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公开(公告)号：CN106067449A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610244292.2
申请日：2016-04-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/481 , H01L23/367 , H01L24/14 , H01L25/0657 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1432 , H01L23/373
摘要： 提供了半导体封装件和包括半导体封装件的三维半导体封装件。该半导体封装件包括半导体芯片和设置在半导体芯片上的扩展裸片，其中，半导体芯片包括发热点，发热点被构造成在半导体芯片中产生大于或等于预定参考温度的温度，发热点设置在扩展裸片的中心区域中。
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公开(公告)号：CN116417415A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202211655455.8
申请日：2022-12-21
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/31
摘要： 一种半导体封装件包括：第一互连结构；第一半导体芯片，位于所述第一互连结构上；包封剂，覆盖所述第一半导体芯片；第二互连结构，设置在所述第一半导体芯片和所述包封剂上，包括多个互连层，并且具有包括台阶部分的开口，所述开口暴露所述多个互连层当中的至少一个互连层的上表面的一部分；以及散热图案，设置在所述开口中，穿过所述包封剂并且与所述第一半导体芯片的上表面的至少一部分接触，并且包括热导率高于硅(Si)的热导率的材料。所述散热图案包括具有第一宽度的下部和设置在所述下部上并且具有大于所述第一宽度的第二宽度的上部，并且所述散热图案的所述上部与所述至少一个互连层的所述上表面的被暴露的所述一部分接触。
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公开(公告)号：CN108807333A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810258640.0
申请日：2018-03-27
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。
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公开(公告)号：CN102573279A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110365144.3
申请日：2011-11-17
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L23/3128 , H01L21/563 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/42 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L24/29 , H01L25/03 , H01L2224/16225 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/92225 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/14 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了半导体封装及其形成方法。该半导体封装包括封装盖，该封装盖能够辐射高温并起到防止电磁波传输到半导体封装中和/或从半导体封装传输到外面的屏蔽功能。包括封装盖的半导体封装防止了芯片故障并改善了器件可靠性。封装盖设置为覆盖半导体封装的第一和第二半导体芯片。
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公开(公告)号：CN101013715A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710008002.5
申请日：2007-02-05
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G01K17/20 , H05K1/0201 , H05K2201/062 , H05K2201/09036 , H05K2201/10151
摘要： 本发明提供了一种具有减小的热阻的微热通量传感器阵列。微热通量传感器阵列可以包括：基底；形成于基底的第一侧上的多个第一传感器；和形成于基底的第二侧上的多个第二传感器。多个第一和第二传感的每个包括：第一导电材料的第一布线图案层，接触第一布线图案层的第二导电材料的第二布线图案层，和接触第一和第二布线图案的绝缘层。
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公开(公告)号：CN108807333B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN201810258640.0
申请日：2018-03-27
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L23/498
摘要： 提供了一种半导体器件封装和半导体设备。所述半导体器件封装包括：第一半导体封装、第二半导体封装以及位于第一半导体封装和第二半导体封装之间的内插板。第一半导体封装包括第一半导体封装衬底和第一半导体芯片。第二半导体封装包括第二半导体封装衬底和第二半导体芯片。内插板将第一半导体封装电连接到第二半导体封装，并且包括穿过内插板的第一内插板孔。第一半导体芯片包括从第一部分突出的第二部分，并且第二部分插入到第一内插板孔中。
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公开(公告)号：CN114443412A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111228263.4
申请日：2021-10-21
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 本公开提供了一种用于控制集成电路(IC)的温度的设备和方法。例如，设备可以包括电路(例如，IC)、功率监测器、温度传感器和控制器。在一些示例中，可以基于由动态功率监测器(DPM)测量的功率来估计温度。在一些情况下，可以基于由IC上的温度传感器感测的温度来校正所估计的温度。与温度传感器感测温度的时间时段相比，可以在更短的时间时段和/或更频繁的时间时段中测量功率。因此，可以基于功率测量来更频繁地检测和调节IC的温度，并且可以基于感测的温度来调节温度估计以获得准确度。
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公开(公告)号：CN106449541A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610647582.1
申请日：2016-08-09
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L23/367 , H01L21/4871 , H01L21/563 , H01L23/36 , H01L23/3736 , H01L23/49816 , H01L23/552 , H01L23/562 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L29/0657 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/92125 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/00014 , H01L2924/10158 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L23/31 , H01L23/29
摘要： 公开了一种半导体封装件。半导体封装件可以包括：封装基底；半导体芯片，安装在封装基底上以具有面对封装基底的底表面和与底表面相对的顶表面；模制层，设置在封装基底上以包封半导体芯片；以及散热层，设置在半导体芯片的顶表面上。模制层可以具有基本上与半导体芯片的顶表面共面的顶表面，半导体芯片的顶表面和模制层的顶表面可以具有彼此不同的表面粗糙度。
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