公开(公告)号：CN104112690B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410156463.7

申请日：2014-04-18

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S·W·比德尔 ,  郑政玮 ,  D·K·萨达那 ,  K·L·森格尔 ,  徐崑庭

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/306

摘要： 本发明涉及用于衬底分离的裂纹控制。一种分离用于转移的层的方法包括在衬底上形成裂纹引导层以及在所述裂纹引导层上形成器件层。通过将所述裂纹引导层暴露于减小与所述裂纹引导层相邻的界面处的粘附力的气体，弱化所述裂纹引导层。在所述器件层上形成应力诱导层以帮助通过所述裂纹引导层和/所述或界面引发裂纹。通过使所述裂纹扩展，从所述衬底去除所述器件层。

公开(公告)号：CN105821435A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610206389.4

申请日：2011-01-27

申请人： 耶鲁大学

发明人： 荣格·韩 ,  孙乾 ,  张宇

IPC分类号： C25B1/00 ,  C25F3/12 ,  C30B29/40 ,  C30B33/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3063 ,  H01L33/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC分类号： C25F3/12 ,  C25B1/003 ,  C25B1/04 ,  C30B23/025 ,  C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  C30B33/10 ,  G02B1/02 ,  G02B1/118 ,  G02B5/1861 ,  G02B6/29356 ,  G02B6/29358 ,  G02B2207/107 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02005 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/306 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/30635 ,  H01L21/326 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  Y02E60/366 ,  Y10T428/24997

摘要： 本申请涉及用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用。本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。

公开(公告)号：CN105609555A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201510553408.6

申请日：2015-09-02

申请人： 株式会社东芝

发明人： 鹰野正宗

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/7813

摘要： 本申请案涉及一种包含膜的装置及其制造方法。实施方式的装置的制造方法是在具有第1面及第2面的衬底的第2面侧形成膜，从第1面侧以使膜残留的方式在衬底局部地形成槽，并从第2面侧向膜喷射物质，去除形成有槽的部位的第2面侧的膜。

公开(公告)号：CN103797568B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201280045159.4

申请日：2012-09-10

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 郑政玮 ,  徐崑庭

IPC分类号： H01L21/311

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813

摘要： 提供了一种从下层基础衬底去除半导体器件层的方法，其中在半导体器件层和基础衬底之间形成牺牲含磷化物层。在一些实施例中，可以在形成牺牲含磷化物缓冲层之前在基础衬底的上表面上形成半导体缓冲层。然后，利用无HF蚀刻剂蚀刻最终的结构以从基础半导体衬底释放半导体器件层。在从基础衬底释放半导体器件层之后，基础衬底可以重复利用。

公开(公告)号：CN103337480B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201310286554.8

申请日：2013-07-09

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 柯聪盈

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3246 ,  H01L29/04 ,  H01L29/12 ,  H01L33/02 ,  H01L51/003 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5338 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0353 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/032 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： 一种有源元件基板与其制作方法及显示器的制作方法，该有源元件基板包含可挠性基板、无机离型层与至少一有源元件。可挠性基板具有相对的第一表面与第二表面，其中第一表面为平坦表面。无机离型层覆盖可挠性基板的第一表面。无机离型层的材质为金属、金属氧化物或上述组合。有源元件位于可挠性基板的第二表面上。本发明提供的有源元件基板可以减少有源元件受损的机率。

公开(公告)号：CN102832104B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210197083.9

申请日：2012-06-14

申请人： 国际商业机器公司

发明人： S.W.比德尔 ,  K.E.福格尔 ,  P.A.劳罗 ,  D.K.萨达纳 ,  D.沙赫杰迪

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/304

摘要： 本公开提供从单个基底基板开始形成两个器件晶片的方法。该方法包括首先提供包括基底基板和多个器件层的结构，器件层位于基底基板的最上表面上和最下表面上，或器件层位于基底基板的最上表面内和最下表面内。基底基板可具有双侧抛光表面。包括多个器件层的结构在器件层之间的基底基板内的区域中分裂。该分裂提供第一器件晶片和第二器件晶片，第一器件晶片包括基底基板的一部分和器件层之一，第二器件晶片包括基底基板的另一部分和另外的器件层。

