公开(公告)号：CN111463126A

公开(公告)日：2020-07-28

申请号：CN202010053066.2

申请日：2020-01-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  西野雄二

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供基板处理方法，在使基板自转公转的基板处理装置中，能够提高成膜的膜厚分布的均匀性。基板处理装置具有：旋转台，其用于载置被设于处理室内的基板；第1气体供给部，其供给第1气体；以及第2气体供给部，其供给第2气体，该基板处理方法为：在该基板处理装置中，所述旋转台以旋转轴为中心进行公转，并且所述基板进行自转，利用所述旋转台的公转，所述基板在经过供给所述第1气体的区域之后，经过供给所述第2气体的区域，从而在所述基板沉积由所述第1气体和所述第2气体之间的反应所生成的膜而进行成膜，其中，该基板处理方法具有：在所述基板进行自转的状态下所述旋转台顺时针公转而在所述基板形成膜的工序；以及在所述基板进行自转的状态下所述旋转台逆时针公转而在所述基板形成膜的工序。

公开(公告)号：CN109943828A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201811563931.7

申请日：2018-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  中坪敏行

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本公开涉及成膜装置，在向公转的基板供给成膜气体来成膜时，可靠地进行该基板的自转并且抑制用于自转的机构对装置的各部施加的负担。具备：自转轴，其以支承载置基板(W)的载置台(3)的方式自转自如地设置于与旋转台(2)共同旋转的部位；从动齿轮(4)，其设置于自转轴；驱动齿轮(5)，其与从动齿轮(4)的公转轨道面对并旋转，沿着公转轨道的整周设置，与从动齿轮构成磁齿轮机构；以及相对距离变更机构(55)，其用于变更从动齿轮的公转轨道与驱动齿轮之间的相对距离。由此，在成膜处理时，能够使作用于从动齿轮与驱动齿轮之间的磁力成为进行基板的自转所需要的磁力，并且能够防止该磁力总是强力从而抑制对装置的各部施加的负担。

公开(公告)号：CN104831255B

公开(公告)日：2018-09-07

申请号：CN201510071141.7

申请日：2015-02-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  佐藤润 ,  村田昌弘 ,  大下健太郎 ,  菅野智子 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/507 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：向基板供给处理气体的工序；向所述基板供给分离气体的工序；在第1等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为第1距离的状态下向所述基板供给第1等离子体处理用气体的工序；在第2等离子体产生部件与所述旋转台之间的距离为比所述第1距离小的第2距离的状态下向所述基板供给第2等离子体处理用气体的工序；以及向所述基板供给所述分离气体的工序。

公开(公告)号：CN108315718A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810025484.3

申请日：2018-01-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  大泉行雄 ,  本间学 ,  小林健

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/45551 ,  B05C11/1031 ,  C23C14/042 ,  C23C14/228 ,  C23C14/26 ,  C23C14/505 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/52 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明涉及基板处理装置。在一边使载置于旋转台的一面侧的作为基板的晶圆公转一边进行成膜处理时，沿晶圆的周向实施均匀的处理。设为利用旋转台(2)使在旋转台的一面侧载置晶圆的载置台(3)公转。另外，在载置台的自转轴(32)设有从动齿轮(4)，且沿该从动齿轮的公转轨道的整周设有与该从动齿轮构成磁齿轮机构的驱动齿轮(5)。利用自转用旋转机构(53)使驱动齿轮旋转，产生驱动齿轮的角速度与从动齿轮的基于公转的角速度的速度差，从而使载置台自转，因此，能在晶圆(W)的周向上使成膜处理的均匀性提高。另外，能利用驱动齿轮的角速度与从动齿轮的角速度之差容易地调整从动齿轮的自转速度。

公开(公告)号：CN104637769B

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201410635709.9

申请日：2014-11-05

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菊地宏之 ,  米泽雅人 ,  佐藤润 ,  三浦繁博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02211 ,  C23C16/45538 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/505 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32568 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31138

Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：真空容器，其具有顶板；旋转台，其以能够旋转的方式设于所述真空容器内；第1处理气体供给部件，其用于供给要吸附于与所述旋转台对置的基板的表面的第1处理气体；等离子体处理用气体供给部件，其设于在所述旋转台的周向上与所述第1处理气体供给部件分开的位置，用于向所述基板的表面供给等离子体处理用气体；分离气体供给部件，其用于供给使所述第1处理气体和所述等离子体处理用气体分离的分离气体；等离子体产生部件，其用于使所述等离子体处理用气体等离子体化；以及升降机构，其用于使所述等离子体产生部件和所述旋转台中的至少一者升降。

公开(公告)号：CN103866297B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201310686986.8

申请日：2013-12-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山涌纯 ,  舆水地盐 ,  山泽阳平 ,  立花光博 ,  加藤寿 ,  小林健 ,  三浦繁博 ,  木村隆文

IPC: C23C16/513

CPC classification number: H01J37/321 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/4584 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。

公开(公告)号：CN103374713B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310138572.1

申请日：2013-04-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  菱谷克幸

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/46

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置。该基板处理装置包括：真空容器；旋转台，其设于上述真空容器内，在载置圆形的基板的同时进行旋转，其中，在该旋转台的表面设有直径大于上述基板的直径的圆形的凹部，在该凹部内设有圆形的基板载置部，该基板载置部的直径小于该凹部的直径和上述基板的直径且设于比上述凹部的底部高的位置，该基板载置部的中心比上述凹部的中心向上述旋转台的外周部侧偏心；处理气体供给部，其用于对上述基板供给处理气体；以及真空排气机构，其用于对上述真空容器内进行真空排气。

公开(公告)号：CN103215567B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201310019951.9

申请日：2013-01-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  中坪敏行 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/458 ,  C23C16/45551 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591

Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其在真空容器内进行多次按顺序供给互相反应的多种处理气体的循环而形成薄膜，包括旋转台、多个处理气体供给部、分离气体供给部以及排气口。处理气体供给部中的至少一个处理气体供给部构成为从旋转台的中央部朝向周缘部延伸的气体喷嘴，在气体喷嘴的靠旋转台的旋转方向的上游侧和靠下游侧，沿着该气体喷嘴的长度方向设有整流板，该整流板为了抑制自该气体喷嘴喷射的处理气体的稀薄化而使分离气体在该整流板的上表面侧流动，为了抑制位于整流板的下方侧的处理气体被排出到旋转台的外侧，整流板的靠旋转台的外周侧的缘部以与该旋转台的外周端面隔有间隙地与该旋转台的外周端面相对的方式朝向下方侧弯曲而构成弯曲部。

公开(公告)号：CN103031537B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210365923.8

申请日：2012-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  菊地宏之 ,  三浦繁博

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211

Abstract: 本发明提供成膜装置和基板处理装置。以包括气体供给部和天线的方式构成装置，该气体供给部用于向旋转台的基板载置区域侧的表面供给等离子体生成用的气体；该天线以从上述旋转台的中央部延伸到外周部的方式与该旋转台的基板载置区域侧的表面相对地设置，用于通过电感耦合使等离子体生成用的气体等离子体化。并且，上述天线以其与上述基板载置区域的靠旋转台的中央部侧的部分之间的分开距离比其与上述基板载置区域的靠旋转台的外周部侧的部分之间的分开距离大3mm以上的方式配置。

公开(公告)号：CN102953052B

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201210307203.6

申请日：2012-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤寿 ,  小林健 ,  牛窪繁博 ,  相川胜芳

IPC: C23C16/505 ,  C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234

Abstract: 本发明提供一种成膜装置、基板处理装置及等离子体产生装置。基板处理装置包括：真空容器，其用于容纳基板；载置台；等离子体产生气体供给部；天线，其用于利用电感耦合来使等离子体产生用气体等离子体化，绕纵向的轴线卷绕而成；法拉第屏蔽件，其用于阻止在天线的周围产生的电磁场中的电场成分通过，由接地的导电性的板状体构成，法拉第屏蔽件包括：狭缝组，其用于使电磁场中的磁场成分通过而到达基板侧；窗部，其在板状体的被狭缝组包围的区域开口，用于确认等离子体的发光状态，在窗部与狭缝组之间，以该窗部与狭缝不连通的方式设有包围窗部的、接地的导电通路，在狭缝组的与窗部侧相反的一侧的端部，以包围该狭缝组的方式设有接地的导电通路。