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公开(公告)号：CN109285831B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201810691775.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器位于距离所述衬底相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。
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公开(公告)号：CN109285857A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810691309.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置包括：彼此紧挨着地设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；以及与所述第一存储器部横向地隔开的第二存储器部，所述第二外围电路部和所述第二存储器部彼此紧挨着地设置在所述衬底上，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比每个所述电容器高。
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公开(公告)号：CN109256377A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810769672.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/108 , H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一存储部分、第一周边电路部分和第二周边电路部分；以及堆叠在第二周边电路部分上的第二存储部分和布线部分，其中第一存储部分包括多个第一存储单元，第一存储单元的每个包括单元晶体管和连接到单元晶体管的电容器，第二存储部分包括多个第二存储单元，第二存储单元的每个包括彼此串联联接的可变电阻元件和选择元件，布线部分包括多个线图案，其中线图案和第二存储单元相对于衬底高于电容器。
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公开(公告)号：CN102386325A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110130691.3
申请日：2011-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种非易失性存储元件和一种包括该非易失性存储元件的存储装置。非易失性存储元件可以包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可以包括第一材料层和第二材料层，并且可以因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层，第二材料层可以是氧交换层。非易失性存储元件还可以包括位于存储层和第一电极之间的缓冲层。
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公开(公告)号：CN102376886A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110153471.2
申请日：2011-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/12 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供了非易失性存储元件及包括其的存储装置。所述非易失性存储元件可包括第一电极、第二电极、第一缓冲层、第二缓冲层和存储层。存储层设置在第一电极和第二电极之间。第一缓冲层设置在存储层和第一电极之间。第二缓冲层设置在存储层和第二电极之间。存储层可具有可包括第一材料层和第二材料层的多层结构。第二材料层可由第二金属氧化物形成，第二金属氧化物与形成第一材料层的第一金属氧化物同族或不同族。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102347443A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN109285831A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810691775.6
申请日：2018-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L27/108 , H01L45/00
Abstract: 一种半导体装置包括：设置在衬底上的第一存储器部、第一外围电路部和第二外围电路部；位于所述第二外围电路部上的第二存储器部；以及位于所述第二外围电路部和所述第二存储器部之间的布线部，其中，所述第一存储器部包括多个第一存储单元，每个所述第一存储单元包括单元晶体管和连接到所述单元晶体管的电容器，所述第二存储器部包括多个第二存储单元，每个所述第二存储单元包括彼此串联连接的可变电阻元件和选择元件，并且所述布线部包括多个线图案，至少一个所述线图案和至少一个所述电容器位于距离所述衬底相同的水平高度处，其中，所述第二存储单元距离所述衬底比所述的至少一个所述电容器高。
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公开(公告)号：CN103715197A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310305626.9
申请日：2013-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/24 , H01L21/8239 , G11C16/02
CPC classification number: H01L45/145 , B82Y40/00 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供具有单位单元作为单一器件的存储器件及其制造方法。存储器件包括：基板；在基板上的第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上方，第一电极层和第二电极层的至少之一包括具有响应于所施加的电压而变化的导带偏移的材料；在第一电极层与第二电极层之间的数据存储层；位线，连接到第一电极层和第二电极层之一；以及字线，连接到第一电极层和第二电极层的另一个。
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公开(公告)号：CN103579500A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
Abstract: 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
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公开(公告)号：CN103107283A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210447188.5
申请日：2012-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。
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