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公开(公告)号：CN118463844A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410532742.2
申请日：2024-04-30
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于LED发光的装备表面微翘曲测量装备及方法，属于测量技术领域。本发明的测量装备通过将c面AlGaN基LED芯片与待测装备表面严密贴合，利用AlGaN基材料具有较强极化特性的特点，装备表面翘曲将会为c面AlGaN基LED芯片提供翘曲，改变其受力状态，使其发光波长发生偏移。只需探测待测装备表面c面AlGaN基LED芯片发光波长偏移量，即可得到待测装备表面翘曲数值，进一步计算待测装备表面受力状态。相比于传统的翘曲(受力)探测方法，该方法可以应用于装备高速运行过程当中，为相关装备运行过程中的受力数据反馈提供新的监测方法，该方法可以测量微小翘曲度，并且装备体积小、易操作。
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公开(公告)号：CN118299440A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410399745.3
申请日：2024-04-03
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供的AlN极紫外探测器，从下至上依次包括衬底，N极性AlN层，Al极性AlN层，以及位于上表面的第一金属电极和第二金属电极；由于自发极化效应，在N极性AlN层中的自发极化强度方向垂直向上，而Al极性AlN层中的自发极化强度方向垂直向下，因此在极性反转界面处会产生极化感应正电荷，形成极化电场；Al极性AlN层吸收极紫外光子产生的光生‑电子空穴对将在极化电场作用下更有效地分离，从而可以提高载流子收集效率。另外，本申请还提供了AlN极紫外探测器的制备方法。
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公开(公告)号：CN118136718A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410310244.3
申请日：2024-03-19
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/173 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L33/12 , H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/40 , H01L33/32
Abstract: 本申请提供的同质集成器件，包括：衬底；图案化介电层掩膜；缓冲层；n型掺杂层；多量子阱层；p型掺杂层；n型接触电极；p型接触电极；光波导结构；本申请提供的同质集成器件，选取LED发光波长最短的区域制作LED器件，选择In组分较高的区域制作PD器件，LED发光波长蓝移，PD响应频段红移，从而提高了LED和PD同质集成芯片发光和探测波长重合度，进而提高系统的光电耦合效率。另外，本申请还提供了一种同质集成器件的制备方法。
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公开(公告)号：CN117862148A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311789575.1
申请日：2023-12-22
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及一种清洁装置，用于对MOCVD设备进行清洁，MOCVD设备包括反应室、旋转盘和喷淋头，清洁装置包括：第一清洁装置、第二清洁装置和第三清洁装置，第一清洁装置、第二清洁装置和第三清洁装置均可拆卸安装于旋转盘上，第一清洁装置用于清洁反应室顶盖，第二清洁装置用于清洁喷淋头，第三清洁装置用于清洁反应室腔体的内侧壁。该清洁装置能够有效提高MOCVD设备的清洁度，并且使得MOCVD设备的整个清洁过程中产生的粉尘和气体不易飞溅溢出，有效减少MOCVD设备清洁过程中产生的粉尘溅射以及粉尘和气体对人体的危害，进而有效提高MOCVD设备的稳定性和产品的良品率，使得MOCVD设备的整体性能得以有效提升。
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公开(公告)号：CN117822104A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311728495.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C30B25/14 , C30B25/16 , C23C16/455
