公开(公告)号：CN101789562A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN201010103971.0

申请日：2010-01-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 别所靖之 ,  大保广树 ,  竹内邦生 ,  德永诚一 ,  久纳康光 ,  畑雅幸

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/24

Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序；和在此之后，至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。

公开(公告)号：CN1841864B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200610066495.3

申请日：2006-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山口勤 ,  畑雅幸 ,  狩野隆司 ,  庄野昌幸 ,  大保广树 ,  野村康彦 ,  伊豆博昭

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/30 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。

公开(公告)号：CN1753261A

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200510105528.6

申请日：2005-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 伊豆博昭 ,  山口勤 ,  大保广树 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第2半导体激光元件。而且，将第1半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。

公开(公告)号：CN101826703A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010164149.5

申请日：2005-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 伊豆博昭 ,  山口勤 ,  大保广树 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01S5/40

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件及其制造方法，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：在包含第1发光区域的同时、具有凸部的第1半导体激光元件；和在包含第2发光区域的同时、具有凹部的第2半导体激光元件；并且，第1半导体激光元件在凸部的下方具有活性层，第1发光区域位于第1半导体激光元件的活性层内，凸部经接合层嵌入凹部中，第1发光区域和第2发光区域配置于半导体层的层叠方向的同一线上。

公开(公告)号：CN1753261B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200510105528.6

申请日：2005-09-23

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 伊豆博昭 ,  山口勤 ,  大保广树 ,  广山良治 ,  畑雅幸 ,  太田洁

IPC: H01S5/00

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件，在可以使激光的特性提高的同时，可以降低光轴调整所花费的成本。该集成型半导体激光元件包括：具有凸部和凹部之一方的第1半导体激光元件、和具有凸部和凹部之另一方的第2半导体激光元件。而且，将第1半导体激光元件的凸部和凹部之一方嵌入第2半导体激光元件的凸部和凹部之另一方中。

公开(公告)号：CN1841864A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610066495.3

申请日：2006-03-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 山口勤 ,  畑雅幸 ,  狩野隆司 ,  庄野昌幸 ,  大保广树 ,  野村康彦 ,  伊豆博昭

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/30 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种在能够减小阈值电流的同时还能够提高发光效率的半导体激光元件及其制造方法。该半导体激光元件包括：具有主表面的半导体基板；以及形成在半导体基板的主表面上，并具有相对于半导体基板的主表面实质上倾斜的主表面，同时，包括发光层的半导体元件层。

公开(公告)号：CN1175533C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN00133134.5

申请日：2000-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大保广树 ,  林伸彦

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 在蓝宝石衬底上顺序地形成AlGaN缓冲层、不掺杂的GaN层、n-GaN接触层、n-InGaN裂纹防止层、n-AlGaN覆盖层、MQW有源层和p-AlGaN覆盖层。在p-AlGaN覆盖层上形成脊形部分，在脊形部分上面形成p-GaN间隙层。在p-AlGaN覆盖层的平坦部分上和脊形部分的侧面顺序地形成n-AlGaN第一再生长低温缓冲层和n-AlGaN电流阻挡层，在n-AlGaN电流阻挡层上和脊形部分上面形成p-AlGaN第二再生长低温缓冲层和p-GaN接触层。

公开(公告)号：CN103843150A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201180073906.0

申请日：2011-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大保广树 ,  三岛孝博

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种具有改善的光电转换效率的太阳能电池。太阳能电池（1）包括：光电转换部（20）、和第一和第二电极（14、15）。光电转换部（20）具有由半导体材料构成的基板（10）。第一和第二电极（14、15）在光电转换部（20）的一主面（20a）上相互隔开间隔配置。在位于光电转换部（20）的一主面（20a）侧的基板（10）的主面（10b），设置由晶面构成的多个台面（10c）。多个台面（10c）中的至少一个容纳于第一电极（14）与第二电极（15）之间。

公开(公告)号：CN1290056A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00133134.5

申请日：2000-09-22

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 大保广树 ,  林伸彦

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2216 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

Abstract: 在蓝宝石衬底上顺序地形成AlGaN缓冲层、不掺杂的GaN层、n－GaN接触层、n－InGaN裂纹防止层、n－AlGaN覆盖层、MQW有源层和p－AlGaN覆盖层。在p－AlGaN覆盖层上形成脊形部分,在脊形部分上面形成p－GaN间隙层。在p－AlGan覆盖层的平坦部分上和脊形部分的侧面顺序地形成n－AlGaN第一再生长低温缓冲层和n－AlGaN电流阻挡层,在n－AlGaN电流阻挡层上和脊形部分上面形成p－AlGaN第二再生长低温缓冲层和p－GaN接触层。