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公开(公告)号：CN101121572A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200610109570.X
申请日：2006-08-10
申请人： 乙太精密有限公司
CPC分类号： C03B11/086
摘要： 本发明公开了一种模造玻璃模仁及其再生方法，该模仁包含有一底材，一第一中介层，设于该底材表面，由钛或其它不易被侵蚀的合金材质所制成，一保护膜，设于该第一中介层表面，由钼合金所制成，而模仁的再生方法是以侵蚀方式除去保护膜而不损伤第一中介层及底材，再重镀该保护膜而获致模仁再生的效果，可有效降低模仁的制作成本，并仍可达到高精度玻璃模造镜片所使用的模仁标准。
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公开(公告)号：CN100362620C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200510028667.3
申请日：2005-08-11
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
发明人： 户高良二
CPC分类号： H01L21/67742 , H01L21/6719 , H01L21/68721 , H01L21/68742 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： 本发明公开了一种半导体工艺件装卸装置以及使用该装置装卸半导体工艺件的方法，采用了处理平台上升托起半导体工艺件的手段，在半导体工艺件装卸过程中，可以保持半导体工艺件停留在原位不动而不需要随顶针上下升降，从而保证半导体工艺件准确定位在处理平台上，避免了由顶针升降带来的半导体工艺件位置发生偏移的问题，实现了半导体工艺件的快速装卸。
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公开(公告)号：CN101090998A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200580030594.X
申请日：2005-07-29
申请人： 维高仪器股份有限公司
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45572 , C23C16/45574
摘要： 一种用于化学气相沉积反应器(100)的气体分配喷射器(150)具有面向下游朝向基底(135)设置在一内表面(155)上的间隔开的部位处的前驱气体入口(160、165)，并具有设置在前驱气体入口(160、165)之间的载体开口(167)。一个或多个前驱气体(180、185)通过前驱气体入口(160、165)引入，而一基本上与前驱气体不反应的载体气体(187)通过载体气体开口(167)引入。载体气体将形成在喷射器(150)上的沉积物减到最少。载体气体开口可由形成表面的多孔板(230)或通过散布在前驱入口之间的载体入口(167)提供。气体入口可以是可移去的(1780)或同轴的(1360)。
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公开(公告)号：CN101088148A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200580039761.7
申请日：2005-09-23
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , C23F1/00 , C23C16/00
CPC分类号： H01J37/3299 , H01J37/32082 , H01J37/32935
摘要： 公开了一种用于在具有处理室的等离子体系统中原位监控处理的方法。该方法包括在等离子体处理室中定位衬底。该方法还包括在将衬底设置在等离子体处理室内时在等离子体处理室中撞击等离子体。该方法进一步包括获得撞击等离子体之后存在的测量阻抗，该测量阻抗具有当等离子体不存在时的第一值以及当等离子体存在时的不同于第一值的至少一个第二值。该方法还包括如果测量阻抗值在预定阻抗值包络之外，则使测量阻抗值与处理的属性相关。
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公开(公告)号：CN101068950A
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200480017290.5
申请日：2004-05-26
申请人： 阿维扎技术公司
IPC分类号： C23C16/00 , C23F1/00 , H01L21/306
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574
摘要： 本发明提供了一种用在半导体制造中的气体分配装置。该气体分配装置包括整体元件和形成在该整体元件内以将气体均匀送入加工区域的气体分配网络。该气体分配网络包括：入口通道，其向上延伸通过整体元件的上表面，以连接到气体源；多个第一通道，其会聚在一联结点处并在该联结点处与入口通道连接；与该多个第一通道连接的多个第二通道；以及多个出口通道，其与多个第二通道连接，以将气体送入加工区域。第一通道从联结点径向向外延伸到整体元件的外围表面，第二通道不垂直于第一通道，并从第一通道向外延伸到外围表面。出口通道向下延伸通过整体元件的下表面，以将气体送入加工区域。
