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公开(公告)号：CN103715124A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310066383.8
申请日：2013-03-01
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H01L21/6836 , H01L2221/68372 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及一种利用响应于能量射线的耐热粘合片来制造半导体器件的方法。更具体地，本发明涉及一种用于使用具有优异的可靠性和可加工性的响应于能量射线的耐热粘合片来制造半导体器件的方法，该半导体器件通过以下方法制造：在将反应于能量射线的耐热粘合片长时间暴露于高温下的安装工艺(带后工艺)之后，层合该反应于能量射线的耐热粘合片；以及在密封过程之后，向粘合片的响应于能量射线的耐热粘合层辐照能量射线以引起交联反应，使得可以剥离粘合片而不在金属引线框的表面和密封树脂表面上留下残留物。
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公开(公告)号：CN102150240B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200980118992.5
申请日：2009-01-15
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，所述半导体薄膜晶片在半导体晶片的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置，所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任何限制，其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透，其在剥离期间不在电路表面上留下任何粘合剂层且因此不需要附加的洗涤工艺，从而防止了在复杂的工艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。为此，本发明的所述用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜包含耐热基材和涂布在耐热基材上的耐热粘合剂层，其中所述耐热粘合剂层包含分子量为500,000～3,000,000的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101265393B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200810003197.9
申请日：2008-01-15
Applicant: 东丽先端素材株式会社
CPC classification number: H01L24/83 , C09J7/10 , C09J2201/36 , C09J2461/00 , C09J2463/00 , H01L25/0657 , H01L2224/26135 , H01L2224/29083 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83856 , H01L2225/0651 , H01L2225/06575 , H01L2924/01012 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , Y10T428/24975 , Y10T428/28 , Y10T428/2848 , Y10T428/2852 , Y10T428/287 , Y10T428/31511 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于堆叠芯片的粘合剂膜，该粘合剂膜能够使芯片多层地堆叠而无需使用单独的间隔片，所述单独的间隔片通常被提供以保持具有相同面积的上芯片和下芯片的导线之间的预定距离。本发明的粘合剂膜在放置环氧树脂的热固性粘合剂层的两侧上分别具有热塑性苯氧基树脂的中间粘合剂层，以制成三层结构，所述热塑性苯氧基树脂包含可UV固化的小分子化合物。本发明的粘合剂膜是通过包括下列步骤的方法生产的多层粘合剂膜：在热固性环氧树脂和热塑性苯氧基树脂之间的界面上实现相容性，然后在粘合剂膜中通过UV固化直接形成高弹性模量的苯氧基膜。采用这样的构造，根据本发明的用于堆叠半导体芯片的粘合剂膜能够使半导体硅芯片以3层或更多层堆叠，而无需使用为在堆叠芯片中保持上下芯片之间的导线距离而在芯片之间使用的单独的间隔片。采用该构造有利的是，半导体的可靠性不降低，这是因为尽管有堆叠芯片的经历高温的重复过程，但粘合性仍得以保持。
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公开(公告)号：CN102136432B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201010243397.9
申请日：2010-07-30
Applicant: 东丽先端素材株式会社
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83001 , H01L2224/85001 , H01L2224/92247 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供利用耐热胶粘片制造半导体器件的方法，所述方法包含如下工序：(a)准备金属引线框；(b)将半导体芯片安装至金属引线框上；(c)通过导线将金属引线框的引线与半导体芯片连接；(d)利用耐热胶粘片对具有安装于其上的半导体芯片和连接于其上的导线的金属引线框进行粘贴和层压；(e)利用密封树脂密封半导体芯片；和(f)在密封完成后移除耐热胶粘片。
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公开(公告)号：CN102911614B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110306236.4
申请日：2011-10-08
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J113/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L21/58 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , Y02P20/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层，所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。
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公开(公告)号：CN102911614A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110306236.4
申请日：2011-10-08
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J113/00 , C09J163/00 , C09J161/06 , C09J11/06 , H01L21/58 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , Y02P20/149 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种用于制造半导体器件的胶粘带和使用该胶粘带制造半导体器件的方法。所述胶粘带包含基材和涂覆在所述基材的至少一个表面上的胶粘剂层，所述胶粘剂层由胶粘剂组合物形成，所述胶粘剂组合物含有按100重量份的含羧基的橡胶树脂计为约0.01～约10重量份的固化剂和约60～约100重量份的添加剂。所述胶粘带在作为高温工艺的安装工艺之后的层压期间在室温下保持低胶粘强度，由此使得在发生层压缺陷时可容易地进行重新加工并提高了产品收率，且该胶粘带在层压之后的预固化工艺中提高了对引线框表面的胶粘性，由此有效地阻止了在密封工艺中的树脂泄露且在除去胶粘带时不会在粘附表面上残留残渣，因此有助于加工并降低了缺陷率。
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公开(公告)号：CN102150240A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200980118992.5
申请日：2009-01-15
Applicant: 东丽先端素材株式会社
IPC: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/78
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明提供了用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜，所述半导体薄膜晶片在半导体晶片的膜减薄工艺期间不需要单独的粘合装置，所述晶片支撑粘合膜不受半导体晶片尺寸的任何限制，其通过在耐热基材上涂布丙烯酸类粘合剂层而防止研磨水渗透，其在剥离期间不在电路表面上留下任何粘合剂层且因此不需要附加的洗涤工艺，从而防止了在复杂的工艺期间可能发生的半导体晶片中的损伤以及电路表面的污染。为此，本发明的所述用于制造半导体薄膜晶片的晶片支撑粘合膜包含耐热基材和涂布在耐热基材上的耐热粘合剂层，其中所述耐热粘合剂层包含分子量为500,000～3,000,000的丙烯酸类共聚物、可能量束固化的丙烯酸类低聚物和光引发剂。
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