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    半导体存储器件
    1.
    发明公开
    半导体存储器件 审中-公开

    公开(公告)号：CN117956790A

    公开(公告)日：2024-04-30

    申请号：CN202311391879.2

    申请日：2023-10-25

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 李基硕 ,  赵银珠 ,  金根楠 ,  朴硕韩 ,  申硕浩 ,  慎重赞 ,  尹熙燦

    IPC分类号： H10B12/00

    摘要： 一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括单元阵列区和连接区；位线，提供在衬底上并在第一方向上延伸；第一有源图案和第二有源图案，在每条位线上沿第一方向交替地布置；背栅电极，设置在第一有源图案和第二有源图案中的相邻的第一有源图案和第二有源图案之间，并在第二方向上延伸以与位线交叉；第一字线和第二字线，分别与第一有源图案和第二有源图案相邻设置并在第二方向上延伸；以及屏蔽导电图案，包括分别设置在位线中的相邻位线之间的线部分和共同连接到线部分的板部分。屏蔽导电图案的线部分在第一方向上的长度可以比位线在第一方向上的长度短。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号：CN117641900A

    公开(公告)日：2024-03-01

    申请号：CN202311072951.5

    申请日：2023-08-24

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 金泰赫 ,  姜泰逵 ,  申硕浩 ,  李基硕 ,  李相昊 ,  金根楠 ,  朴硕汉 ,  慎重赞 ,  郑文泳 ,  赵银珠

    IPC分类号： H10B12/00

    摘要： 一种半导体装置包括：衬底；在第一方向上在衬底上延伸的位线；位线上的第一有源图案和第二有源图案；背栅电极，其在第一有源图案和第二有源图案之间并且在垂直于第一方向的第二方向上与位线交叉地延伸；第一字线，其在第一有源图案的一侧在第二方向上延伸；第二字线，其在第二有源图案的另一侧在第二方向上延伸；以及接触图案，其连接至第一有源图案和第二有源图案中的每一个，其中，接触图案顺序地包括外延生长层、掺杂的多晶硅层和硅化物层。

    半导体存储器件
    3.
    发明授权
    半导体存储器件 有权

    公开(公告)号：CN112151546B

    公开(公告)日：2023-07-25

    申请号：CN202010348098.5

    申请日：2020-04-28

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 慎重赞 ,  金志永 ,  金熙中 ,  安泰炫 ,  赵银珠 ,  崔贤根 ,  韩相然

    IPC分类号： H10B41/10 ,  H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B41/27 ,  H10B43/10 ,  H10B43/27 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40

    摘要： 公开了一种半导体存储器件，其包括：堆叠结构，包括垂直地堆叠在衬底上的层，每个层包括在第一方向上延伸的位线和在第二方向上从位线延伸的半导体图案；栅电极，在穿透堆叠结构的孔中，并沿着半导体图案的堆叠延伸；垂直绝缘层，覆盖栅电极并填充孔；以及数据存储元件，电连接到半导体图案。数据存储元件包括第一电极和第二电极，第一电极在垂直绝缘层的第一凹陷中并具有其一端敞开的圆筒形状，第二电极包括在第一电极的圆筒中的第一突起和在垂直绝缘层的第二凹陷中的第二突起。

    半导体存储器件
    4.
    发明公开
    半导体存储器件 审中-公开

    公开(公告)号：CN112397517A

    公开(公告)日：2021-02-23

    申请号：CN202010824227.3

    申请日：2020-08-17

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 申东石 ,  金志永 ,  安皓均 ,  李灿旻 ,  赵银珠 ,  金熙中 ,  慎重赞 ,  安泰炫 ,  崔贤根 ,  黄有商 ,  李基硕

    IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578

    摘要： 一种半导体存储器件包括：具有单元区域和接触区域的衬底，接触区域具有外围电路区域；在单元区域上的第一堆叠和第二堆叠；以及在外围电路区域上的第一外围晶体管。第一堆叠和第二堆叠中的每个包括：半导体图案，在垂直方向上堆叠在单元区域上；位线，在垂直方向上堆叠在单元区域上并分别连接到半导体图案的第一端，每条位线在相对于衬底的上表面的水平方向上从单元区域延伸到接触区域；以及字线，与半导体图案相邻地设置并在垂直方向上从衬底的单元区域延伸。第一外围晶体管设置在第一堆叠的位线和第二堆叠的位线之间。

    三维半导体存储器装置
    6.
    发明公开
    三维半导体存储器装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN112750829A

    公开(公告)日：2021-05-04

    申请号：CN202010801170.5

    申请日：2020-08-11

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 慎重赞 ,  金昌圭 ,  金熙中 ,  慎一縡 ,  安泰炫 ,  李基硕 ,  赵银珠 ,  崔贤根 ,  朴成珉 ,  李雅蓝 ,  韩相然 ,  黄有商

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/8242

    摘要： 提供了一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：第一半导体图案，第一半导体图案在基底上彼此竖直地分隔开，每个第一半导体图案包括彼此分隔开的第一端部和第二端部以及彼此分隔开以连接第一端部和第二端部的第一侧表面和第二侧表面；第一源/漏区和第二源/漏区，设置在每个第一半导体图案中并且分别与第一端部和第二端部相邻；沟道区，位于每个第一半导体图案中并且在第一源/漏区与第二源/漏区之间；第一字线，与第一侧表面和沟道区相邻并且竖直地延伸；以及栅极绝缘层，置于第一字线与第一侧表面之间。栅极绝缘层可以延伸，以置于第一源/漏区之间。

    两端开关器件
    9.
    发明公开
    两端开关器件 无效

    公开(公告)号：CN103716017A

    公开(公告)日：2014-04-09

    申请号：CN201310232375.6

    申请日：2013-06-13

    申请人： 三星电子株式会社

    发明人： 金京旻 ,  金英培 ,  赵银珠

    IPC分类号： H03K3/313

    CPC分类号： H03K17/70

    摘要： 一种两端开关器件和控制该两端开关器件的方法，所述两端开关器件包括：第一端子，开关信号和主信号被施加于第一端子；电阻开关元件，其被连接到第一端子，根据第一开关信号被切换到低阻状态或者高阻状态，并保持被切换到的电阻状态，直到接收到第二开关信号为止；第二端子，当电阻开关元件处于低阻状态时，第二端子输出被施加于第一端子的主信号；二极管，其被串联电连接在电阻开关元件和第二端子之间，并阻挡施加于第一端子的开关信号被传送到第二端子；和，电阻元件，其被电连接在电阻开关元件和二极管之间的节点与地之间，并允许被二极管阻挡的开关信号流入地。