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公开(公告)号：CN101039743A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200580035408.1
申请日：2005-10-18
申请人： 大日本印刷株式会社
IPC分类号： B01D71/02 , C23F1/02 , B01D53/22 , C25D5/50 , B01D69/10 , C25D7/00 , B01D69/12 , C01B3/32 , C23F1/00
CPC分类号： B01D69/02 , B01D53/228 , B01D67/0062 , B01D71/022 , B01D2325/021 , C01B3/505 , C01B2203/041 , C01B2203/047 , C23F1/02 , C23F1/28 , C25D7/00 , Y10S55/05 , Y10T428/12951 , Y10T428/249953
摘要： 氢纯化过滤器具备与多孔支撑体的一个面接合的Pd合金膜，该多孔支撑体的各孔部是下述孔部：多孔支撑体的厚度T、孔部与Pd合金膜接合一侧的开口直径D1、孔部的相对一侧的开口直径D2之间存在1.0≤D1/T≤5.0、且1.0≤D2/T≤5.0的关系，孔部与Pd合金膜接合一侧的开口直径D1、孔部的相对一侧的开口直径D2、该孔部最狭窄部的开口直径D3之间存在D3/D1＜0.8、且D3/D2＜0.9、且D3＜250μm的关系，并且上述孔部与Pd合金膜接合一侧开口的总面积占上述多孔支撑体面积的20～80％。
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公开(公告)号：CN101022912A
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200580016015.6
申请日：2005-03-17
申请人： 斯潘塞·P·郭
发明人： 斯潘塞·P·郭
CPC分类号： H05H1/30
摘要： 一种电弧等离子炬，其由安装在渐缩S波段矩形空腔的窄部分底壁上的炬模块产生。所述电弧等离子炬用于在微波电场为最大值处种子微波放电。渐缩空腔设计成支持TE103模式。由于种子，只需要低Q空腔和中等的微波能量(单位时间平均能量700W)。微波增强放电显著增加种子电弧炬等离子体的大小、周期能量和占空度。该炬可不需要引入气流而稳定运行，或仅需要空气流而运行。增加空气流不仅可提高炬等离子体的大小，也可提高它的周期能量，在空气流速超过0.393l/s其可达到大约12J/每周期的平稳阶段。该微波等离子体炬可具有大约1.25cm或更大的半径，高度约5cm，和超过5×1013cm－3峰值电子密度。该炬可产生大量活性原子氧，并因此可用于迅速破坏广谱的化学生物战(CBW)剂的应用中。
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公开(公告)号：CN101018884A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200580013782.1
申请日：2005-04-11
申请人： 兰姆研究公司
CPC分类号： H01J21/36 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32724 , H01L21/306
摘要： 一种等离子处理设备，包括向喷淋头式电极输送工艺气体和射频(RF)功率的气体分配单元。气体分配单元可以包括多个气体通路，以相同或不同的流速，向喷淋头式电极后侧的一个或多个储气室，输送相同的工艺气体或不同的工艺气体。气体分配单元在半导体基片上，提供要达到的需要的工艺气体分配，该半导体基片在喷淋头式电极与支承基片的下电极之间的空隙中被处理。
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公开(公告)号：CN1997771A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200580008542.2
申请日：2005-03-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 金智洙 , 比内特·沃尔沙姆 , 严必明 , 彼得·K·勒文哈德特
IPC分类号： C23F1/00 , H01L21/302 , B44C1/22 , C03C15/00
CPC分类号： H01L21/31144 , H01L21/76811 , H01L21/76813
摘要： 本发明公开了一种在等离子体处理系统中蚀刻基片的方法。该基片具有半导体层、置于半导体层上的第一阻挡层、置于第一阻挡层上的低k层、置于低k层上的第三硬掩模层、置于第三硬掩模层上的第二硬掩模层、以及置于第二硬掩模层上的第一硬掩模层。该方法包括使用第一蚀刻剂和第二蚀刻剂选择性地蚀刻基片，其中第一蚀刻剂对于第一硬掩模层的第一硬掩模材料、第三硬掩模层的第三硬掩模材料、以及第一阻挡层的第一阻挡层材料具有低选择性，而对于第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有高选择性；以及第二蚀刻剂对于第一硬掩模层的第一硬掩模材料、第三硬掩模层的第三硬掩模材料，以及第一阻挡层的第一阻挡层材料具有高选择性，以及第一蚀刻剂对于第二硬掩模层的第二硬掩模材料具有低选择性。
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