公开(公告)号：CN118553588A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410100715.8

申请日：2024-01-24

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金东勋 ,  林铉民 ,  尹和一

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H05F3/02 ,  H05F3/00

摘要： 衬底处理装置包括：处理室，包括上腔室和下腔室，下腔室具有用于处理衬底的处理空间；衬底支撑单元，设置在处理空间中，衬底支撑单元固定衬底；供气单元，将工艺气体供应到上腔室和处理空间的内部；等离子体产生单元，包括设置在上腔室中的上电极和连接到上电极的高频电源，高频电源通过阻抗匹配器供应高频电力；以及滤波器单元，连接到上电极，滤波器单元去除在上电极的一个表面上累积的电荷。

公开(公告)号：CN118136485B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410558085.9

申请日：2024-05-08

申请人： 上海谙邦半导体设备有限公司

发明人： 李可 ,  王兆祥 ,  涂乐义 ,  梁洁 ,  王亮 ,  向浪

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明提供一种进气装置及等离子刻蚀机，属于等离子制造设备技术领域。该进气装置设置有两层介质窗，能够通过使工艺气体先在两层介质窗之间的气流通道内一次解离，一次解离的工艺气体再进入工艺腔体；由此提高工艺气体的解离能。该进气装置用于向等离子刻蚀机的工艺腔体通入工艺气体，包括上层介质窗和下层介质窗；所述上层介质窗和所述下层介质窗相对设置，在两者对接面之间形成密闭的气流通道；所述上层介质窗或下层介质窗上设置有反应气体入口；所述反应气体入口通过围绕气流通道外轮廓一周的边缘混气槽与所述气流通道连通；所述下层介质窗对应气流通道的中间位置设置有与所述工艺腔体连通的一个以上反应气体出口。

公开(公告)号：CN118541782A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202380017261.1

申请日：2023-01-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 斯里哈沙·贾扬提 ,  黄舒城 ,  格拉尔多·阿德里安·德尔加迪诺 ,  梅雷特·王 ,  尼基尔·多乐

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67

摘要： 本文的各种实施方案涉及在衬底中蚀刻特征的方法和装置。通常，在形成DRAM或其他存储设备的背景下蚀刻特征。在介电材料中蚀刻特征，介电材料通常包括氧化硅。使用包括含金属气体(例如六氟化钨)的化学物质蚀刻特征。虽然其他含金属气体通常用作沉积气体(例如，沉积含金属膜)，但它们也可以在蚀刻过程中使用。有利的是，在蚀刻化学物质中加入含金属气体可以增加蚀刻的选择比和/或改善特征之间的均匀性(例如，改善LCDU)。

公开(公告)号：CN113519039B

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202080017475.5

申请日：2020-02-10

申请人： 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔

发明人： 尤卡·科莱赫迈宁

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C14/16 ,  C23C14/32 ,  H01J37/34 ,  H05H1/48

摘要： 一种用于将材料以阴极电弧沉积到物体上的组件。该组件包括旋转靶和用于接纳待涂覆物体的腔室。可旋转靶具有喷射等离子体材料的表面。阳极环位于距可旋转靶表面的第一距离处。阳极环具有带有中心轴线的开口，该中心轴线平行于可旋转靶的旋转轴线且相对于旋转轴线以第二距离错开布置。火花装置设置在该腔室内，用于在可旋转靶的表面产生电弧。该组件被配置用于将从靶表面射出的带电粒子流经由阳极环的开口引导至待涂覆物体。

公开(公告)号：CN118522625A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202310186399.6

申请日：2023-02-20

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 任西鹏 ,  俞振铎 ,  李新颖 ,  庞锟锋

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本申请公开一种半导体工艺设备及其屏蔽罩结构，属于半导体工艺技术。该屏蔽罩结构中，其第一屏蔽罩体围绕工艺腔室的上部空间设置，且设置有多个第一射频馈入孔，以在每相邻的两个第一射频馈入孔之间形成一个孔间隙。其调节屏蔽罩体围绕第一屏蔽罩体设置，且设置有与多个第一射频馈入孔一一对应设置的多个调节射频馈入孔。其调节动力机构，与调节屏蔽罩体驱动连接，以驱动调节屏蔽罩体相对第一屏蔽罩体转动。其第二屏蔽罩体围绕调节屏蔽罩体设置，且设置有多个第二射频馈入孔，每个第二射频馈入孔正对一个孔间隙设置。本技术方案，其可确保内层射频馈入孔的宽度在工艺过程中保持恒定，进而保证半导体工艺设备的蚀刻速率和工艺稳定性。

