公开(公告)号：CN107109139A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201680003482.3

申请日：2016-01-20

申请人： 积水化学工业株式会社

发明人： 谷川满 ,  渡边贵志 ,  藤田悠介 ,  藤田义人 ,  山田佑

IPC分类号： C09J4/02 ,  C09J5/06 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52

CPC分类号： C09D133/14 ,  C08G59/4215 ,  C08G59/5033 ,  C08G59/686 ,  C08L33/08 ,  C09D11/101 ,  C09D11/107 ,  C09D11/30 ,  C09D11/52 ,  C09D133/10 ,  C09J5/04 ,  C09J5/06 ,  C09J9/02 ,  C09J133/10 ,  C09J133/14 ,  C09J163/00 ,  C09J171/12 ,  C09J201/02 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/114 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/91 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/2783 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/8322 ,  H01L2224/83359 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83947 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  C08L33/04

摘要： 提供一种喷墨用粘接剂，其在使用喷墨装置进行涂布而被使用的粘接剂中，可以在粘接剂层中不易产生孔，另外在贴合后，可以减少暴露于高温时的脱气并提高耐湿可靠性。本发明的喷墨用粘接剂含有：其含有：具有1个(甲基)丙烯酰基的第一光固化性化合物、具有2个以上(甲基)丙烯酰基的第二光固化性化合物、光自由基引发剂、具有1个以上的环状醚基或环状硫醚基的热固化性化合物、能够与所述热固化性化合物发生反应的化合物，所述第一光固化性化合物含有(甲基)丙烯酸碳原子数8～21的烷基酯。

公开(公告)号：CN103377951B

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201310137491.X

申请日：2013-04-19

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： E.菲尔古特 ,  K.霍赛尼 ,  J.马勒 ,  M.门格尔

IPC分类号： H01L21/58

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/561 ,  H01L23/295 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/562 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/743 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27422 ,  H01L2224/27438 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/4814 ,  H01L2224/48151 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82104 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83951 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，第一半导体元件被安装在载体上。b阶段可固化聚合物被沉积在载体上。第二半导体元件被附着在该聚合物上。

公开(公告)号：CN106057690A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610202072.3

申请日：2016-04-01

申请人： 贺利氏德国有限及两合公司

发明人： 迈克尔·舍费尔 ,  沃尔夫冈·施密特 ,  安德列亚斯·欣里希 ,  玛丽亚·伊莎贝尔·巴雷拉-马林

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/49513 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/75272 ,  H01L2224/75745 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2224/95 ,  H01L2224/97 ,  H05K3/303 ,  H05K2203/1131 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/2957

摘要： 本发明提供了基板结构及其制造法、电子部件及其与基板结构的结合法。一种制造用于与电子部件(50；51)结合的基板结构(10、10')的方法，包括以下步骤：制备具有第一面(22)与第二面(23)的基板(20)，特别是DCB基板或PCB基板或引线框架；将初始固定剂(30)施加至基板(20)的第一面(22)的一些部分上。

公开(公告)号：CN105097567A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510427008.0

申请日：2009-06-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  陈承先 ,  赵智杰 ,  李明机 ,  郭祖宽

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/481 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种制造半导体器件的方法，提供第一器件，所述第一器件包括第一穿透硅通孔(TSV)结构；在所述第一器件上方形成第一涂层材料，其中，所述第一涂层材料在所述第一器件上方连续地延伸并且覆盖所述第一穿透硅通孔结构；将第二器件设置在所述第一器件上方以及所述第一涂层材料内，其中，所述第二器件包括第二穿透硅通孔结构和多个导电凸点，设置所述第二器件包括所述多个导电凸点位于所述第一涂层材料内；在所述第二器件上方形成第二涂层材料；将第三器件设置在所述第二涂层材料上方；对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行预处理；以及此后，同一处理中对所述第一涂层材料和所述第二涂层材料进行固化。

公开(公告)号：CN104769713A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201380052391.5

申请日：2013-01-09

申请人： 晟碟半导体(上海)有限公司 ,  晟碟信息科技(上海)有限公司

发明人： 叶宁 ,  邱进添 ,  S.厄帕德亚尤拉 ,  付鹏 ,  吕忠 ,  俞志明 ,  Y.张 ,  王丽 ,  P.K.雷 ,  王伟利 ,  邰恩勇 ,  K.H.王 ,  莫金理

IPC分类号： H01L25/00 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/145 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/00 ,  H01L25/165 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32265 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了包括多个堆叠的半导体裸芯的半导体封装体和形成所述半导体封装体的方法。为了简化对控制器裸芯的引线键合要求，控制器裸芯可以以倒装芯片布置直接安装到基板上，而不需要控制器裸芯之外的引线键合体或足印。然后，可以将隔垫物层附着到基板，在控制器裸芯周围，以提供要安装一个或多个闪存裸芯的平表面。隔垫物层可以设置为各种不同的配置。

