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公开(公告)号：CN117888192A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311286795.2
申请日：2023-10-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 提供了一种抑制硅化镍的聚集的技术。根据本公开的一个方式的成膜方法，具有如下工序：准备表面具有非晶硅膜的基板；向所述非晶硅膜供给镍原料气体，并使镍扩散到所述非晶硅膜中；以及加热所述非晶硅膜，通过以扩散到所述非晶硅膜中的所述镍为核的金属诱导横向结晶化，使所述非晶硅膜结晶化来形成多晶硅膜。
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公开(公告)号：CN101192531A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710196360.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3125 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。
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公开(公告)号：CN110273138A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910198410.4
申请日：2019-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供一种成膜装置的清洗方法、运用方法以及成膜装置，能够减少压力计的更换频度。一个实施方式的成膜装置的清洗方法是具有处理容器和压力计的成膜装置的清洗方法，其中，该处理容器用于收容基板并且形成减压气氛来进行成膜处理，该压力计用于对处理容器内的压力进行监视，在所述成膜装置的清洗方法中，向实施了所述成膜处理的所述处理容器内和所述压力计供给用于将在所述成膜处理中形成的膜去除的清洗气体。
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公开(公告)号：CN108239766A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711431130.0
申请日：2017-12-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/24 , C23C16/458 , H01L21/67 , H01L21/687 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/46 , H01L21/205 , H01L21/22 , H01L21/28562 , H01L21/32051 , H01L21/67017 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67303 , C23C16/4585 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/67011 , H01L21/68714
Abstract: 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。
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公开(公告)号：CN112185881A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010599609.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供载置台、基板处理装置以及载置台的组装方法。抑制盖构件相对于载置台主体的位置偏移，利用用于抑制该位置偏移的机构防止载置台主体热膨胀或者热收缩时该载置台主体产生破损。载置基板的载置台包括：载置台主体，该载置台主体在上表面载置基板；盖构件，其覆盖载置台主体的上表面的外缘部；以及位置偏移防止用构件，其设于载置台主体的上表面与盖构件的下表面之间，能够滚动或者滑动，在载置台主体的上表面形成有收容位置偏移防止用构件的主体侧凹部，在盖构件的下表面形成有收容被主体侧凹部收容的位置偏移防止用构件的盖侧凹部，主体侧凹部和盖侧凹部中的至少任一者形成为具有沿着载置台主体的径向的倾斜面的研钵状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110349881A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910221470.3
申请日：2019-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/321 , H01L21/3205 , C23C16/56 , C23C16/52 , C23C16/455 , C23C16/24
Abstract: 本发明提供一种能够在基板上形成具有良好的面内均匀性的硅膜的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置具备：处理容器，收容有搭载基板的舟皿；以及喷射器，在处理容器的附近沿着处理容器的内壁在上下方向延伸配置并且在长边方向上具有多个气孔，气孔在处理容器的附近的内壁取向。
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公开(公告)号：CN102347266B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201110216875.1
申请日：2011-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/762
CPC classification number: H01L21/67167 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02304 , H01L21/02323 , H01L21/32055 , H01L21/32105 , H01L21/67207 , H01L21/76227
Abstract: 本发明提供一种沟槽的填充方法和成膜系统。该填充方法和成膜系统用于对形成有沟槽、且至少在上述沟槽的侧壁上形成有氧化膜的半导体基板进行加热，并将氨基硅烷类气体供给到上述半导体基板的表面上而在上述半导体基板上形成晶种层，对形成有上述晶种层的半导体基板进行加热，并将单硅烷气体供给到上述晶种层的表面上而在上述晶种层上形成硅膜，使用经烧制会收缩的填充材料对形成有上述硅膜的半导体基板的上述沟槽进行填充，在含有水及/或羟基的气氛中对涂覆有用于填充上述沟槽的上述填充材料的上述半导体基板进行烧制，并使上述填充材料变化成硅氧化物、使上述硅膜以及上述晶种层分别变化成硅氧化物。
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公开(公告)号：CN101372739B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810168649.9
申请日：2008-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法，其包括：在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序；接着，通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制部分实施烘焙处理，使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序；和接着，将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。
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公开(公告)号：CN101192531B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200710196360.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/312 , H01L21/3105 , H01L21/762 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/316 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02222 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337 , H01L21/31058 , H01L21/3125 , H01L21/76826 , H01L21/76828
Abstract: 本发明涉及一种处理聚硅氮烷膜的方法，在将收纳表面配设有聚硅氮烷的涂布膜的被处理基板的反应容器的处理区域设定在包含氧、并且具有6.7kPa的第一压力的第一气氛的状态下，进行使上述处理区域从预热温度变化至规定温度的升温。接着，在将上述处理区域设定为包含氧化气体，并且具有比上述第一压力高的第二压力的第二气氛的状态下，进行用于在上述规定温度以上的第一处理温度烧制所述涂布膜、得到含有硅和氧的绝缘膜的第一热处理。
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公开(公告)号：CN101372739A
公开(公告)日：2009-02-25
申请号：CN200810168649.9
申请日：2008-08-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/20 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4405 , Y02C20/30 , Y02P70/605
Abstract: 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法，其包括：在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序；接着，通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气，并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度，对所述石英制部分实施烘焙处理，使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序；和接着，将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。
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