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公开(公告)号:CN101627478A
公开(公告)日:2010-01-13
申请号:CN200780032376.9
申请日:2007-08-06
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/077 , H01L31/0236 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要: 一种光电转换装置及其制造方法,其兼容高的光电转换效率和高的生产性,该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4),其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状,并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20%以上,主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下,喇曼比为3.0以上8.0以下。
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公开(公告)号:CN102959125B
公开(公告)日:2015-03-04
申请号:CN201180030847.9
申请日:2011-05-09
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: C23C16/509 , C23C16/44 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01J37/32 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC分类号: C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形,对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b);一对转换器,将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室(2)传送,并使排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间产生等离子体;均热调温器(40),设置在基板侧脊形电极(21b)的外表面侧,并使温度均匀地进行加热;热吸收调温单元(50),设置在排气侧脊形电极(21a)的外表面侧,并控制实施等离子体处理的基板(S)的板厚方向的热流束,将基板(S)设置在排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间而实施等离子体处理。
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公开(公告)号:CN101627478B
公开(公告)日:2011-06-01
申请号:CN200780032376.9
申请日:2007-08-06
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/077 , H01L31/0236 , H01L31/056 , H01L31/076 , H01L31/182 , H01L31/1884 , Y02E10/52 , Y02E10/546 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要: 一种光电转换装置及其制造方法,其兼容高的光电转换效率和高的生产性,该光电转换装置(90)至少具有在透明绝缘性基板(1)上设置透明电极层(2)而形成的带透明电极基板、以及在该带透明电极基板的透明电极层(2)一侧上依次形成的主要具有结晶硅类半导体的光电转换层(92)以及背面电极层(4),其中所述带透明电极基板的透明电极层(2)的表面为混合存在大小凹凸的形状,并且光谱模糊率在550nm以上800nm以下的波长时为20%以上,主要具有所述结晶硅类半导体的光电转换层的膜厚为1.2μm以上2μm以下,喇曼比为3.0以上8.0以下。
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公开(公告)号:CN102356452B
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201080012376.4
申请日:2010-02-15
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L21/205 , C23C16/455 , C23C16/509 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号: C23C16/4401 , C23C16/24 , C23C16/4412 , C23C16/509 , H01J37/32082 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32834 , H01L31/028 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/18 , H01L31/1804 , H01L31/1824 , H01L31/1868 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种实现制成的膜的高品质化并且能够实现大面积化及成膜速度的高速化的真空处理装置。设置有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极;气体供给部(10),与放电室(2)相邻配置,朝向脊形电极供给用于形成等离子体的母气体;基板(S),配置于在基板(S)与放电室(2)之间夹着气体供给部(10)的位置,实施基于等离子体的处理;减压容器(7),内部至少收容有放电室(2)、气体供给部(10)及基板(S);及排气部(9),连通于与减压容器(7)中的气体供给部(10)之间夹着放电室(2)的位置,使减压容器(7)内部的压力降低。
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公开(公告)号:CN103026508A
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN201180035754.5
申请日:2011-09-28
申请人: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC分类号: H01L31/20 , H01L31/18 , H01L31/077