公开(公告)号：CN105047769A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510343304.2

申请日：2015-06-19

申请人： 安徽三安光电有限公司

发明人： 李政鸿 ,  徐志波 ,  林兓兓 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L33/0075 ,  H01L21/7813 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22

摘要： 本发明提出了一种利用湿法蚀刻进行衬底剥离的发光二极管制备方法，先利用二次成长方式，制作并插入一层氮化铝层，藉由该层终止因衬底与后续外延层的晶格失配所导致缺陷的延伸；同时，二次成长中PVD法制备的氮化铝层因低温生长的多晶格特性，利用简单湿法方式即可腐蚀去除，以达到第一衬底简单、快速剥离的目的。

公开(公告)号：CN104867872A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510201810.8

申请日：2015-04-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 周晓东 ,  陈立强 ,  谭纪风

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L21/6836 ,  H01L2221/68327

摘要： 本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示基板的制作方法及柔性显示面板的制作方法。所述柔性显示基板的制作方法包括：在硬性有机基底上制作截止滤光薄膜，所述截止滤光薄膜用于降低切割激光的透过率；在所述截止滤光薄膜上形成柔性基板；在所述柔性基板上制作显示图案，形成柔性显示坯板；用切割激光切割所述柔性显示坯板，形成柔性显示基板。该方法中设置了截止滤光薄膜，其能够使硬性有机基底避免受到切割激光的破环，保护了硬性有机基底，使硬性有机基底可以多次重复利用，进而降低了柔性显示基板的制作成本。本发明的柔性显示基板的制作方法可用于制备柔性显示基板。

公开(公告)号：CN104201283A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410448021.X

申请日：2014-09-04

申请人： 广州新视界光电科技有限公司

发明人： 徐苗 ,  许志平 ,  李洪濛 ,  邹建华 ,  王磊 ,  陶洪 ,  彭俊彪

IPC分类号： H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L51/0097 ,  H01L21/7813

摘要： 一种用于柔性显示器件的衬底与基板分离工艺、柔性显示器件及其制备工艺，工艺包括如下步骤,（1）在基板上制备牺牲层,所述牺牲层为碳单质薄膜；（2）在牺牲层上制备柔性薄膜衬底；（3）在柔性薄膜衬底上制备电子元件；（4）将柔性薄膜衬底从基板上解离获得成品柔性显示器件。牺牲层为碳单质薄膜，具体为非晶碳膜、碳纳米管薄膜、石墨烯薄膜、富勒烯薄膜或者类金刚石薄膜中的任意一种或者一种以上。牺牲层的厚度为1nm-1000nm。本发明采用碳单质薄膜作为牺牲层，能够简单、低成本、快速地实现衬底与基板分离，且不影响器件性能。

公开(公告)号：CN104201096A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410448020.5

申请日：2014-09-04

申请人： 广州新视界光电科技有限公司

发明人： 徐苗 ,  李洪濛 ,  许志平 ,  王磊 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  彭俊彪

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/3244 ,  H01L2021/775 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

摘要： 一种解离剂、解离工艺、柔性显示器件制备及其制备工艺，解离剂为还原性解离剂，包括草酸、盐酸、硫化氢、次氯酸、硫酸亚铁、亚硫酸钠、氯化亚锡、硼氢化钾或者硼氢化钠中的至少一种溶液。制备工艺是首先在基板上制备柔性薄膜衬底，再在柔性薄膜衬底上制备薄膜器件形成初体，最后通过解离剂将初体的柔性薄膜衬底与基板解离得到成品柔性显示器件。本发明的解离剂及解离方法能够使得柔性薄膜衬底与基板容易解离，解离方便、迅速。本发明的柔性显示器件及其制备工艺不需要制备牺牲层，直接将制备后的衬底与基板进行解离，工序简单、制备方便、解离迅速。