-
公开(公告)号：CN100479219C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
-
公开(公告)号：CN1702883A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510074362.6
申请日：2005-05-27
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L29/7843 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： 在一个实施例中，相变存储器件具有防止存储单元污染或氧化的氧化阻挡层及其制造方法。在一个实施例中，半导体存储器件包括覆盖在半导体衬底上的压模层。该压模层具有从其顶表面垂直扩展的突起部分。该器件进一步包括邻近突起部分的相变图案和电气连接至相变图案的下电极。
-
公开(公告)号：CN100456513C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200510129743.X
申请日：2005-12-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： 本发明公开了一种相变存储单元及其制造方法。所述相变存储单元包括形成于半导体衬底上的下层间介电层和穿过下层间介电层的下导电栓。下导电栓与设置于下层间介电层上的相变材料图案接触。相变材料图案和下层间介电层用上层间介电层覆盖。相变材料图案与导电层直接接触，导电层图案设置于穿过上层间介电层的板线接触孔中。
-
公开(公告)号：CN101106177B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710136265.4
申请日：2007-07-12
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。
-
公开(公告)号：CN101106177A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710136265.4
申请日：2007-07-12
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/305 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1683
摘要： 示例性实施例可提供一种相变材料层和形成相变材料层的方法以及使用相变材料层的装置，形成相变材料层的方法包括以下步骤：在反应室中产生包括氩和/或氦的等离子体；将包括第一材料的第一源气体引入，以在目标物上形成第一材料层；将包括第二材料的第二源气体引入到反应室中，在目标物上形成第一复合材料层，将包括第三材料的第三源气体引入，以在第一复合材料层上形成第三材料层；将包括第四材料的第四源气体引入，以在第一复合材料层上形成第二复合材料层。示例性实施例的含碳的相变材料层可在氦/氩等离子体环境以及低温条件下通过在各种供给时间内提供源气体更加容易和/或快速地形成。示例性实施例还可包括使用相变存储层的存储装置。
-
公开(公告)号：CN101106173A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710101022.7
申请日：2007-04-23
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/1233 , C23C16/305 , C23C16/45523 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1683
摘要： 一种形成相变材料层的方法，包括制备具有绝缘体和导体的衬底，将该衬底装载到处理室中，注入淀积气体到该处理室中，以在该导体的露出表面上有选择地形成相变材料层，以及从处理室卸载该衬底，其中该处理室中的淀积气体的寿命短于淀积气体通过热能起反应的时间。
-
公开(公告)号：CN1738022A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092748.X
申请日：2005-08-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/82 , H01L45/00
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 提供了由多个导电层图形形成诸如通路栓塞的导电栓塞结构的方法和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括诸如相变半导体存储器件的半导体存储器件。典型方法是，通过在半导体衬底上形成导电层，形成微细通路结构。在导电层上形成模制绝缘层，并通过该绝缘层形成通孔，以露出导电层的某个区域。形成第一通路填充层，然后，部分除去它，以形成部分通路栓塞。然后，如果需要，重复执行形成和除去相变材料层的过程，以形成基本填充该通孔的多层栓塞结构，与传统方法相比，该多层结构通常表现减少的缺陷和损伤。
-
公开(公告)号：CN100359666C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510092748.X
申请日：2005-08-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/82 , H01L45/00
CPC分类号： H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要： 提供了由多个导电层图形形成诸如通路栓塞的导电栓塞结构的方法和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括诸如相变半导体存储器件的半导体存储器件。典型方法是，通过在半导体衬底上形成导电层，形成微细通路结构。在导电层上形成模制绝缘层，并通过该绝缘层形成通孔，以露出导电层的某个区域。形成第一通路填充层，然后，部分除去它，以形成部分通路栓塞。然后，如果需要，重复执行形成和除去相变材料层的过程，以形成基本填充该通孔的多层栓塞结构，与传统方法相比，该多层结构通常表现减少的缺陷和损伤。
-
公开(公告)号：CN1996570A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610172410.X
申请日：2006-12-26
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L21/82 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L27/24 , H01L23/532 , H01L45/00 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC分类号： H01L21/32051 , H01L21/28562 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
摘要： 一种制造相变随机存取存储器件(RAM)的方法，包括在衬底上形成硫化物材料。在硫化物材料之下形成底接触，该底接触包括TiAlN。形成底接触包括执行原子层淀积(ALD)工序，ALD工序包括将NH3源气体引入处理室，在该处理室中执行ALD工序，NH3气体的流量为使得所得的底接触具有小于1at％的氯含量。根据全宽半幅(FWHM)，该底接触包括具有小于0.65度的结晶度的TiAlN。
-
公开(公告)号：CN1808736A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510129743.X
申请日：2005-12-06
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/8239
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1273 , H01L45/144 , H01L45/1675
摘要： 本发明公开了一种相变存储单元及其制造方法。所述相变存储单元包括形成于半导体衬底上的下层间介电层和穿过下层间介电层的下导电栓。下导电栓与设置于下层间介电层上的相变材料图案接触。相变材料图案和下层间介电层用上层间介电层覆盖。相变材料图案与导电层直接接触，导电层图案设置于穿过上层间介电层的板线接触孔中。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
10 条记录 (耗时 0.029 秒)
