公开(公告)号：CN113105213A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110187768.4

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  C03C17/245 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN108473334B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201680077344.X

申请日：2016-12-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  生内俊光 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  黑崎大辅 ,  羽持贵士 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: C01G15/00 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 金属氧化物膜包含铟、M(M是Al、Ga、Y或Sn)及锌，且包括在垂直于膜表面的方向上通过X射线衍射观察到具有起因于结晶结构的衍射强度的峰值的区域。此外，在垂直于膜表面的方向上在透射电子显微镜图像中观察到多个结晶部。该结晶部以外的区域的比率为20％以上且60％以下。

公开(公告)号：CN111480217A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201880080451.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥冢纯一 ,  神长正美 ,  岛行德

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。以与包含呈现半导体特性的金属氧化物的半导体层的底面接触的方式设置包含氧化物的岛状绝缘层。包含氧化物的绝缘层以与成为半导体层的沟道形成区域的部分接触的方式设置，且不设置在成为低电阻区域的部分中。

公开(公告)号：CN105849796B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201480069840.1

申请日：2014-12-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 三宅博之 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  岛行德 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H01L51/50

Abstract: 提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能，第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。

公开(公告)号：CN103681655B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201310390927.6

申请日：2013-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  片山雅博 ,  佐藤亚美 ,  岛行德

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13338 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G06F3/0412 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的一个方式是提供一种不降低开口率且具有增大了电荷容量的电容元件的半导体装置。半导体装置包括：包括具有透光性的半导体膜的晶体管；在一对电极之间设置有介电膜的电容元件；以及电连接于晶体管的像素电极，其中在电容元件中，与晶体管的具有透光性的半导体膜形成在同一表面上的具有导电性的膜用作一个电极，像素电极用作另一个电极，设置在具有透光性的半导体膜与像素电极之间的氮化绝缘膜及第二氧化绝缘膜用作介电体。

公开(公告)号：CN107591316A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710788148.X

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN105814692A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201480066226.X

申请日：2014-11-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53233 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种包括晶体管和用于布线、信号线等的含有Cu的金属膜的新颖半导体装置。该半导体装置包括：第一布线、第二布线、第一晶体管和第二晶体管。第一布线电连接到第一晶体管的源极或漏极，第二布线电连接到第二晶体管的栅极。第一布线和第二布线每一都包括Cu?X合金膜(X是Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。第一布线中的Cu?X合金膜被连接到第二布线中的Cu?X合金膜。

公开(公告)号：CN105793994A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480064849.3

申请日：2014-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  神长正美 ,  羽持贵士 ,  日向野聪 ,  保坂泰靖 ,  生内俊光

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L28/20 ,  H01L28/24 ,  H01L28/60 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的一个方式提供一种新颖半导体装置，其中在包括氧化物半导体膜的晶体管中将含铜(Cu)的金属膜用于布线或信号线等。该半导体装置包括绝缘表面上的具有导电性的氧化物半导体膜以及接触于具有导电性的氧化物半导体膜的导电膜。该导电膜包括Cu?X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta或Ti)。

公开(公告)号：CN104380473A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380028160.0

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN119923964A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202380067435.5

申请日：2023-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 岛行德 ,  土桥正佳 ,  肥塚纯一 ,  神长正美

IPC: H10D30/67 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H10K59/123 ,  H10K59/124 ,  H10D84/03 ,  H10D84/40 ,  H10D30/01

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管、第一绝缘层及第二绝缘层。第一晶体管包括金属氧化物层及第一导电层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第二绝缘层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层及第二绝缘层具有到达第一导电层的开口。金属氧化物层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二绝缘层的顶面及侧面接触。第一绝缘层包含氧。第二绝缘层包含氮。金属氧化物层具有与第二绝缘层接触且与第二晶体管的栅极、源极和漏极中的任一个接触的区域。