公开(公告)号：CN106367806A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610879771.1

申请日：2016-10-09

申请人： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心

发明人： 蒋涛 ,  沈昌乐 ,  王雪敏 ,  吴卫东 ,  湛治强 ,  王新明 ,  彭丽萍 ,  黎维华 ,  邓青华 ,  阎大伟 ,  赵妍 ,  樊龙 ,  肖婷婷 ,  张颖娟 ,  孙亮

IPC分类号： C30B25/16 ,  C30B29/42

CPC分类号： C30B25/16 ,  C30B29/42

摘要： 一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100-200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12-23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。

公开(公告)号：CN102471921B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201080033399.3

申请日：2010-07-23

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 樱田隆 ,  川濑智博

IPC分类号： C30B11/06 ,  C30B29/44 ,  H01L21/208

CPC分类号： C30B15/02 ,  C30B11/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/002 ,  C30B15/14 ,  C30B15/20 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/44 ,  Y10T117/1024

摘要： 提供一种制造半导体晶体的方法，该方法包括：准备具有用于放置籽晶(8)和含杂质熔体(9)的底部(1b)以及具有设置于上部(1a)中并用于悬置由杂质浓度小于含杂质熔体(9)的杂质浓度的半导体材料制成的滴落原料块(11)的悬置部(2)的纵向容器(1)的步骤，以及在纵向容器(1)的纵向上建立温度梯度以熔化滴落原料块(11)，以及从接触籽晶(8)的一侧开始固化含杂质熔体(9)，同时将所制造的熔体(13)滴入含杂质容器(9)中，由此制造半导体晶体(12)。

公开(公告)号：CN102414837B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080018652.8

申请日：2010-03-01

申请人： 奥塔装置公司

发明人： 何甘 ,  安德里斯·G·海吉杜斯

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18 ,  C30B25/18 ,  C30B29/42

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/6835 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L2221/6835 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明的实施例大体上涉及外延剥离(ELO)膜和用于生产这样的膜的方法。实施例提供一种同时和分别地在公共支撑衬底上生长多个ELO膜或者堆的方法，该公共支撑衬底平铺有许多外延生长衬底或者表面。其后，ELO膜在ELO过程中通过蚀刻步骤从外延生长衬底去除。平铺的生长衬底包含布置在支撑衬底上的外延生长衬底，所述外延生长衬底可以重复用于生长其他的ELO膜。在一个实施方式中，提供了平铺的生长衬底，其包括两个或者两个以上分开布置在支撑衬底上的砷化镓生长衬底，所述支撑衬底具有在大约5×10-6℃-1到大约9×10-6℃-1的范围内的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN104328499A

公开(公告)日：2015-02-04

申请号：CN201410521834.7

申请日：2014-09-30

申请人： 青岛康和食品有限公司

发明人： 刘振宇 ,  方清平

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B28/00

CPC分类号： C30B29/42 ,  C30B28/00

摘要： 本发明一种砷化镓基多晶无液封合成装置提供一种包括合成炉体和位于所述合成炉体内的石墨系统，石墨系统包括保温单元、加热单元和合成单元，所述保温单元包括石墨保温罩和石墨保温桶，所述加热单元包括电极、加热器和外围温控电路，所述合成单元、以及所述加热单元中的电极和加热器位于所述保温单元的内部，所述加热单元中的加热器和电极位于所述合成单元外围中下部，所述合成单元包括石墨坩埚盖、石墨坩埚和氮化硼坩埚，其特征在于，所述石墨系统还包括使所述合成单元升降转动的运动单元，所述运动单元与所述合成单元、所述合成炉体相连接；所述石墨坩埚和所述石墨坩埚盖在连接处设计有互相啮合的台阶形状。

公开(公告)号：CN103781950A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201180072961.8

申请日：2011-08-25

申请人： 三菱综合材料技术株式会社

发明人： 堀冈佑吉 ,  梶原治郎 ,  真田浩嗣

IPC分类号： C30B29/42 ,  B22F1/00 ,  C30B29/06

CPC分类号： F26B3/18 ,  B22F3/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B15/00 ,  C30B15/10 ,  C30B29/06 ,  C30B29/42 ,  C30B35/007

摘要： 本发明的目的在于单晶硅生长的过程中的炉内碳零件的劣化的防止、生长结晶中的碳浓度降低、以及单晶的多晶化比例的改善。再者，系为解决炉开放时，水分会吸附于炉内零件、烧结金属材料、或半导体结晶原料所致的炉的随时间变化或结晶的差排等问题。本发明的技术手段系包含真空抽取步骤，将填充有烧结金属的原料的模板，或是填充有砷化镓结晶以及用以进行半导体结晶生长的原料的坩埚的开口，以设有供应管及真空排气管的盖子予以闭合，该半导体结晶生长系为单晶硅或多晶硅的半导体结晶生长，且藉由该真空排气管将该模板或该坩埚的内部真空抽取成为10-4托尔以下的高真空状态；以及升温干燥步骤，藉由该供应管将50℃以上且200℃以下的高温惰性气体填充于该模板或该坩埚的内部，使该原料升温并干燥，其中该原料系储存于为该盖子所覆盖的状态的该模板或该坩埚的内部。