CPC分类号: H01L31/202 , H01L31/03762 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种光电转换装置的制造方法,能够提升太阳能电池的发电特性,所述太阳能电池具有由p型晶体Ge(基板)-i型非晶硅半导体层-n型非晶硅半导体层构成的异质结单元。光电转换装置(100)在基板(p型晶体Ge)(11)上设置依次层叠i型非晶硅半导体层(12)和n型非晶硅半导体层(13)而成的异质结单元(1),该光电转换装置(100)的制造方法具备:PH3暴露处理工序,使已除去表面形成的氧化膜的基板(11)达到预定温度后,将该基板配置在真空腔室内并使其暴露于PH3中;i层制膜工序,在经PH3暴露的基板上制作i型非晶硅半导体层(12);n层制膜工序,在i型非晶硅半导体层(12)上制作n型非晶硅半导体层(13);以及电极形成工序,在n型非晶硅半导体层上、及在基板(11)的背面侧的面上形成电极(2、3、4)。
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公开(公告)号:CN102105992B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN200980128959.0
申请日:2009-08-18
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/1804 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0745 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序,其特征在于,形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。
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公开(公告)号:CN102484150A
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN201080037798.7
申请日:2010-06-10
申请人: 独立行政法人产业技术综合研究所 , 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/043 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种多接合光电转换装置、集成型多接合光电转换装置及它们的制造方法,具有双端子构造、且以由先被层叠的层制约少的条件层叠在后的层。层叠分光灵敏度不同的多个光电转换元件,在至少与光入射的一侧相反的相反侧的端部的光电转换元件(2、4)进行连接的连接侧的最上层分别具有导电性薄膜层(5a、5b、5c、5d),在其他光电转换元件(3)进行连接的连接侧的最上层及最下层分别具有导电性薄膜层(16a、16b),经由在透明绝缘材料中含有导电性微粒子的各向异性导电粘结层(6a、6b)而使最上层及最下层彼此接合。各向异性导电粘结层(6a、6b)内的导电性微粒子进行各层的层叠方向的电连接,导电性薄膜层(5a、5b、5c、5d)进行作为各接合材料的光电转换层(2、3、4)的横向(面内方向)的电连接。
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公开(公告)号:CN102105992A
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN200980128959.0
申请日:2009-08-18
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/1804 , H01L31/046 , H01L31/0463 , H01L31/0745 , H01L31/077 , H01L31/202 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 本发明提供一种通过高速制成覆盖良好的n层来同时实现高生产性和高转换效率的光电转换装置的制造方法。光电转换装置(100)的制造方法包含利用等离子体CVD法在基板(1)上形成硅系的光电转换层(3)的工序,其特征在于,形成所述光电转换层(3)的工序包含形成由晶质硅构成的i层(42)的工序和在该i层(42)上以氢稀释率0倍以上且10倍以下的条件形成n层(43)的工序。
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公开(公告)号:CN102959125A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201180030847.9
申请日:2011-05-09
申请人: 三菱重工业株式会社
IPC分类号: C23C16/509 , H01L21/205 , H01L31/04 , H05H1/46
CPC分类号: C23C16/50 , C23C16/4412 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , C23C16/511 , H01J37/32229 , H01L31/1804 , H01L31/1816 , H01L31/1824 , H01L31/1876 , H01L31/202 , Y02E10/545 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要: 提供一种抑制脊形电极及基板的热变形,对于大型的基板也能进行稳定的等离子体处理的真空处理装置。具有:放电室(2),由脊形波导管构成,该脊形波导管具有生成等离子体的排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b);一对转换器,将高频电力转换成方形波导管的基本传送模式即TE模式而向放电室(2)传送,并使排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间产生等离子体;均热调温器(40),设置在基板侧脊形电极(21b)的外表面侧,并使温度均匀地进行加热;热吸收调温单元(50),设置在排气侧脊形电极(21a)的外表面侧,并控制实施等离子体处理的基板(S)的板厚方向的热流束,将基板(S)设置在排气侧脊形电极(21a)及基板侧脊形电极(21b)之间而实施等离子体处理。
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公开(公告)号:CN102598292A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080048346.9
申请日:2010-11-11
申请人: 三菱重工业株式会社 , 独立行政法人产业技术总合研究所
IPC分类号: H01L31/04
CPC分类号: H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要: 本发明提供一种薄膜光电转换装置,其为高效率的三接合型薄膜光电转换装置,霾度高,并且使由各光电转换层得到的短路电流值均匀化。薄膜光电转换装置(100)在基板(1)上顺次具备透明电极层(2)和三层硅类光电转换层(91、92、93)。透明电极层(2)具有至少一个通过蚀刻处理而形成的使基板(1)的表面露出的开口部(5),透明电极层(2)的相对于宽波长区域的光的霾度处于60%以上。
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