公开(公告)号：CN106098573B

公开(公告)日：2019-05-17

申请号：CN201610283784.2

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  川端大辅

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大，且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：工序(a)，在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a)；工序(b)，在工序(a)之后，在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1)；以及工序(c)，一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结，接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒，微粒被有机膜包裹。

公开(公告)号：CN114765138A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202210017267.6

申请日：2022-01-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川端大辅

IPC: H01L23/00

Abstract: 减少半导体装置中的水分的侵入路径。半导体装置(100)具有：半导体元件(1)；壳体(2)，其收容有半导体元件(1)；封装材料(3)，其被填充于壳体(2)内；低透湿片(11)，其将封装材料(3)覆盖；以及盖(12)，其将壳体(2)的开口部堵塞。低透湿片(11)由透湿度小于或等于1g/m2×24Hr的低透湿性材料构成。低透湿片(11)的周缘部被壳体(2)与盖(12)夹持。

公开(公告)号：CN107533984B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201680026428.0

申请日：2016-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章 ,  熊田翔 ,  铃木修 ,  川端大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。

公开(公告)号：CN116525579A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310060441.X

申请日：2023-01-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊森雅哉 ,  川端大辅

IPC: H01L23/492

Abstract: 本发明涉及使用包含金属纳米颗粒的接合材料的半导体装置，目的在于提供一种接合层的印刷厚度均等并且所需工时少的半导体装置。本发明的半导体装置构成为具有：绝缘基板；多孔质材料，其与绝缘基板直接接合；以及半导体元件，其经由包含金属纳米颗粒的接合材料而与多孔质材料接合。

公开(公告)号：CN107533984A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680026428.0

申请日：2016-06-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 巽裕章 ,  熊田翔 ,  铃木修 ,  川端大辅

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置(1)具备：电极(22)，具有平坦部、和由凹部构成的非平坦部(6)；接合层(3)，设置于电极(22)的平坦部及非平坦部(6)上，由金属晶粒的烧结体构成；以及半导体元件(4)、(5)，隔着接合层(3)与电极(22)接合，接合层(3)具有被非平坦部(6)和半导体元件(4)、(5)夹住的第一区域(3a)、和被平坦部和半导体元件(4)、(5)夹住的第二区域(3b)，第一区域(3a)以及第二区域(3b)中的层厚大的一方的区域的金属晶粒的填充率小于层厚小的一方的区域的金属晶粒的填充率。通过本发明，基于金属晶粒的烧结体的接合层的可靠性变得良好。

公开(公告)号：CN106098573A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610283784.2

申请日：2016-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野泰成 ,  川端大辅

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/603

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/82203 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2021/603 ,  H01L2224/2902 ,  H01L2224/321 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83053 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体装置的制造方法，该方法抑制烧结性的接合材料的材料成本的增大，且进行高品质的接合。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：工序(a)，在基板(绝缘基板(3))之上配置片状的烧结性的接合材料(2a)；工序(b)，在工序(a)之后，在接合材料(2a)之上配置半导体元件(1)；以及工序(c)，一边在基板与半导体元件(1)之间对所述接合材料(2a)施加压力、一边对所述接合材料(2a)进行烧结，接合材料(2a)含有Ag或Cu的微粒，微粒被有机膜包裹。