-
公开(公告)号：CN102376589B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201110235542.3
申请日：2011-08-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于填充晶片中的空腔(20)的方法，其中，这些空腔(20)是朝着晶片的一个预先确定的表面敞开的，所述方法具有以下步骤：在所述晶片的预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30)；在第一温度下烘焙所述晶片；通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡，所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度；通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化，所述第三温度高于所述第二温度。此外，本发明还涉及一种借助这样的方法填充的盲孔(20B)和通常3D空腔以及一种具有硅敷镀通孔的借助于这样的方法填充的绝缘沟槽(20A)的晶片。
-
公开(公告)号：CN105911102A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610090396.2
申请日：2016-02-18
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01N27/04
Abstract: 本发明涉及一种用于传感器的微加热设备，所述微加热设备具有：衬底；膜片，其中，所述膜片的覆盖区域至少部分跨越由所述衬底至少部分包围的空腔并且所述膜片的至少一个边缘区域直接或间接地固定在所述衬底的表面上；至少一个布置在所述膜片上和/或中的加热线路，所述至少一个加热线路至少具有各至少一个布置在所述覆盖区域上和/或中的散热区段、各一个布置在所述覆盖区域上和/或中的第一输送线路区段和各一个布置在所述覆盖区域上和/或中的第二输送线路区段；其中，所述第一输送线路区段的第一宽度从由所述第一输送线路区段接触的散热区段出发直至由所述第一输送线路区段接触的边缘区域地增大。本发明同样涉及一种传感器。
-
公开(公告)号：CN104241228A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410275934.6
申请日：2014-06-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: H01L23/481 , B81C1/00238 , B81C3/001 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , G01C19/5783 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于ASIC构件中的穿通接触部的实现方案，所述ASIC构件能够简单地集成在ASIC衬底的CMOS工艺中。所述ASIC构件(120)具有有效的前侧，在所述有效的前侧中实现电路功能(20)。所述至少一个穿通接触部(15)应建立所述有效的前侧与所述构件背侧之间的电连接。根据本发明，在前侧通过至少一个完全填充的前侧沟槽(151)限定所述穿通接触部(15)，而在背侧通过至少一个没有完全填充的背侧沟槽(154)限定所述穿通接触部。所述背侧沟槽(154)通到经填充的前侧沟槽(151)中。
-
公开(公告)号：CN103508408A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310235022.1
申请日：2013-06-14
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： H·韦伯
CPC classification number: B81B3/0018 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00246 , B81C2203/0109 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , H01L2224/11 , H04R2201/003
Abstract: 提出一种混合集成部件（100），其包括具有集成电路元件（12）和后端叠堆（13）的至少一个ASIC构件（10）、具有在MEMS衬底的整个厚度上延伸的微机械结构的MEMS构件（20）和罩晶片（30）并且配备有附加的微机械功能。在此MEMS构件（20）如此装配在ASIC构件（10）上，使得在微机械结构和ASIC构件（10）的后端叠堆（13）之间存在间隙（21）。罩晶片（30）装配在MEMS构件（20）的微机械结构上方。根据本发明，在ASIC构件（10）的后端叠堆（13）中构造具有电容器装置的至少一个可偏转的电极的压敏的膜片结构（16）。膜片结构（16）覆盖ASIC构件（10）的背侧中的压力连接端（17）。
-
公开(公告)号：CN103449357A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310174801.5
申请日：2013-05-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0075 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00674 , B81C2203/0109 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明涉及用于实现混合集成部件的措施。部件（100）包括ASIC构件（10）、具有微机械结构（21）的第一MEMS构件（20）和第一罩晶片（30），微机械结构在第一MEMS衬底（10）整个厚度上延伸，第一罩晶片装配在微机械结构（21）上方。微机械结构（21）具有可偏转的结构元件（23）。在微机械结构（21）和构件（10）之间存在间隙。在构件（10）背侧装配第二MEMS构件（40）。第二构件（40）的微机械结构（41）在第二MEMS衬底（40）的整个厚度上延伸并且包括可偏转的结构元件。在该微机械结构（41）和构件（10）之间存在间隙并且在该微机械结构（41）上方装配第二罩晶片（50）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103420332A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310294306.8
申请日：2013-04-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/008 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C3/001 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , B81C2203/0785 , H01L2924/1433
Abstract: 本发明提出了用于混合集成的构件的制造方法。混合集成的构件应当包括至少两个MEMS结构元件(120、220)，至少两个MEMS结构元件分别配置有至少一个ASIC结构元件(110、210)。根据本发明，彼此无关地产生两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)，其方式是，彼此无关地处理两个ASIC基底(110、210)；在两个ASIC基底中的每个ASIC基底的经处理的表面上装配一半导体基底(120、220)；然后在两个半导体基底(120、220)中的每个上产生一微机械结构。然后，两个MEMS/ASIC晶圆堆叠(100、200)以MEMS对MEMS的方式相叠地装配。然后才分离出多个构件。
-
公开(公告)号：CN103420323A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310296384.1
申请日：2013-04-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/007 , B81C1/00269 , B81C1/00301 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/035
Abstract: 本发明涉及一种微机械元件，尤其是一个微机械传感器，包括一个承载衬底和一个罩形衬底，以及涉及一种制造方法，其中，承载衬底和罩形衬底借助共晶的键合或金属焊接或玻璃焊接(例如，玻璃烧结)相互连接，其中，在承载衬底和罩形衬底的一个边缘区城中，通过连接区制造承载衬底和罩形衬底之间的连接，并且在边缘区内的边界区中设置一个截止槽或一个截止凸起，或既设置一个截止槽也设置一个截止凸起。
-
公开(公告)号：CN103282819A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062985.5
申请日：2011-11-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G02B7/1821 , G02B26/085 , G02B26/101 , G02B26/105 , G02B26/12
Abstract: 本发明涉及一种可磁驱动的微镜，其具有设置在第一平面中的外框架（205）、线圈体（202）和扭转弹簧（203），其中所述扭转弹簧（203）具有旋转轴线，其中所述线圈体（202）借助所述扭转弹簧（203）可围绕所述旋转轴线旋转运动地与所述外框架（205）连接，所述可磁驱动的微镜具有镜元件（305），其设置在与第一平面平行的第二平面中，其中所述镜元件（305）借助中间层（250）与所述线圈体（202）连接。本发明还涉及一种具有第一可磁驱动的微镜和第二可驱动的镜的二维扫描仪和一种用于制造微镜的方法。
-
公开(公告)号：CN102459061A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201080024287.1
申请日：2010-04-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B7/0029 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , Y10T428/24802
Abstract: 本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法。所述方法包括提供第一衬底(100)，提供第二衬底(200)，在第二衬底(200)上构造突出的结构元件(240)以及通过所述突出的结构元件(240)连接第一衬底和第二衬底(100，200)。所述方法的特征在于，连接第一衬底和第二衬底(100，200)包括共晶键合。本发明还涉及一种微机械元件，其中，第一衬底和第二衬底(100，200)彼此连接。
-
公开(公告)号：CN102376589A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110235542.3
申请日：2011-08-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于填充晶片中的空腔(20)的方法，其中，这些空腔(20)是朝着晶片的一个预先确定的表面敞开的，所述方法具有以下步骤：在所述晶片的预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30)；在第一温度下烘焙所述晶片；通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡，所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度；通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化，所述第三温度高于所述第二温度。此外，本发明还涉及一种借助这样的方法填充的盲孔(20B)和通常3D空腔以及一种具有硅敷镀通孔的借助于这样的方法填充的绝缘沟槽(20A)的晶片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
70
records
(took 0.028 seconds)