公开(公告)号：CN102642094A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210026270.0

申请日：2012-02-07

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 林芳昌 ,  马渡芙弓 ,  松浦大志 ,  山崎和彦

IPC分类号： B23K35/22 ,  B23K35/30 ,  B23K1/00 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种接合用浆料及半导体元件与基板的接合方法。该接合用浆料含有(A)平均粒径为100nm以下的金属纳米粒子、(B)沸点为50～100℃的溶剂和(C)沸点为150～200℃的溶剂，相对于所述(B)组分和所述(C)组分的总计100质量份，所述(B)组分的含量为10～30质量份。该半导体元件与基板的接合方法具有：在基板上涂布所述接合用浆料，使所述接合用浆料干燥的工序；和在所述干燥后的接合用浆料上设置半导体元件，进行加热的工序。

公开(公告)号：CN101615585A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910150015.5

申请日：2009-06-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 王宗鼎 ,  李建勋 ,  陈承先 ,  赵智杰 ,  李明机 ,  郭祖宽

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/481 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/33 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/95 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27416 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/9205 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9221 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/95 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开一种制造半导体器件的方法，其中包括：提供第一器件、第二器件和第三器件；提供在第一器件和第二器件之间的第一涂层材料，所述第一涂层材料未经固化处理；提供在第二器件和第三器件之间的第二涂层材料；以及所述第二涂层材料未经固化处理；此后，在同一处理中对第一和第二涂层材料进行固化。

公开(公告)号：CN107275230A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710101790.6

申请日：2017-02-24

申请人： 株式会社东芝

发明人： 八甫谷明彦

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/051 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/05693 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27438 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 实施方式的半导体封装件具备基体、半导体芯片、小片接合粘接层和分子接合层。所述小片接合粘接层设在所述基体与所述半导体芯片之间。所述分子接合层设在所述基体及所述半导体芯片中的至少一方与所述小片接合粘接层之间。所述分子接合层的至少一部分与含在所述小片接合粘接层中的树脂化学键合。所述分子接合层的至少一部分与含在所述基体中的第1原料及含在所述半导体芯片中的第2原料中的至少一方化学键合。

公开(公告)号：CN103635997B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280033105.6

申请日：2012-06-26

申请人： 罗伯特·博世有限公司

发明人： M·居耶诺 ,  M·冈瑟 ,  T·赫博特

IPC分类号： H01L23/492 ,  H01L23/373 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/64 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/70 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27418 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29015 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/3003 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/30142 ,  H01L2224/3016 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明的基本构思是制造衬底（11）与芯片（13）之间的烧结层连接，其不仅建立衬底（11）与芯片（13）之间的良好电连接和热连接而且减小芯片（13）中的机械应力。本发明涉及一种用于制造烧结层（12）的方法，所述方法包括以下步骤：在衬底（11）的主表面（11a）的接触面（21）上结构化地施加由构成所述烧结层（12）的初始材料构成的多个烧结元件（22a、22b、22c）；在所述烧结元件（22a、22b、22c）上设置待与所述衬底（11）连接的芯片（13）；加热以及压缩所述烧结元件（22a、22b、22c）以制造连接所述衬底（11）和所述芯片（13）的结构化的烧结层（12），所述烧结层（12）在所述接触面（21）内延伸，其中，在所述衬底（11）上在所述接触面（21）的中部区域（21a）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度大于在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中所述烧结元件（22a、22b、22c）的表面覆盖密度，其中，从所述烧结元件（22a、22b、22c）中的每一个存在至少一个横向于所述衬底（11）的所述主表面（11a）延伸至所述接触面（21）的边缘的穿通通道（23）。在所述接触面（21）的中部区域（21a）中可以设置一个大面积的烧结元件（22a）并且在所述接触面（21）的边缘区域（21c）中可以设置多个例如圆形的烧结元件（22c）。所述烧结元件（22a、22b、22c）也可以具有凹口（24）。本发明还涉及一种相应的装置（10、10’、10’’）。

公开(公告)号：CN106373897A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610391356.1

申请日：2016-06-03

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： N·厄施勒

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/27 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83801 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

摘要： 本发明一方面涉及一种用于将半导体芯片半导体本体(1)以及钝化物(4)，所述半导体本体具有底侧(1b)以及与所述底侧相对的上侧(1t)，所述钝化物布置在所述上侧上。在该方法中，半导体芯片被接收并且被放置在载体上。借助于挤压力(F)将半导体芯片压到载体上，以使得挤压力仅仅在一个或多个布置在上侧上的相连的芯片金属化部段(21，23)之上作用于半导体芯片，其中，所述相连的芯片金属化部段中的每一个具有一个环形地闭合的边缘部段(21r，23r)，所述边缘部段在每个垂直于挤压方向(z)的方向(x，y)上具有一个大于零的最小宽度(b)，其中，挤压力不在所述边缘部段之上作用于所述半导体芯片。(100)定位在载体(3)上的方法。半导体芯片具有