公开(公告)号：CN111261498B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202010126487.3

申请日：2014-04-01

申请人： EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

发明人： N.拉策克

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

摘要： 本发明涉及用于衬底表面处理的方法及装置。根据该方法，将该衬底表面布置在过程腔室中，使用由离子束源产生且瞄准该衬底表面的离子束冲击该衬底表面以自该衬底表面移除杂质，其中该离子束具有第一成分，将第二成分引入至该过程腔室中以结合该经移除杂质。此外本发明涉及一种用于衬底的衬底表面的表面处理的装置，其包含：过程腔室，其用于接收该衬底；离子束源，其用于产生具有第一成分且瞄准该衬底表面的离子束以自该衬底表面移除杂质；构件，其用于将第二成分引入至该过程腔室中以结合该经移除的杂质。

公开(公告)号：CN110867364B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN201910625718.2

申请日：2019-07-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金敬勋 ,  文丁一 ,  李衡周 ,  宣钟宇 ,  金东规

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 提供了一种等离子体监测装置，包括：物镜，被配置为收集从等离子体发射并穿过腔室的光学窗口的光；第一分束器，被配置为将由物镜收集的光分成第一光和第二光；第一光学系统和第二光学系统，分别设置在第一光的第一光路和第二光的第二光路上，第一光学系统和第二光学系统具有不同的焦距，使得第一光学系统和第二光学系统的焦点设置在等离子体中的不同区域；以及光检测器，被配置为检测已经穿过第一光学系统的第一光和已经穿过第二光学系统的第二光。

公开(公告)号：CN118511257A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280086235.X

申请日：2022-12-01

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： S·帕拉雅·维努格帕 ,  T·法拉兹

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  H01J37/32

摘要： 公开了通过选择性地去除材料而图案化目标层的方法和设备。在一布置中，用图案化束辐照目标层。图案化束产生呈等离子体图案的等离子体，该等离子体在局部与目标层相互作用以限定待从目标层去除何处的材料。在辐照期间，向衬底施加偏压以控制撞击在目标层上的等离子体的离子的能量分布。

公开(公告)号：CN114156157B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202111457907.7

申请日：2021-12-01

申请人： 大连理工大学

发明人： 孙景毓 ,  张权治 ,  温慧 ,  刘永新 ,  王友年

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本发明涉及一种等离子体产生装置，涉及等离子体技术领域，包括第一栅极、第二栅极、磁场产生部件；第一栅极与第二栅极平行设置，且第一栅极与第二栅极之间间隔第一距离；第一距离为德拜长度量级的距离；第一栅极与电源组件连接；磁场产生部件用于产生平行于第一栅极的磁场；工作时，电源组件向第一栅极施加射频电压，使得第一栅极与第二栅极之间产生第一交变电场，在第一交变电场内的电子经过共振加速后进入到磁场，进而在磁场中回旋返回至第一交变电场继续进行共振加速，以产生等离子体；第一交变电场的周期与磁场的周期相同。本发明在低气压下放电效率高，且能够产生径向均匀性良好的等离子体。

公开(公告)号：CN118486607A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410342170.1

申请日：2018-05-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 诺曼·梅特克 ,  希曼舒·乔克斯

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  C23C16/52 ,  C23C16/46 ,  C23C16/505 ,  C23C16/511 ,  C23C16/50 ,  C23C14/54

摘要： 一种用于在衬底处理系统中的处理期间控制衬底温度的系统包括：限定中心区域和径向外部区域的衬底支撑件。在处理期间，将所述衬底布置在所述中心区域和所述径向外部区域两者上。第一加热器被配置为加热所述中心区域。第二加热器被配置为加热所述径向外部区域。第一散热器具有与所述中心区域热连通的一端。第二散热器具有与所述径向外部区域热连通的一端。在所述处理期间，所述中心区域和所述径向外部区域之间的温度差大于10℃。