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公开(公告)号：CN108028059A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680053023.6
申请日：2016-03-03
IPC分类号： G11C11/15
CPC分类号： G11C11/1673 , G05F1/56 , G11C5/147 , G11C7/04 , G11C7/12 , G11C11/1697 , G11C11/4076 , G11C11/4094 , G11C13/0038 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2207/002
摘要： 根据一个实施例，一种半导体存储器件包括第一存储体和第二存储体。所述第一存储体和所述第二存储体中的每一者包括具有可变电阻元件的存储单元、参考单元、具有与所述存储单元电耦接的第一输入端和与所述参考单元电耦接的第二输入端的读出放大器、以及电耦接所述存储单元和所述读出放大器的所述第一输入端的第一晶体管。所述第一存储体的所述第一晶体管的栅极和所述第二存储体的所述第一晶体管的栅极被独立地供给电压。
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公开(公告)号：CN106062945A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076776.X
申请日：2014-06-24
IPC分类号： H01L21/8246 , H01L21/3065 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要： 根据一个实施例，磁存储器包括：包括第一金属的第一金属层；在第一金属层上的第二金属层，第二金属层包括比第一金属更易被氧化的第二金属，第二金属层具有接触第一金属层的第一侧壁部，第二金属层具有在第一侧壁部上面的第二侧壁部，第二侧壁部从第一侧壁部后退；在第二金属层上的磁阻元件；在磁阻元件上的第三金属层；以及接触磁阻元件的侧壁部和第二金属层的第二侧壁部的第一材料，第一材料包括第二金属的氧化物。
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公开(公告)号：CN103392172B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280010158.6
申请日：2012-02-10
申请人： SK海力士公司
IPC分类号： G06F11/10
CPC分类号： G06F11/108 , G06F2211/1045 , G06F2211/1057 , G06F2211/1059
摘要： 在一种用于在存储阵列中存储数据的方法中，写入数据被排列成“r”行和“n”列的页，每个页包括多个扇区。在所述页上使用多个水平和垂直擦除纠正码对所述写入数据进行编码。所述编码允许在r行的任何一行中从最多tr次擦除中恢复，在剩余r-1行的任何一行中从最多tr-1次擦除中恢复，在剩余r-2行的任何一行中从最多tr-2次擦除中恢复，依此类推，使得所述编码允许在最后一个剩余行中从最多t1次擦除中恢复。从所述编码输出编码后的写入数据。作为写入条带而写入所述编码后的写入数据，所述写入条带跨存储阵列中的n个存储设备。
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公开(公告)号：CN102473135B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080031745.4
申请日：2010-07-26
申请人： SK海力士公司
发明人： E·S·埃莱夫特里乌 , R·哈斯 , 胡晓宇
CPC分类号： B62D35/001 , G06F12/0246 , G06F2212/1044 , G06F2212/7205 , G06F2212/7211 , G11C16/349 , G11C16/3495
摘要： 一种存储器管理系统和管理计算机的存储设备的存储块的方法。所述系统包含：空闲块数据结构(12)，其包含供写入的空闲存储块(14)，并根据块写入擦除耐久循环计数以预定顺序排序空闲存储块，以及分别地接收更新现有数据的新的用户写入请求以及重定位现有数据的重定位写入请求；用户写入块池(IS)，用于接收持有来自所述空闲块数据结构的用户写入数据(即，任何频繁更新的页面)的最新块；重定位块池(20)，用于接收持有来自所述空闲块数据结构的重定位数据(即，任何不常更新的页面)的最旧块；以及垃圾收集池结构(24)，用于选择用户写入块和重定位块中的至少一个以便用于垃圾收集，其中选定块在被重定位和擦除后会被移回所述空闲块数据结构。
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公开(公告)号：CN115117231A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202111083938.0
申请日：2021-09-14
摘要： 根据一实施例，磁存储装置具备层叠构造，该层叠构造包括：第1磁性层，具有可变的磁化方向；第2磁性层，具有固定的磁化方向；非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；及氧化物层，与所述第1磁性层相邻，所述第1磁性层设置于所述非磁性层与所述氧化物层之间，所述氧化物层含有稀土类元素、硼即B及氧即O。
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公开(公告)号：CN109147838B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN201810938181.0
申请日：2014-07-29
摘要： 本发明涉及半导体存储装置。本发明公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置，所述第一模式具有第一潜伏期，所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括：焊盘单元，该焊盘单元被配置为从外部接收地址和命令；第一延迟电路，该第一延迟电路被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期对应的时间；第二延迟电路，该第二延迟电路包括串联的移位寄存器，并被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期和所述第二潜伏期之间的差值对应的时间；以及控制器，该控制器被配置为在执行所述第二模式时使用所述第一延迟电路和所述第二延迟电路。
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公开(公告)号：CN106463611B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201480077068.8
申请日：2014-07-14
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/10
摘要： 根据一个实施例，提供了磁阻元件，其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。
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公开(公告)号：CN109147838A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810938181.0
申请日：2014-07-29
CPC分类号： G11C11/1693 , G11C7/08 , G11C7/109 , G11C7/22 , G11C7/222 , G11C8/16 , G11C8/18 , G11C11/1653 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/4076 , G11C11/419 , G11C11/5607 , G11C13/0023 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069
摘要： 本发明涉及半导体存储装置。本发明公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置，所述第一模式具有第一潜伏期，所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括：焊盘单元，该焊盘单元被配置为从外部接收地址和命令；第一延迟电路，该第一延迟电路被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期对应的时间；第二延迟电路，该第二延迟电路包括串联的移位寄存器，并被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期和所述第二潜伏期之间的差值对应的时间；以及控制器，该控制器被配置为在执行所述第二模式时使用所述第一延迟电路和所述第二延迟电路。
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