公开(公告)号：CN102648310A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201080055477.X

申请日：2010-12-07

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： P·马宗达 ,  B·苏曼 ,  G·B·库克 ,  N·文卡特拉曼

IPC分类号： C30B11/00 ,  C30B29/64 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/16 ,  C30B29/42 ,  C30B29/52 ,  C30B29/08

CPC分类号： C30B29/64 ,  C30B11/003 ,  C30B29/02 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  C30B29/16 ,  C30B29/42 ,  C30B29/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明揭示了制备和/或处理半导体材料制品的方法。在多个方法中，提供第一半导体材料制品，充分加热所述第一半导体材料制品，使该半导体材料熔化，在基本平行于熔融的半导体材料制品最短尺寸的方向上使所述熔融的半导体材料固化。本发明还揭示了通过本文所述的方法制备的半导体材料制品。

公开(公告)号：CN102414837A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018652.8

申请日：2010-03-01

申请人： 奥塔装置公司

发明人： 何甘 ,  安德里斯·G·海吉杜斯

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： C30B25/18 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/6835 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844 ,  H01L2221/6835 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明的实施例大体上涉及外延剥离(ELO)膜和用于生产这样的膜的方法。实施例提供一种同时和分别地在公共支撑衬底上生长多个ELO膜或者堆的方法，该公共支撑衬底平铺有许多外延生长衬底或者表面。其后，ELO膜在ELO过程中通过蚀刻步骤从外延生长衬底去除。平铺的生长衬底包含布置在支撑衬底上的外延生长衬底，所述外延生长衬底可以重复用于生长其他的ELO膜。在一个实施方式中，提供了平铺的生长衬底，其包括两个或者两个以上分开布置在支撑衬底上的砷化镓生长衬底，所述支撑衬底具有在大约5×10-6℃-1到大约9×10-6℃-1的范围内的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN102089467A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980126246.0

申请日：2009-06-30

申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司

发明人： U·克雷策 ,  F·伯尔纳 ,  S·艾希勒 ,  F·克罗普夫甘斯

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B15/04 ,  C30B11/00

CPC分类号： C30B11/02 ,  C30B11/00 ,  C30B11/04 ,  C30B15/04 ,  C30B29/42

摘要： 本申请公开了一种通过熔融砷化镓起始材料并随后使砷化镓熔体凝固来制备掺杂型砷化镓单晶的方法，其中该砷化镓熔体含有相对于化学计量组成过量的镓，且其中在该熔体中或者在所获得的晶体中提供至少5x1017cm-3的硼浓度。可由此获得的晶体的特征在于，低位错密度、高传导性且仍然优异的极低光学吸收率(特别是在近红外范围内)的独特组合。

公开(公告)号：CN101772596A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200880025102.1

申请日：2008-06-04

申请人： 弗赖贝格化合物原料有限公司

发明人： S·艾希勒 ,  T·宾格尔 ,  M·布赖 ,  R·吕曼 ,  M·舍费尔-奇甘

IPC分类号： C30B29/42 ,  C30B11/00

CPC分类号： H01L29/36 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B11/007 ,  C30B29/42 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T428/12

摘要： 一种用于由原材料的熔体(16)制造晶体的装置(1)包括：炉子，其包括具有一个或多个加热元件(20、21)的加热装置，该加热装置设立用于在炉子中产生沿第一方向(18)定向的温度场(T)；多个用以容纳熔体的坩埚(14)，它们并排设置在定向的温度场中；以及均化装置(21a、21b、24、26)，用于在所述至少两个坩埚中在垂直于第一方向的平面内均化温度场。该均化装置可以涉及多个填料(24)，它们装入各坩埚之间的中间空间中并且配备各向异性的导热性，以便优选引起径向定向的热传输。对此附加或按选择也可以涉及用于产生磁场的装置(21a、21b)，它们与各填料(24)相互作用。

公开(公告)号：CN101315910A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200710167164.3

申请日：2007-10-24

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 西浦隆幸 ,  目崎义雄 ,  堀江裕介 ,  樋口恭明

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/02052 ,  C30B29/42 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/3245

摘要： 一种GaAs半导体衬底(10)包括表面层(10a)。当利用通过X－射线光电子光谱术在光电子出射角θ为10°的条件下测量的Ga原子和As原子的3d电子光谱来计算原子比时，该表面层(10a)上所有Ga原子对所有As原子的构成原子比(Ga)/(As)至少为0.5且不大于0.9；在该表面层(10a)上，与O原子结合的As原子与所有Ga原子和所有As原子的比(As－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35；并且在该表面层(10a)上，与O原子结合的Ga原子与所有Ga原子和所有As原子的比(Ga－O)/{(Ga)+(As)}至少为0.15且不超过0.35。因此，提供了具有清洁到允许至少通过衬底的热清洗移除表面上的杂质和氧化物这样的程度的表面的GaAs半导体衬底。