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公开(公告)号：CN114753005A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210383538.X
申请日：2022-04-13
申请人： 包头美科硅能源有限公司 , 江苏美科太阳能科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种单晶炉自动剪籽晶装置，包括设于副室（1）下部的籽晶剪断装置（2），其包括依次相连的旋转电机（21）、旋转轴（22）和旋转支架（23），旋转支架（23）上固定伸缩气缸（24），伸缩气缸（24）再依次与伸缩齿条（25）、传动齿轮（26）和开合齿轮（28）相连，开合齿轮（28）与传动齿轮（26）同轴相连，开合齿轮（28）的下方设有滑杆（29），滑杆（29）上滑动连有齿条刀架（210），每个齿条刀架（210）的一端与对应侧的开合齿轮（28）相互啮合、另一端连有截切刀（211）。本发明的优点是可完成籽晶的自动剪断，节约工时，有效避免剪籽晶时产生的硅渣崩入人面的风险，提高安全性。
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公开(公告)号：CN112575385B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202011335704.6
申请日：2020-11-25
申请人： 长沙理工大学 , 湖南金晶乐科技有限公司
摘要： 一种中子单色器用单晶片的高温成形设备由加热电炉、温度控制系统、模具系统、加载系统、真空保护系统、操作台、辅助系统组成；加热电炉炉口朝下，由玻璃罩和阻挡法兰形成真空腔，玻璃罩开设有操作口；模具为复合模通过导向槽上下移动和旋转，本设备可在弯曲和整平两种状态中切换；夹具和监视系统则可完美辅助完成高温下单晶片的移位和取放。本设备原理简单，使塑性镶嵌非完美单晶片的成型工艺效率大大提高。
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公开(公告)号：CN114635186A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210095237.7
申请日：2022-01-26
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构及其制备方法，该制备方法包括：步骤1：在衬底上制备氮化铝成核层；步骤2：在铜箔表面生长至少一层六方氮化硼层；步骤3：将六方氮化硼层从铜箔转移至氮化铝成核层上；步骤4：在六方氮化硼层上外延生长氮化镓外延层，得到六方氮化硼辅助氮化镓外延的衬底结构。本发明的方法，首先在衬底上低温磁控溅射了一层氮化铝成核层，再通过转移的方式将六方氮化硼层转移至氮化铝成核层上，然后再进行氮化镓外延生长，外延得到的氮化镓层具有良好的晶格取向，氮化铝成核层起到了晶格修正的作用。
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公开(公告)号：CN114540955A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210171746.3
申请日：2022-02-24
申请人： 北京通美晶体技术股份有限公司
发明人： 周雯婉
摘要： 本申请涉及单晶生长技术领域，具体公开了一种GaAs单晶生长工艺。本申请的GaAs单晶生长工艺，包括如下步骤：S1、多晶合成：（1）装料：将砷和镓放入炉中；（2）合成多晶：调整炉内压强以及温度至多晶物料完全熔化，降温；（3）冷却出炉：降低温度，取出即得多晶半成品；S2、多晶清洗：将多晶半成品置于清洗液中清洗，即得多晶成品；S3、单晶生长：（1）装料：向石英坩埚装入籽晶、多晶成品、余砷，放入石英安培瓶内并抽真空、烘烤、封焊；（2）装炉：依VGF工艺装入炉中；（3）长晶：依VGF工艺完成单晶生长，即得。本申请制得的GaAs单晶质量佳。
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公开(公告)号：CN114318531A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210012562.2
申请日：2022-01-06
申请人： 济南金刚石科技有限公司
摘要： 一种应用于MPCVD大尺寸金刚石多晶的剥离方法，将在MPCVD生长腔室内制备完成的带有多晶衬底的金刚石多晶放入激光切割机中进行边缘环切，将环切完成的带有多晶衬底的金刚石多晶再次放入MPCVD生长腔室内，开机运行多晶生长工艺至平稳生长阶段，此时保持腔室最大生长压力，保持此阶段5～10分钟，随后转入快速降温停机过程，此过程的停机时间比正常停机时间缩短50%～60%；由于金刚石多晶的热膨胀系数与多晶衬底的热膨胀系数存在差异，在快速的降温停机过程中，两者收缩程度不同，使生长完成的金刚石多晶与多晶衬底完整的分离。本发明可有效提升剥离多晶的完整程度，提高获得多晶的质量，完整高效的制备高精度大尺寸金刚石多晶。
