公开(公告)号：CN103579036B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201310300303.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00

Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。

公开(公告)号：CN105324835A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201480035855.6

申请日：2014-06-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  森田晋也 ,  高梨泰幸 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的薄膜晶体管在基板上至少具有栅电极、栅极绝缘膜、氧化物半导体层、源-漏电极以及两层以上的保护膜。所述氧化物半导体层由Sn、从由In、Ga以及Zn构成的组中选择的一种以上的元素、以及O形成。另外，所述两层以上的保护膜至少由与所述氧化物半导体层相接的第一保护膜、以及所述第一保护膜以外的一层以上的第二保护膜构成，所述第一保护膜是SiOx膜且氢浓度为3.5原子％以下。

公开(公告)号：CN102473732B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080033080.0

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。

公开(公告)号：CN101828212B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN200880112242.2

申请日：2008-10-23

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 大西隆 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  水野雅夫 ,  伊藤弘高 ,  富久胜文

IPC: G02F1/1343 ,  G09F9/00 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种显示装置用Cu合金膜，其电阻率比现有Cu合金膜低，且，不形成阻挡金属层时，在其和透明导电膜之间也可以实现低接点电阻的直接连接，应用于液晶显示器时，可以给予高的显示品质。本发明涉及在基板上与透明导电膜直接连接的显示装置用Cu合金膜，其特征在于，含有0.1～0.5原子％的Ge，且合计含有0.1～0.5原子％的选自Ni、Zn、Fe及Co的一种以上。

公开(公告)号：CN103579036A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310300303.0

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 岸智弥 ,  后藤裕史 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N22/00 ,  H01L22/24

Abstract: 能简单地评价靶组装体的品质的薄膜晶体管的半导体层用薄膜的形成所使用的靶组装体的品质评价方法。该评价方法包括：第一工序，准备靶组装体，该靶组装体通过在背板上借助结合材料空出间隙地配置多个氧化物靶构件而构成；第二工序，对靶组装体进行溅射而形成薄膜；第三工序，对薄膜的包含与靶组装体的间隙相对应的接缝部分的区域照射激励光及微波，在测定到根据激励光的照射而变化的微波的来自接缝部分的反射波的最大值之后，停止激励光的照射，对停止激励光的照射后的微波的来自接缝部分的反射波的反射率的变化进行测定，算出直到反射率成为1/e的时间作为薄膜的接缝部分的寿命值τ1；第四工序，基于接缝部分的寿命值τ1对靶组装体的品质进行评价。

公开(公告)号：CN103460351A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280015108.7

申请日：2012-03-13

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 富久胜文 ,  三木绫 ,  后藤裕史 ,  中井淳一

IPC: H01L21/3205 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C23C14/14 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01B5/02 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  C22C9/00 ,  C22C9/05 ,  C23C14/165 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/32051

Abstract: 本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。

公开(公告)号：CN101919060B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200980101632.4

申请日：2009-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 越智元隆 ,  川上信之 ,  富久胜文 ,  后藤裕史

IPC: H01L29/786 ,  C22C21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/458

Abstract: 本发明提供不会发生源电极与漏电极的干蚀刻率降低或蚀刻残留的情况下，可在半导体层与作为源电极或漏电极的布线金属之间省略屏障金属的薄膜晶体管基板及显示设备。本发明是具有半导体层(1)、源电极(2)、漏电极(3)及透明导电膜(4)的薄膜晶体管基板，其中，源电极(2)及漏电极(3)由Al合金薄膜形成，所述Al合金薄膜通过利用干蚀刻法的图案化来形成，且含有0.1～1.5原子％的Si和/或Ge、0.1～3.0原子％的Ni和/或Co以及0.1～0.5原子％的La和/或Nd。

公开(公告)号：CN101083269B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200710103204.8

申请日：2007-05-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  后藤裕史 ,  日野绫

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343

CPC classification number: H01L29/458 ,  H01L29/78609

Abstract: 提供一种可以省略在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属(无需在薄膜晶体管的半导体层和源电极及漏电极之间形成壁垒金属)的薄膜晶体管基板及显示器件。(1)一种薄膜晶体管基板，具有：薄膜晶体管的半导体层；源电极、漏电极；以及透明导电膜，其中，具有所述源电极及漏电极与所述薄膜晶体管的半导体层直接连接的构造，并且所述源电极及漏电极由含有0.1～6.0原子％的Ni、0.1～1.0原子％的La、0.1～1.5原子％的Si的Al合金薄膜构成，(2)一种设有所述薄膜晶体管基板的显示器件等。

公开(公告)号：CN102169905A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201110036949.3

申请日：2011-02-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  后藤裕史 ,  三木绫 ,  富久胜文 ,  寺尾泰昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  C22C9/05 ,  C22C9/04 ,  C22C9/00

Abstract: 本发明提供即使Cu系合金布线膜和半导体层直接接触，接触电阻率也低并且密接性优异的薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板，具有薄膜晶体管的半导体层和Cu合金层，其中，在所述半导体层和所述Cu合金层之间包括含氧层，构成所述含氧层的氧的一部分或全部与所述薄膜晶体管的所述半导体层的Si结合，所述Cu合金层作为合金元素含有合计为2原子％以上20原子％以下的X(X是从Mn、Ni、Zn和Mg中选出的至少一种)，所述Cu合金层经所述含氧层与所述薄膜晶体管的所述半导体层连接。

公开(公告)号：CN101542696B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200780044289.5

申请日：2007-11-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  富久胜文 ,  日野绫 ,  奥野博行 ,  中井淳一 ,  川上信之 ,  越智元隆

IPC: H01L21/3205 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L23/53219 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。