Abstract: 本发明提出一种垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置，具体涉及于半导体技术领域,所述垂直反应腔MOCVD设备喷淋头装置包括喷淋装置本体，其中：所述上喷淋装置包括第一混合腔，所述上喷淋装置底部设有与第一混合腔连通的喷淋管，所述上喷淋装置顶部还设有第一入口，所述下喷淋装置包括第二混合腔，所述下喷淋装置底部设有与第二混合腔连通的喷淋管，所述下喷淋装置顶部设有第二入口，所述喷淋管底部设有导流部，所述喷淋管由竖直方向逐渐向水平方向倾斜，通过将喷淋管进行倾斜设置以及喷淋管末端设置导流部，可以使得金属源、氢化物源气体在第一混合腔、第二混合腔内相互接触，并延长从喷头到衬底所需的时间，有利于金属源、氢化物源扩散均匀的混合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117822101A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311861359.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明提出一种新型多功能二维材料生长设备，具体涉及于半导体设备技术领域,所述新型多功能二维材料生长设备包括刻蚀组件，其中：刻蚀组件包括激光器以及设置于激光器一侧的半透反射镜和偏转元件，半透反射镜两侧各设有一个反射镜，两个反射镜底部一侧设有聚焦透镜，激光器发射的光束通过偏转元件偏射、半透反射镜反射后形成两束相干光束，并依次经过两个反射镜并反射至聚焦透镜，最后经过平行板观察窗聚焦于衬底表面进行刻蚀，并可对反应物完成低能量照射和高能量激光照射，还可通过刻蚀组件可以刻蚀生长衬底改变晶体结构以及利用低能量激光照射、高能量激光照射来实现为刻蚀区域的反应产物分子提供能量和二维材料区域选择性生长等多种功能。
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公开(公告)号：CN117737844A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311862063.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: C30B25/18 , G02B5/08 , C30B29/40 , C30B23/02 , C23C14/06 , C23C16/34 , C23C16/56 , C23C14/58 , C23C14/35 , C23C16/455 , C30B33/02
Abstract: 本申请提供的多孔布拉格反射镜及其制备方法，在衬底上外延生长AlN缓冲层；在所述AlN缓冲层上采用物理气相沉积法与AlN材料外延生长的方法依次交替周期性生长AlN；对周期性生长AlN后的材料进行高温退火处理，形成折射率差为1的布拉格反射镜，本申请提供的多孔布拉格反射镜及其制备方法，利用PVD和外延生长的AlN，经过退火后，相邻两层之间折射率差可达到1左右，是常规DBR折射率差的两倍以上，能够提升其结构性能。
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公开(公告)号：CN114171634B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111470865.0
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: H01L31/109 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种日盲紫外光电探测器及其制备方法，日盲紫外光电探测器包括从下至上依次设置的基底、缓冲层、多周期薄膜层、金属叉指电极；多周期薄膜层至少为双层结构，多周期薄膜层的各层由GaN、AlxGa1‑xN和AlN中的任意两种或三种材料依次叠加构成。本发明提供的日盲紫外光电探测器及其制备方法，通过设置具有折射率差异的多层结构的多周期薄膜层，通过控制多周期薄膜层厚度、周期数实现可选择的对特定波段辐射的反射率增强，实现双波段日盲紫外光电探测的新思路，解决单一光学带隙半导体材料无法实现双波段探测的问题。
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公开(公告)号：CN112945379B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202110147150.5
申请日：2021-02-03
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
IPC: G01J1/44
Abstract: 一种单光子探测器死时间设置与噪声滤除的系统涉及半导体技术领域，解决了死时间设置复杂并产生微分信号噪声的问题，包括搭载有探测芯片的淬灭电路模块、用于为探测芯片提供反向偏置电压偏压模块、信号放大模块、甄别模块、单稳模块、FPGA控制模块和死时间模块；信号放大模块用于放大探测芯片产生的雪崩信号；甄别模块用于在放大雪崩模拟信号大于甄别模块上的甄别阈值时输出数字脉冲信号；单稳模块用于统一数字脉冲信号的脉冲宽度得到雪崩数字脉冲信号；FPGA控制模块用于根据雪崩数字脉冲信号输出甄别器使能信号和死时间触发信号；死时间模块能够生成死时间信号。本发明能够优化单光子探测器的后脉冲效应，实现简单且能够滤除微分信号。
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公开(公告)号：CN117568936A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311481616.0
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种AlN‑ScN超晶格材料及其制备方法。本发明的制备方法，通过控制AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数，结合提供范德华相互作用的二维材料插入层以及高温退火，得到AlN‑ScN超晶格材料。对AlN‑ScN超晶格结构的不同晶相进行势能面扫描，确定不同AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数条件下的最稳定晶相；进行AlN薄膜层、ScN薄膜层的叠加层数控制的AlN‑ScN超晶格结构生长；本发明可以实现大范围Al/Sc组分比的可控晶相AlN‑ScN材料，并且可以实现一种新的纤锌矿‑岩盐矿混合结构AlN‑ScN材料。
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