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公开(公告)号：CN113897683B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111490083.3
申请日：2021-12-08
申请人： 浙江大学杭州国际科创中心
摘要： 本发明涉及碳化硅单晶片制造领域，公开了一种n型碳化硅单晶片剥离方法及剥离装置，包括：提供n型碳化硅晶锭，包括非晶层和位于非晶层表面的单晶层；将n型碳化硅晶锭浸泡入刻蚀液中，基于三电极体系将n型碳化硅晶锭作为阳极并在刻蚀液中设置阴极和参比电极；采用特定波长的入射光对n型碳化硅晶锭进行照射，入射光照射在非晶层表面形成光生空穴‑电子对；在照射的过程中，向n型碳化硅晶锭提供正恒电位，非晶层表面的光生电子沿电流转移到阴极上与刻蚀液发生反应，刻蚀液对非晶层表面进行选择性刻蚀，实现单晶层的剥离，得到n型碳化硅单晶片。通过本发明得到的单晶片表面或亚表面无损伤层、无应力残余，操作简单，成本低。
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公开(公告)号：CN114222801A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202080056642.7
申请日：2020-08-07
申请人： 株式会社田村制作所 , 国立研究开发法人物质·材料研究机构
摘要： 提供一种波长转换构件(1)，其包括荧光体的烧结体，任意的切断面中的气孔的平均直径在0.28μm以上、0.98μm以下的范围内，任意的切断面中的气孔相对于全体的面积比率在0.04％以上、2.7％以下的范围内，任意的切断面中的上述荧光体的颗粒的平均直径在1μm以上、3μm以下的范围内。
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公开(公告)号：CN114164496A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111406191.8
申请日：2021-11-24
申请人： 徐州鑫晶半导体科技有限公司
IPC分类号： C30B33/00
摘要： 本发明公开了一种控制晶棒冷却时间的方法和装置，所述方法包括以下步骤：将所述晶棒从主室移至具有通风窗的副室进行冷却，所述通风窗上设有用于调节所述通风窗开度的调节门；调节所述调节门使所述通风窗的开度在第一预定时间内由最小值调节至最大值。根据本发明实施例的控制晶棒冷却时间的方法具有冷却速度快、生产效率高、避免骤冷导致晶棒开裂等优点。
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公开(公告)号：CN114122244A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111404929.7
申请日：2021-11-24
申请人： 深圳热电新能源科技有限公司
摘要： 在本发明提出了一种碲化铋单晶柔性薄膜及其制备方法和热电器件，该制备方法包括：将碲化铋多晶体粉末置于布立基曼炉中加热，以获得碲化铋单晶块体；将所述碲化铋单晶块体沿(001)方向切出解离面；将步骤(2)得到的具有所述解离面的所述碲化铋单晶块体与离子插层剂混合；沿所述碲化铋单晶块体的所述解离面撕拉，以获得碲化铋单晶柔性薄膜。该方法工艺简单，成本较低，可有效地控制晶体尺寸，同时，晶体生长周期短，成功率高，制备的薄膜具有较优的柔性，利于在柔性器件上的使用，而且薄膜热电性能优异，可用于设计高性能温差发电、电制冷及热电传感电子器件。
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公开(公告)号：CN114094080A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111366737.1
申请日：2021-11-18
申请人： 天津巴莫科技有限责任公司
IPC分类号： H01M4/36 , H01M4/485 , C30B7/14 , C30B29/22 , C30B33/00 , C30B33/02 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M10/0525
摘要： 本发明提供了一种单晶型富锂层状‑尖晶石复合正极材料及其制备方法，所述的复合正极材料经过酸洗、热处理后在表面形成氧化物包覆层，所述的氧化物包覆层的分子式为LiαNiβMnγMδOη。本发明所述的一种单晶型富锂层状‑尖晶石复合正极材料的表面薄片状前驱体在焙烧过程中有利于锂离子和掺杂元素离子的渗透，减小反应难度，更容易实现单晶形貌。
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