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公开(公告)号：CN103716017A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310232375.6
申请日：2013-06-13
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H03K3/313
CPC分类号： H03K17/70
摘要： 一种两端开关器件和控制该两端开关器件的方法，所述两端开关器件包括：第一端子，开关信号和主信号被施加于第一端子；电阻开关元件，其被连接到第一端子，根据第一开关信号被切换到低阻状态或者高阻状态，并保持被切换到的电阻状态，直到接收到第二开关信号为止；第二端子，当电阻开关元件处于低阻状态时，第二端子输出被施加于第一端子的主信号；二极管，其被串联电连接在电阻开关元件和第二端子之间，并阻挡施加于第一端子的开关信号被传送到第二端子；和，电阻元件，其被电连接在电阻开关元件和二极管之间的节点与地之间，并允许被二极管阻挡的开关信号流入地。
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公开(公告)号：CN103579500B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
摘要： 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
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公开(公告)号：CN102832337A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210113464.4
申请日：2012-04-17
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C11/5685 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1658 , H01L45/1675
摘要： 本发明提供多位存储元件、包括多位存储元件的存储装置及其制造方法。所述存储元件可包括存储层和为存储层提供多位存储特性的辅助层。存储层可具有包括第一材料层和第二材料层的多层结构，并可因第一材料层和第二材料层之间的离子物种的移动而具有电阻变化特性。第一材料层可为供氧层，而第二材料层可为氧交换层。辅助层可包含氧化物。例如，辅助层可包含氧化硅层。可用金属至少部分地掺杂辅助层和/或存储层。例如，所述金属可以是钨。
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公开(公告)号：CN103715197A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310305626.9
申请日：2013-07-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/105 , H01L27/24 , H01L21/8239 , G11C16/02
CPC分类号： H01L45/145 , B82Y40/00 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1608 , H01L45/1675 , Y10S977/734 , Y10S977/842 , Y10S977/943
摘要： 本发明提供具有单位单元作为单一器件的存储器件及其制造方法。存储器件包括：基板；在基板上的第一电极层和第二电极层，第二电极层在第一电极层上方，第一电极层和第二电极层的至少之一包括具有响应于所施加的电压而变化的导带偏移的材料；在第一电极层与第二电极层之间的数据存储层；位线，连接到第一电极层和第二电极层之一；以及字线，连接到第一电极层和第二电极层的另一个。
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公开(公告)号：CN103579500A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310349372.0
申请日：2013-08-12
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01L45/08 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/1233 , H01L45/145
摘要： 本发明提供了电阻开关材料元件以及采用该电阻开关材料元件的器件。电阻开关材料元件包括设置在第一电极与第二电极之间的电阻开关材料层以及设置在电阻开关材料层与第一和第二电极中的任一个之间的自整流层。
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公开(公告)号：CN103107283A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201210447188.5
申请日：2012-11-09
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0071 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641 , H01L45/1675
摘要： 本发明提供非易失性存储元件、包括该非易失性存储元件的存储装置以及存储装置的操作方法和制造方法。非易失性存储元件可以包括第一电极和第二电极之间的存储层，其中存储层可以具有多层结构。存储层可以包括第一材料层和第二材料层且由于离子物种和离子空位的至少之一在该第一材料层和该第二材料层之间的移动而具有电阻变化特性。第一材料层和第二材料层当中至少第一材料层可以掺杂金属。第一材料层可以是氧供应层，且第二材料层可以是氧交换层。例如，金属可以包括钨（W）。非易失性存储元件可以具有多位存储特性。
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公开(公告)号：CN102982842A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210213817.8
申请日：2012-06-25
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0076 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2211/5625 , G11C2213/31 , G11C2213/32
摘要： 一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件的可靠性得到改善。所述方法包括：把第一电压施加于可变电阻元件以便把可变电阻元件的电阻值从第一电阻值改变到第二电阻值，其中，第一电阻值和第二电阻值不同；感测流过被施加了第一电压的可变电阻元件的第一电流；基于第一电流的散布，调制用于把可变电阻元件的电阻值从第二电阻值改变到第一电阻值的第二电压；和，基于第一电流的散布，把第一电压再次施加于可变电阻元件。
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公开(公告)号：CN102956822A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210211660.5
申请日：2012-06-21
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/12 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/55 , G11C2213/71 , G11C2213/72
摘要： 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。
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