非穿透性孔在碳化硅粉料受热产生的硅蒸汽腐蚀下变为穿透性孔，上坩埚倒置在坩埚盖上端，并与坩埚柱内外套接使得二者内部形成有供碳化硅晶体生长的空腔，上坩埚安装有籽晶；碳化硅生长方法基于分段式石墨坩埚进行。本发明有效减少硅蒸汽腐蚀籽晶和籽晶周围石墨件，减少籽晶表面形成缺陷和碳颗粒。
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公开(公告)号：CN115404549B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202210879232.3
申请日：2022-07-25
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种PVT法生长低阻p型4H‑SiC的方法，属于半导体材料领域。本申请主要是采用低温低压(生长温1600℃～1800℃，生长压强约10‑3Pa)生长限制SiC的生长速度小于100μm/h，此时可确保4H‑SiC在Si面生长。并且由于p型杂质Al是占据SiC中Si原子的晶格点位置，所以Al在(0001)Si面的掺杂浓度比在 面的高。本申请所制备的p型4H‑SiC电阻率可降低至30mΩcm。
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公开(公告)号：CN113788480B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202111149260.1
申请日：2021-09-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: C01B32/984
Abstract: 本申请公开了一种高纯碳化硅制备方法，包括以下步骤：S1、将高纯碳粉置于石墨坩埚内，使用高温真空的方法提纯高纯碳粉；S2、将块状硅放入石墨坩埚内，加热使块状硅融化，旋转石墨坩埚使高纯碳粉和块状硅混合均匀，反应合成高纯碳化硅。本申请使用块状硅代替硅粉，块状硅的纯度远高于硅粉末；在块状硅融化成液体硅后，通过石墨坩埚高速旋转，使硅溶液内部形成对流，高纯碳粉可均匀的分布在硅溶液中，冷却后可形成高纯度，高合成度的高纯碳化硅，高纯碳化硅的纯度普遍高于99.999％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116387141B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310664916.6
申请日：2023-06-07
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/263 , H01L21/324 , H01L29/16
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种低裂纹碳化硅晶圆制备方法及碳化硅晶圆，包括：具有裂纹的待加工碳化硅晶圆进行粒子辐照形成空位，再进行退火，退火工艺中溢出的硅原子与氧气反应生成具有粘性流动的二氧化硅，并且所述空位层中的原子借助空位的长程传输，在所述二氧化硅和所述原子的长程传输的共同作用下，填充待加工碳化硅晶圆表面的裂纹，形成自愈合层，最后通过研磨和抛光，获得低裂纹碳化硅晶圆。本发明采用粒子辐照先在待加工碳化硅晶圆的表面至内部一定深度位置形成空位，在后续退火工艺，形成自愈合层，自愈合层阻止了裂纹在后续的研磨和抛光工艺中向待加工碳化硅晶圆内部延伸以及裂纹之间的耦合，最终得到低裂纹的碳化硅晶圆。
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公开(公告)号：CN114520143B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202210413855.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体加工领域，公开了一种抑制双极型退化的碳化硅薄膜外延方法、碳化硅外延片，包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底具有基平面位错；通过化学气相沉积法在所述碳化硅衬底表面形成碳化硅外延层，化学气相沉积法的反应气体包括生长气源和掺杂锗源气体，改变碳化硅外延薄膜中锗杂质的浓度，并促使所述锗杂质替代碳化硅外延层中形成的不全位错核心处硅原子，使锗杂质钉扎硅核心不全位错。本发明在碳化硅薄膜外延过程中掺入锗杂质，由于硅核心处的结构畸变，锗杂质会优先替代硅核心不全位错处的硅原子，通过将锗杂质钉扎基平面位错中硅核心不全位错，抑制硅核心不全位错的滑移，以抑制碳化硅基双极型器件的双极型退化。
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公开(公告)号：CN115595663B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202211523460.3
申请日：2022-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法。通过对碳化硅晶片先后进行碱蒸汽腐蚀和熔融碱腐蚀的方法，使得碳化硅晶片的碳面的基平面位错转化为腐蚀坑，同时获得表面较为平整的碳化硅籽晶，并利用最终获得的碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长。本发明针对碱蒸汽腐蚀后得到的碳化硅晶片继续进行熔融碱腐蚀，熔融碱腐蚀对碳化硅晶片的碳面的腐蚀速度慢，通过控制熔融碱腐蚀的时间，最终形成表面平整的碳化硅籽晶，利用碳化硅籽晶进行碳化硅晶体生长，显露出来的腐蚀坑在晶体生长时受到增强的镜像力的作用，会强制合并显露出来的腐蚀坑，将基平面位错转变为贯穿型刃位错，从而获得低基平面位错密度的晶体。
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公开(公告)号：CN116246950A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310110785.7
申请日：2023-01-16
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/304 , H01L21/306 , C09G1/02
Abstract: 本发明涉及碳化硅加工技术领域，特别涉及一种碳化硅晶片的抛光方法及半导体晶片的抛光方法。本发明提供粗磨或精磨后的碳化硅晶片，将碳化硅晶片进行碱腐蚀,将碱腐蚀后的碳化硅晶片置于显微镜下拍照获得灰度图，调整灰度图的阈值后，得到位错图，再对位错图进行位错表征和统计，最后将位错表征和统计后的碳化硅晶片进行后续抛光加工工艺。本发明利用加工过程中粗磨或精磨后的碳化硅晶片进行碱腐蚀，由于位错腐蚀坑的深度和加工损伤形成的腐蚀坑的深度不同，使得位错腐蚀坑和加工损伤腐蚀坑的衬度也不同，通过对灰度图的阈值调整，排除加工损伤形成的腐蚀坑，使得位错图中全部为位错腐蚀坑，有利于计算机软件读取图片信息进行位错类型区分和统计。
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公开(公告)号：CN116002634A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211709768.7
申请日：2022-12-29
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明涉及立方偏转结构聚合氮及其制备方法和应用。其中，立方偏转结构聚合氮的制备方法，包括以下步骤：提供金刚石对顶砧样品腔；向金刚石对顶砧样品腔中填充玻璃碳，然后降温至‑148℃以下，继续填充液氮，然后加压至100GPa以上，并加热至2100K以上，最后泄压至常压以及降温至常温，得到封装在金刚石中的立方偏转结构聚合氮。本发明制备方法制备的立方偏转结构聚合氮可实现在常温常压下稳定保存，且保存时间长。
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