公开(公告)号：CN107359202A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710317084.5

申请日：2017-05-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中泽安孝 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提高具有氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个方式包括：栅电极；栅电极上的绝缘膜；绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及氧化物半导体膜上的一对电极，其中，氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，第一氧化物半导体膜是In氧化物或In-Zn氧化物，第二氧化物半导体膜是In-M-Zn氧化物(M为Al、Ga或Y)，并且，第二氧化物半导体膜包括In原子的数量为In、M和Zn原子的总数的40％以上且50％以下的区域及M原子的数量为In、M和Zn原子的总数的5％以上且30％以下的区域。

公开(公告)号：CN106935656A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710084245.0

申请日：2013-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC: H01L29/786

Abstract: 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN104395991B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380034241.1

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN104885230A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067846.0

申请日：2013-12-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  片山雅博 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255

Abstract: 一种半导体装置包括：晶体管，该晶体管包括绝缘膜、氧化物半导体膜、与氧化物半导体膜重叠的栅电极以及与氧化物半导体膜接触的一对电极；电容器，该电容器包括在绝缘膜上的第一透光导电膜、在第一透光导电膜上的介电膜以及在介电膜上的第二透光导电膜；在晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及在氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜。介电膜是氮化绝缘膜，氧化绝缘膜在一对电极之一上包括第一开口，氮化绝缘膜在一对电极之一上包括第二开口，且第二开口与第一开口相比是在内侧。

公开(公告)号：CN103290371B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201310150088.0

申请日：2012-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  佐藤瞳 ,  渡边正宽 ,  增山光男 ,  冈崎健一 ,  中岛基 ,  岛津贵志

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/08 ,  B28B11/243 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN104185898A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380017829.6

申请日：2013-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN103124805A

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：CN201280000715.6

申请日：2012-05-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  丸山哲纪 ,  井本裕己 ,  佐藤瞳 ,  渡边正宽 ,  增山光男 ,  冈崎健一 ,  中岛基 ,  岛津贵志

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/08 ,  B28B11/243 ,  C04B35/453 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/345 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN112510097B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202011132912.6

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  片山雅博 ,  中田昌孝

IPC: H10D30/67 ,  H10K59/121 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。

公开(公告)号：CN112635573B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202011577605.9

申请日：2015-06-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  肥塚纯一 ,  神长正美 ,  井口贵弘

IPC: H10D30/67 ,  H01L21/34 ,  H10D64/68 ,  H10D86/60

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。在包括氧化物半导体的半导体装置中，能够抑制电特性的变动且提高可靠性。本发明的一个方式是一种包括氧化物半导体膜的半导体装置，包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上方的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上方的第二绝缘膜；第二绝缘膜上方的第三绝缘膜，其中，第二绝缘膜包含氧与硅，第三绝缘膜包含氮与硅，并且，在第二绝缘膜与第三绝缘膜的界面附近包含铟。

公开(公告)号：CN118588742A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410727601.6

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  C01G15/00 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。