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公开(公告)号:CN101265393B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN200810003197.9
申请日:2008-01-15
Applicant: 东丽先端素材株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , C09J7/10 , C09J2201/36 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L25/0657 , H01L2224/26135 , H01L2224/29083 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/01012 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T428/24975 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , Y10T428/287 , Y10T428/31511 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于堆叠芯片的粘合剂膜,该粘合剂膜能够使芯片多层地堆叠而无需使用单独的间隔片,所述单独的间隔片通常被提供以保持具有相同面积的上芯片和下芯片的导线之间的预定距离。本发明的粘合剂膜在放置环氧树脂的热固性粘合剂层的两侧上分别具有热塑性苯氧基树脂的中间粘合剂层,以制成三层结构,所述热塑性苯氧基树脂包含可UV固化的小分子化合物。本发明的粘合剂膜是通过包括下列步骤的方法生产的多层粘合剂膜:在热固性环氧树脂和热塑性苯氧基树脂之间的界面上实现相容性,然后在粘合剂膜中通过UV固化直接形成高弹性模量的苯氧基膜。采用这样的构造,根据本发明的用于堆叠半导体芯片的粘合剂膜能够使半导体硅芯片以3层或更多层堆叠,而无需使用为在堆叠芯片中保持上下芯片之间的导线距离而在芯片之间使用的单独的间隔片。采用该构造有利的是,半导体的可靠性不降低,这是因为尽管有堆叠芯片的经历高温的重复过程,但粘合性仍得以保持。